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onsemi MOSFET ON Semiconductor canal N,, SOT-23 2,4 A 30 V, 3 broches

onsemi MOSFET ON Semiconductor canal N,, SOT-23 2,4 A 30 V, 3 broches

onsemi MOSFET ON Semiconductor canal N,, SOT-23 2,4 A 30 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 110 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.4V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.6V, Dissipation de puissance maximum: 480 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±12 V, Longueur: 3.04mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NTR4170NT1G

EUR 23.68
2

onsemi MOSFET, FCH76N60N, N-Canal-Canal, 76 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 SupreMOS Simple Si

onsemi MOSFET, FCH76N60N, N-Canal-Canal, 76 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 SupreMOS Simple Si

onsemi MOSFET, N-Canal-Canal, 76 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 SupreMOS Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 36 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 543 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 15.95mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: FCH76N60N

EUR 20.17
1

onsemi MOSFET canal N,, SOT-23 260 mA 60 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, SOT-23 260 mA 60 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, SOT-23 260 mA 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 3 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.6V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.9V, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 3.04mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NTR5103NT1G

EUR 27.92
2