STMicroelectronics MOSFET, canale N, 21 mΩ, 7,5 A, SO, Montaggio superficiale
STMicroelectronics MOSFET, canale N, 21 mΩ, 7,5 A, SO, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 8, Resistenza massima drain source: 21 m Ω, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 2,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±16 V, Tensione diretta del diodo: 1.2V, Altezza: 1.65mm, MPN: STS7NF60L
STMicroelectronics MOSFET, STS7NF60L, N-Canal-Canal, 7.5 A, 60 V, 8-Pin, SO Simple
STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 7.5 A, 60 V, 8-Pin, SO Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 21 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 2.5 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±16 V, Tensión de diodo directa: 1.2V, Altura: 1.65mm, MPN: STS7NF60L