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onsemi MOSFET, canale N, 0,0016 Ω, 230 A, DFN5, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 0,0016 Ω, 230 A, DFN5, Montaggio superficiale, MPN: NTMFS5C612NT1G-TE

EUR 1.64

1

onsemi MOSFET, canale N, 0,0016 Ω, 230 A, DFN5, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 0,0016 Ω, 230 A, DFN5, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Serie: NTMFS, MPN: NTMFS5C612NT1G-TE

EUR 1.87

1

onsemi MOSFET, canale N, 0,0016 Ω, 230 A, DFN5, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 0,0016 Ω, 230 A, DFN5, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Serie: NTMFS, MPN: NTMFS5C612NT1G-TE

EUR 1.04

1

onsemi MOSFET, canale N, 230 mΩ, 1,7 A, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 230 mΩ, 1,7 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 500 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 0.94mm, Lunghezza: 2.92mm, MPN: NDS355AN

EUR 0.23

1

onsemi MOSFET, canale N, 230 mΩ, 16 A, TO-220, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 230 mΩ, 16 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 250 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 142 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.67mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FQP16N25

EUR 1.79

1

onsemi MOSFET, canale N, 230 mΩ, 1,7 A, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 230 mΩ, 1,7 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 500 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 2.92mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: NDS355AN

EUR 0.45

1

onsemi MOSFET, canale N, 230 mΩ, 20 A, TO-220F, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 230 mΩ, 20 A, TO-220F, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 38,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.36mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FDPF20N50

EUR 3.37

1

onsemi MOSFET, canale N, 230 mΩ, 20 A, TO-220AB, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 230 mΩ, 20 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 250 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.1mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FDP20N50

EUR 2.66

1

onsemi MOSFET, canale N, 230 mΩ, 1,7 A, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 230 mΩ, 1,7 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 500 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 2.92mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: NDS355AN

EUR 0.16

1

onsemi MOSFET, canale N, 230 mΩ, 20 A, TO-220F, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 230 mΩ, 20 A, TO-220F, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 38,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.36mm, Massima temperatura operativa: 150 °C, MPN: FDPF20N50

EUR 3.12

1

onsemi MOSFET, canale N, 230 mΩ, 16 A, TO-220, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 230 mΩ, 16 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 250 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 142 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.67mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FQP16N25

EUR 1.52

1

onsemi MOSFET, canale N, 230 mΩ, 20 A, TO-220AB, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 230 mΩ, 20 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 250 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.1mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FDP20N50

EUR 3.14

1

onsemi MOSFET, canale N, 230 mΩ, 20 A, TO-220F, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 230 mΩ, 20 A, TO-220F, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 38,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.36mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FDPF20N50T

EUR 0.97

1

onsemi Transistor PNP, 3 Pin, TO-247, 25 A, 230 V,, Montaggio su foro

onsemi Transistor PNP, 3 Pin, TO-247, 25 A, 230 V,, Montaggio su foro, Dissipazione di potenza massima: 200 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base emitter: 5 V, Frequenza operativa massima: 1 MHz, Dimensioni: 16.26 x 5.3 x 21.08mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: MJW1302AG

EUR 3.27

1

onsemi Transistor PNP, 3 Pin, TO-247, 25 A, 230 V,, Montaggio su foro

onsemi Transistor PNP, 3 Pin, TO-247, 25 A, 230 V,, Montaggio su foro, Dissipazione di potenza massima: 200 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base emitter: 5 V, Frequenza operativa massima: 1 MHz, Dimensioni: 16.26 x 5.3 x 21.08mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: MJW1302AG

EUR 7.71

1

onsemi MOSFET, canale N, 230 mΩ, 20 A, TO-220AB, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 230 mΩ, 20 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 250 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Numero di elementi per chip: 1, Altezza: 9.4mm, Lunghezza: 10.1mm, MPN: FDP20N50

EUR 3.05

1

onsemi MOSFET, canale N, 230 mΩ, 20 A, TO-220F, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 230 mΩ, 20 A, TO-220F, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 38,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Numero di elementi per chip: 1, Altezza: 16.07mm, Lunghezza: 10.36mm, MPN: FDPF20N50

EUR 3.37

1

onsemi MOSFET, canale N, 230 mΩ, 20 A, TO-220F, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 230 mΩ, 20 A, TO-220F, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 38,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Numero di elementi per chip: 1, Altezza: 16.07mm, Lunghezza: 10.36mm, MPN: FDPF20N50T

EUR 0.97

1

onsemi Transistor Digitale NPN, 3 Pin, TO-247, 230 V c.c.,, Montaggio su foro

onsemi Transistor Digitale NPN, 3 Pin, TO-247, 230 V c.c.,, Montaggio su foro, Dissipazione di potenza massima: 200 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base emitter: 5 V c.c., Numero di elementi per chip: 1, Dimensioni: 16.26 x 5.3 x 21.08mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Configurazione: Single, MPN: MJW3281AG

