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onsemi MOSFET canal N,, TO-92 380 mA 500 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, TO-92 380 mA 500 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 6 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 2,08 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 5.2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FQN1N50CTA

EUR 0.60

1

onsemi MOSFET canal N,, SOT-23 380 mA 60 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, SOT-23 380 mA 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,5 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.3V, Dissipation de puissance maximum: 420 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 3.04mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: 2N7002KT1G

EUR 0.04

1

onsemi MOSFET canal N,, TO-92 380 mA 500 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, TO-92 380 mA 500 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 6 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 2,08 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Hauteur: 5.33mm, Longueur: 5.2mm, MPN: FQN1N50CTA

EUR 0.55

1

onsemi MOSFET canal N,, SOT-23 380 mA 60 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, SOT-23 380 mA 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,5 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.3V, Dissipation de puissance maximum: 420 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 3.04mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: 2N7002KT1G

EUR 0.10

1

onsemi MOSFET canal N,, TO-92 380 mA 500 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, TO-92 380 mA 500 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 6 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 2,08 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 5.2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FQN1N50CTA

EUR 0.25

1

onsemi MOSFET canal N,, SOT-23 380 mA 60 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, SOT-23 380 mA 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,5 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.3V, Dissipation de puissance maximum: 420 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Hauteur: 1.01mm, Longueur: 3.04mm, MPN: 2N7002KT1G

EUR 0.09

1

onsemi Transistor, NPN + PNP, 200 mA, 30 V, SOT-363, 6 broches Dual

onsemi Transistor, NPN + PNP, 200 mA, 30 V, SOT-363, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC848CPDW1T1G

EUR 0.13

1

onsemi Transistor, NPN + PNP, 200 mA, 30 V, SOT-363, 6 broches Dual

onsemi Transistor, NPN + PNP, 200 mA, 30 V, SOT-363, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC848CPDW1T1G

EUR 0.05

1

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Gain en courant DC minimum: 270, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1.1mm, MPN: BC848CDW1T1G

EUR 0.11

1

onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Double, 100 mA, 30 V, SOT-363, 6 broches Dual

onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Double, 100 mA, 30 V, SOT-363, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: SBC857BDW1T1G

EUR 0.17

1

onsemi Transistor, PNP, 200 mA, -65 V, SOT-363, 6 broches Dual

onsemi Transistor, PNP, 200 mA, -65 V, SOT-363, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Tension Collecteur Base maximum: -80 V, Tension Emetteur Base maximum: -5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC856BDW1T1G

EUR 0.04

1

onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Double, 100 mA, 65 V, SOT-363, 6 broches Dual

onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Double, 100 mA, 65 V, SOT-363, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: SBC846BPDW1T1G

EUR 0.33

1

onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Double, 100 mA, 45 V, SOT-363, 6 broches Dual

onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Double, 100 mA, 45 V, SOT-363, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: SBC847BPDW1T1G

EUR 0.09

1

onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Double, 100 mA, 45 V, SOT-363, 6 broches Dual

onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Double, 100 mA, 45 V, SOT-363, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: SBC847BPDW1T1G

EUR 0.34

1

onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Double, 100 mA, 30 V, SOT-363, 6 broches Dual

onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Double, 100 mA, 30 V, SOT-363, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: SBC857BDW1T1G

EUR 0.03

1

onsemi Transistor, PNP Isolé, 100 mA, 45 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual

onsemi Transistor, PNP Isolé, 100 mA, 45 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Gain en courant DC minimum: 220, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 0.9 x 2 x 1.25mm, Hauteur: 0.9mm, MPN: BC857BDW1T1G

EUR 0.23

1

onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Double, 100 mA, 65 V, SOT-363, 6 broches Dual

onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Double, 100 mA, 65 V, SOT-363, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: SBC846BPDW1T1G

EUR 0.08

1

onsemi Transistor, PNP, 200 mA, -65 V, SOT-363, 6 broches Dual

onsemi Transistor, PNP, 200 mA, -65 V, SOT-363, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Tension Collecteur Base maximum: -80 V, Tension Emetteur Base maximum: -5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC856BDW1T1G

