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onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 80 V, TO-225AA, Traversant, 3 broches

onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 80 V, TO-225AA, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Nombre d'éléments par circuit: 1, Gain en courant DC minimum: 100, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 4 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 100µA, Dimensions: 11.04 x 7.74 x 2.66mm, MPN: 2N6039G

EUR 0.68

1

onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 80 V, TO-225AA, Traversant, 3 broches

onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 80 V, TO-225AA, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Nombre d'éléments par circuit: 1, Gain en courant DC minimum: 100, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 4 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 100µA, Dimensions: 11.04 x 7.74 x 2.66mm, MPN: 2N6039G

EUR 0.56

1

onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 60 V, TO-225AA, Traversant, 3 broches

onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 60 V, TO-225AA, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Nombre d'éléments par circuit: 1, Gain en courant DC minimum: 100, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 4 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 100µA, Dimensions: 11.04 x 7.74 x 2.66mm, MPN: 2N6038G

EUR 0.23

1

onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 60 V, TO-225AA, Traversant, 3 broches

onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 60 V, TO-225AA, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Nombre d'éléments par circuit: 1, Gain en courant DC minimum: 100, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 4 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 100µA, Dimensions: 11.04 x 7.74 x 2.66mm, MPN: 2N6038G

EUR 0.23

1

onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 80 V, TO-225AA, Traversant, 3 broches

onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 80 V, TO-225AA, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Nombre d'éléments par circuit: 1, Gain en courant DC minimum: 100, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 4 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 100µA, Dimensions: 11.04 x 7.74 x 2.66mm, MPN: 2N6039G

EUR 0.36

1

onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 60 V, TO-225AA, Traversant, 3 broches

onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 60 V, TO-225AA, Traversant, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Nombre d'éléments par circuit: 1, Gain en courant DC minimum: 100, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 4 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 100µA, Dimensions: 11.04 x 7.74 x 2.66mm, MPN: 2N6038G

EUR 0.23

1

onsemi Fotodiodo 2 pin. 20°, 880nm, T-1 3/4

onsemi Fotodiodo 2 pin. 20°, 880nm, T-1 3/4, Tipo di montaggio: Montaggio con foro passante, Materiale diodo: Si, Lunghezza d'onda minima rilevata: 700nm, Lunghezza d'onda massima rilevata: 1100nm, Altezza: 8.77mm, Diametro: 6.1mm, MPN: QSD2030F

EUR 0.52

1

onsemi Fotodiodo 2 pin. 20°, 880nm, T-1 3/4

onsemi Fotodiodo 2 pin. 20°, 880nm, T-1 3/4, Tipo di montaggio: Montaggio con foro passante, Materiale diodo: Si, Lunghezza d'onda minima rilevata: 700nm, Lunghezza d'onda massima rilevata: 1100nm, Altezza: 8.77mm, Diametro: 6.1mm, MPN: QSD2030F

EUR 0.32

1

onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches

onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 200, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 4 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 0.02mA, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, MPN: MJD112T4G

EUR 0.60

1

onsemi Transistor Darlington, PNP, 4 A, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches

onsemi Transistor Darlington, PNP, 4 A, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 200, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 4 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 0.02mA, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, MPN: MJD117T4G

EUR 0.32

1

onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches

onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 200, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 4 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 0.02mA, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, MPN: MJD112T4G

EUR 0.60

1

onsemi Transistor Darlington, PNP, 4 A, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches

onsemi Transistor Darlington, PNP, 4 A, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 200, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 4 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 0.02mA, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, MPN: MJD117T4G

EUR 0.83

1

onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches

onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Configuration du transistor: Simple, Gain en courant DC minimum: 200, Tension de saturation Base Emetteur maximum: 4 V, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 3 V, Courant de coupure Collecteur maximum: 0.02mA, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, MPN: MJD112T4G

EUR 0.28

1

onsemi AEC-Q101 HCT, Buffer, 4 bits 3 états, Sans inversion SOIC 14 broches

onsemi AEC-Q101 HCT, Buffer, 4 bits 3 états, Sans inversion SOIC 14 broches, Type d'entrée: LS-TTL, Type de montage: CMS, Courant de sortie niveau haut maximum: 6mA, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 36 ns @ 50 pF, Dimensions: 8.75 x 4 x 1.5mm, MPN: MC74HCT125ADG

EUR 0.26

3

onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 45 V c.c., TO-225, 3 broches

onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 45 V c.c., TO-225, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 36 W, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 7.8 x 3 x 11.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BD437G

EUR 0.75

3

onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 45 V c.c., TO-225, 3 broches

onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 45 V c.c., TO-225, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 36 W, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 7.8 x 3 x 11.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BD437G

EUR 0.45

1

onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 45 V c.c., TO-225, 3 broches

onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 45 V c.c., TO-225, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 36 W, Gain en courant DC minimum: 30, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 7.8 x 3 x 11.1mm, MPN: BD437G

EUR 0.52

3

onsemi Transistor, FJP3305H2TU, NPN 4 A 400 V TO-220, 3 pines, 4 MHz, Simple

onsemi Transistor, NPN 4 A 400 V TO-220, 3 pines, 4 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 75 W, Tensión Base Máxima del Colector: 700 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 9 V, Número de Elementos por Chip: 1, Dimensiones: 10.67 x 4.83 x 16.51mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: 1 V, MPN: FJP3305H2TU