EUR 3.51

1

onsemi Transistor Digitale NPN, 3 Pin, TO-247, 230 V c.c.,, Montaggio su foro

onsemi Transistor Digitale NPN, 3 Pin, TO-247, 230 V c.c.,, Montaggio su foro, Dissipazione di potenza massima: 200 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base emitter: 5 V c.c., Numero di elementi per chip: 1, Dimensioni: 16.26 x 5.3 x 21.08mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Configurazione: Single, MPN: MJW3281AG

EUR 20.63

1

onsemi Transistor PNP, 3 Pin, TO-247, 25 A, 230 V,, Montaggio su foro

onsemi Transistor PNP, 3 Pin, TO-247, 25 A, 230 V,, Montaggio su foro, Corrente c.c. massima collettore: 15 A (continua), 25 A (picco), Dissipazione di potenza massima: 200 W, Guadagno minimo corrente c.c.: 12, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base emitter: 5 V, Frequenza operativa massima: 1 MHz, Dimensioni: 16.26 x 5.3 x 21.08mm, MPN: MJW1302AG

EUR 3.04

1

onsemi Transistor Digitale NPN, 3 Pin, TO-247, 230 V c.c.,, Montaggio su foro

onsemi Transistor Digitale NPN, 3 Pin, TO-247, 230 V c.c.,, Montaggio su foro, Numero di elementi per chip: 1, Corrente massima continuativa collettore: 15 A, Guadagno minimo corrente c.c.: 12, Dissipazione di potenza massima: 200 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima di saturazione collettore emitter: 2 V c.c., Tensione massima base emitter: 5 V c.c., Configurazione: Single, Dimensioni: 16.26 x 5.3 x 21.08mm, MPN: MJW3281AG

EUR 3.25

1

onsemi Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita Fototransistor, 4 Pin

onsemi Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita Fototransistor, 4 Pin, Corrente massima diretta: 1.8V, Tipo di package: Mini-piatto, Tempo di salita: 5µs, Tensione di isolamento: 3,75 kVrms, Uscita logica: Sì, Rapporto di trasferimento corrente massima: 230%, Rapporto trasferimento di corrente minimo: 80 %, Tempo di caduta: 5.5µs, MPN: FODM8801AR2

EUR 0.52

1

onsemi Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita Fototransistor, 4 Pin

onsemi Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita Fototransistor, 4 Pin, Corrente massima diretta: 1.8V, Tipo di package: Mini-piatto, Tempo di salita: 5µs, Tensione di isolamento: 3750 V ac, Uscita logica: Sì, Rapporto di trasferimento corrente massima: 230%, Rapporto trasferimento di corrente minimo: 80 %, Tempo di caduta: 5.5µs, MPN: FODM8801AR2

EUR 1.06

1

onsemi Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita Fototransistor, 4 Pin

onsemi Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita Fototransistor, 4 Pin, Corrente massima diretta: 1.8V, Tipo di package: Mini-piatto, Tempo di salita: 5µs, Tensione di isolamento: 3750 V ac, Uscita logica: Sì, Rapporto di trasferimento corrente massima: 230%, Rapporto trasferimento di corrente minimo: 80 %, Tempo di caduta: 5.5µs, MPN: FODM8801AR2

EUR 1.20

1

DIGITAL MARKETING

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

onsemi MOSFET, canale N, 0,0016 Ω, 230 A, DFN5, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 0,0016 Ω, 230 A, DFN5, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 0,0016 Ω, 230 A, DFN5, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 230 mΩ, 1,7 A, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 230 mΩ, 16 A, TO-220, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 230 mΩ, 1,7 A, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 230 mΩ, 20 A, TO-220F, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 230 mΩ, 20 A, TO-220AB, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 230 mΩ, 1,7 A, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 230 mΩ, 20 A, TO-220F, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 230 mΩ, 16 A, TO-220, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 230 mΩ, 20 A, TO-220AB, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 230 mΩ, 20 A, TO-220F, Su foro

onsemi Transistor PNP, 3 Pin, TO-247, 25 A, 230 V,, Montaggio su foro

onsemi Transistor PNP, 3 Pin, TO-247, 25 A, 230 V,, Montaggio su foro

onsemi MOSFET, canale N, 230 mΩ, 20 A, TO-220AB, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 230 mΩ, 20 A, TO-220F, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 230 mΩ, 20 A, TO-220F, Su foro

onsemi Transistor Digitale NPN, 3 Pin, TO-247, 230 V c.c.,, Montaggio su foro

onsemi Transistor Digitale NPN, 3 Pin, TO-247, 230 V c.c.,, Montaggio su foro

onsemi Transistor PNP, 3 Pin, TO-247, 25 A, 230 V,, Montaggio su foro

onsemi Transistor Digitale NPN, 3 Pin, TO-247, 230 V c.c.,, Montaggio su foro

onsemi Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita Fototransistor, 4 Pin

onsemi Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita Fototransistor, 4 Pin

onsemi Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita Fototransistor, 4 Pin

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