EUR 0.12

1

onsemi Transistor, NPN + PNP, 200 mA, 45 V, SOT-363, 6 broches Dual

onsemi Transistor, NPN + PNP, 200 mA, 45 V, SOT-363, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC847BPDW1T2G

EUR 0.03

1

onsemi Transistor, NPN + PNP, 200 mA, 45 V, SOT-363, 6 broches Dual

onsemi Transistor, NPN + PNP, 200 mA, 45 V, SOT-363, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC847BPDW1T2G

EUR 0.03

1

onsemi Transistor bipolaire, NPN Isolé, 100 mA, 45 V, SOT-363, 6 broches

onsemi Transistor bipolaire, NPN Isolé, 100 mA, 45 V, SOT-363, 6 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 0.9 x 2 x 1.25mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC847BDW1T1G

EUR 0.04

1

onsemi Transistor, NPN Isolé, 100 mA, 45 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual

onsemi Transistor, NPN Isolé, 100 mA, 45 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Gain en courant DC minimum: 200, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 0.9 x 2 x 1.25mm, Hauteur: 0.9mm, MPN: BC847BDW1T1G

EUR 0.09

1

onsemi MOSFET canal P,, WDFN 1,7 A 60 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal P,, WDFN 1,7 A 60 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 380 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 18 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 0.75mm, Longueur: 3.15mm, MPN: NVTFS5124PLTAG

EUR 0.70

1

onsemi Transistor, NPN Isolé, 100 mA, 65 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual

onsemi Transistor, NPN Isolé, 100 mA, 65 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Gain en courant DC minimum: 200, Tension Collecteur Base maximum: 80 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 0.9 x 2 x 1.25mm, Hauteur: 0.9mm, MPN: BC846BDW1T1G

EUR 0.22

1

onsemi Transistor, PNP Isolé, 100 mA, 65 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual

onsemi Transistor, PNP Isolé, 100 mA, 65 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Gain en courant DC minimum: 220, Tension Collecteur Base maximum: -80 V, Tension Emetteur Base maximum: -5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, MPN: NST65010MW6T1G

EUR 0.19

1

DIGITAL MARKETING

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

onsemi MOSFET canal N,, TO-92 380 mA 500 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, SOT-23 380 mA 60 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, TO-92 380 mA 500 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, SOT-23 380 mA 60 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, TO-92 380 mA 500 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, SOT-23 380 mA 60 V, 3 broches

onsemi Transistor, NPN + PNP, 200 mA, 30 V, SOT-363, 6 broches Dual

onsemi Transistor, NPN + PNP, 200 mA, 30 V, SOT-363, 6 broches Dual

onsemi Transistor, NPN Simple, 100 mA, 30 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches

onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Double, 100 mA, 30 V, SOT-363, 6 broches Dual

onsemi Transistor, PNP, 200 mA, -65 V, SOT-363, 6 broches Dual

onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Double, 100 mA, 65 V, SOT-363, 6 broches Dual

onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Double, 100 mA, 45 V, SOT-363, 6 broches Dual

onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Double, 100 mA, 45 V, SOT-363, 6 broches Dual

onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Double, 100 mA, 30 V, SOT-363, 6 broches Dual

onsemi Transistor, PNP Isolé, 100 mA, 45 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual

onsemi Transistor numérique, NPN + PNP Double, 100 mA, 65 V, SOT-363, 6 broches Dual

onsemi Transistor, PNP, 200 mA, -65 V, SOT-363, 6 broches Dual

onsemi Transistor, NPN + PNP, 200 mA, 45 V, SOT-363, 6 broches Dual

onsemi Transistor, NPN + PNP, 200 mA, 45 V, SOT-363, 6 broches Dual

onsemi Transistor bipolaire, NPN Isolé, 100 mA, 45 V, SOT-363, 6 broches

onsemi Transistor, NPN Isolé, 100 mA, 45 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual

onsemi MOSFET canal P,, WDFN 1,7 A 60 V, 8 broches

onsemi Transistor, NPN Isolé, 100 mA, 65 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual

onsemi Transistor, PNP Isolé, 100 mA, 65 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual

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