EUR 0.93

1

onsemi Transistor, FJP3305H2TU, NPN 4 A 400 V TO-220, 3 pines, 4 MHz, Simple

onsemi Transistor, NPN 4 A 400 V TO-220, 3 pines, 4 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 75 W, Tensión Base Máxima del Colector: 700 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 9 V, Número de Elementos por Chip: 1, Dimensiones: 10.67 x 4.83 x 16.51mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: 1 V, MPN: FJP3305H2TU

EUR 0.93

1

onsemi Transistor, FJPF3305H1TU, NPN 4 A 400 V TO-220F, 3 pines, 4 MHz, Simple

onsemi Transistor, NPN 4 A 400 V TO-220F, 3 pines, 4 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 30 W, Tensión Base Máxima del Colector: 700 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 9 V, Número de Elementos por Chip: 1, Dimensiones: 10.16 x 4.7 x 15.87mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: 1 V, MPN: FJPF3305H1TU

EUR 0.87

1

onsemi Transistor, FJPF3305H1TU, NPN 4 A 400 V TO-220F, 3 pines, 4 MHz, Simple

onsemi Transistor, NPN 4 A 400 V TO-220F, 3 pines, 4 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 30 W, Tensión Base Máxima del Colector: 700 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 9 V, Número de Elementos por Chip: 1, Dimensiones: 10.16 x 4.7 x 15.87mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: 1 V, MPN: FJPF3305H1TU

EUR 0.92

1

onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 60 V c.c., TO-225, 3 broches

onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 60 V c.c., TO-225, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 7.8 x 3 x 11.1mm, MPN: 2N5191G

EUR 0.55

3

onsemi Transistor Darlington NPN, DPAK (TO-252), 3 Pin, 4 A, 100 V, Montaggio superficiale

onsemi Transistor Darlington NPN, DPAK (TO-252), 3 Pin, 4 A, 100 V, Montaggio superficiale, Tensione massima base emitter: 5 V, Configurazione transistor: Singolo, Guadagno minimo corrente c.c.: 200, Tensione massima di saturazione emitter: 4 V, Tensione massima di saturazione collettore emitter: 3 V, Corrente massima di cut-off del collettore: 0.02mA, Dimensioni: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, MPN: MJD112T4G

EUR 0.60

1

onsemi Transistor Darlington PNP, DPAK (TO-252), 3 Pin, 4 A, 100 V, Montaggio superficiale

onsemi Transistor Darlington PNP, DPAK (TO-252), 3 Pin, 4 A, 100 V, Montaggio superficiale, Tensione massima base emitter: 5 V, Configurazione transistor: Singolo, Guadagno minimo corrente c.c.: 200, Tensione massima di saturazione emitter: 4 V, Tensione massima di saturazione collettore emitter: 3 V, Corrente massima di cut-off del collettore: 0.02mA, Dimensioni: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, MPN: MJD117T4G

EUR 0.32

1

onsemi Transistor Darlington NPN, DPAK (TO-252), 3 Pin, 4 A, 100 V, Montaggio superficiale

onsemi Transistor Darlington NPN, DPAK (TO-252), 3 Pin, 4 A, 100 V, Montaggio superficiale, Tensione massima base emitter: 5 V, Configurazione transistor: Singolo, Guadagno minimo corrente c.c.: 200, Tensione massima di saturazione emitter: 4 V, Tensione massima di saturazione collettore emitter: 3 V, Corrente massima di cut-off del collettore: 0.02mA, Dimensioni: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, MPN: MJD112T4G

EUR 0.60

1

DIGITAL MARKETING

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 80 V, TO-225AA, Traversant, 3 broches

onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 80 V, TO-225AA, Traversant, 3 broches

onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 60 V, TO-225AA, Traversant, 3 broches

onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 60 V, TO-225AA, Traversant, 3 broches

onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 80 V, TO-225AA, Traversant, 3 broches

onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 60 V, TO-225AA, Traversant, 3 broches

onsemi Fotodiodo 2 pin. 20°, 880nm, T-1 3/4

onsemi Fotodiodo 2 pin. 20°, 880nm, T-1 3/4

onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches

onsemi Transistor Darlington, PNP, 4 A, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches

onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches

onsemi Transistor Darlington, PNP, 4 A, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches

onsemi Transistor Darlington, NPN, 4 A, 100 V, DPAK (TO-252), CMS, 3 broches

onsemi AEC-Q101 HCT, Buffer, 4 bits 3 états, Sans inversion SOIC 14 broches

onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 45 V c.c., TO-225, 3 broches

onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 45 V c.c., TO-225, 3 broches

onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 45 V c.c., TO-225, 3 broches

onsemi Transistor, FJP3305H2TU, NPN 4 A 400 V TO-220, 3 pines, 4 MHz, Simple

onsemi Transistor, FJP3305H2TU, NPN 4 A 400 V TO-220, 3 pines, 4 MHz, Simple

onsemi Transistor, FJPF3305H1TU, NPN 4 A 400 V TO-220F, 3 pines, 4 MHz, Simple

onsemi Transistor, FJPF3305H1TU, NPN 4 A 400 V TO-220F, 3 pines, 4 MHz, Simple

onsemi Transistor, NPN Simple, 4 A, 60 V c.c., TO-225, 3 broches

onsemi Transistor Darlington NPN, DPAK (TO-252), 3 Pin, 4 A, 100 V, Montaggio superficiale

onsemi Transistor Darlington PNP, DPAK (TO-252), 3 Pin, 4 A, 100 V, Montaggio superficiale

onsemi Transistor Darlington NPN, DPAK (TO-252), 3 Pin, 4 A, 100 V, Montaggio superficiale

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