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onsemi AEC-Q101 Búfer, MC74HCT125ADG, HCT, 4 bits 3-State, No Inversión SOIC 14 pines

onsemi AEC-Q101 Búfer, HCT, 4 bits 3-State, No Inversión SOIC 14 pines, Tipo de Entrada: LS-TTL, Tipo de Salida: 3 estados, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Corriente Máxima de Salida de Alto Nivel: 6mA, Tipo de Retardo de Propagación Máxima @ CL Máximo: 36 ns @ 50 pF, Dimensiones: 8.75 x 4 x 1.5mm, MPN: MC74HCT125ADG

EUR 0.26

1

onsemi Transistor, FJP3305H2TU, NPN 4 A 400 V TO-220, 3 pines, 4 MHz, Simple

onsemi Transistor, NPN 4 A 400 V TO-220, 3 pines, 4 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 75 W, Tensión Base Máxima del Colector: 700 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 9 V, Número de Elementos por Chip: 1, Dimensiones: 10.67 x 4.83 x 16.51mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: 1 V, MPN: FJP3305H2TU

EUR 0.93

1

onsemi Transistor, FJP3305H2TU, NPN 4 A 400 V TO-220, 3 pines, 4 MHz, Simple

onsemi Transistor, NPN 4 A 400 V TO-220, 3 pines, 4 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 75 W, Tensión Base Máxima del Colector: 700 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 9 V, Número de Elementos por Chip: 1, Dimensiones: 10.67 x 4.83 x 16.51mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: 1 V, MPN: FJP3305H2TU

EUR 0.93

1

onsemi Transistor, FJPF3305H1TU, NPN 4 A 400 V TO-220F, 3 pines, 4 MHz, Simple

onsemi Transistor, NPN 4 A 400 V TO-220F, 3 pines, 4 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 30 W, Tensión Base Máxima del Colector: 700 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 9 V, Número de Elementos por Chip: 1, Dimensiones: 10.16 x 4.7 x 15.87mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: 1 V, MPN: FJPF3305H1TU

EUR 0.87

1

onsemi Transistor, FJPF3305H1TU, NPN 4 A 400 V TO-220F, 3 pines, 4 MHz, Simple

onsemi Transistor, NPN 4 A 400 V TO-220F, 3 pines, 4 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 30 W, Tensión Base Máxima del Colector: 700 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 9 V, Número de Elementos por Chip: 1, Dimensiones: 10.16 x 4.7 x 15.87mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: 1 V, MPN: FJPF3305H1TU

EUR 0.92

1

onsemi Transistor Darlington, 2N6038G, NPN 4 A, 60 V, HFE:100, TO-225AA, 3 pines Simple

onsemi Transistor Darlington, NPN 4 A, 60 V, HFE:100, TO-225AA, 3 pines Simple, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor: 4 V, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: 3 V, Corriente de Corte Máxima del Colector: 100µA, Dimensiones: 11.04 x 7.74 x 2.66mm, MPN: 2N6038G

EUR 0.23

1

onsemi Transistor Darlington, 2N6038G, NPN 4 A, 60 V, HFE:100, TO-225AA, 3 pines Simple

onsemi Transistor Darlington, NPN 4 A, 60 V, HFE:100, TO-225AA, 3 pines Simple, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor: 4 V, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: 3 V, Corriente de Corte Máxima del Colector: 100µA, Dimensiones: 11.04 x 7.74 x 2.66mm, MPN: 2N6038G

EUR 0.23

1

onsemi Transistor Darlington, 2N6039G, NPN 4 A, 80 V, HFE:100, TO-225AA, 3 pines Simple

onsemi Transistor Darlington, NPN 4 A, 80 V, HFE:100, TO-225AA, 3 pines Simple, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor: 4 V, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: 3 V, Corriente de Corte Máxima del Colector: 100µA, Dimensiones: 11.04 x 7.74 x 2.66mm, MPN: 2N6039G

EUR 0.36

1

onsemi Transistor Darlington, 2N6039G, NPN 4 A, 80 V, HFE:100, TO-225AA, 3 pines Simple

onsemi Transistor Darlington, NPN 4 A, 80 V, HFE:100, TO-225AA, 3 pines Simple, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor: 4 V, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: 3 V, Corriente de Corte Máxima del Colector: 100µA, Dimensiones: 11.04 x 7.74 x 2.66mm, MPN: 2N6039G

EUR 0.56

1

onsemi Transistor Darlington, 2N6038G, NPN 4 A, 60 V, HFE:100, TO-225AA, 3 pines Simple

onsemi Transistor Darlington, NPN 4 A, 60 V, HFE:100, TO-225AA, 3 pines Simple, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor: 4 V, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: 3 V, Corriente de Corte Máxima del Colector: 100µA, Dimensiones: 11.04 x 7.74 x 2.66mm, MPN: 2N6038G

EUR 0.23

1

onsemi Transistor Darlington, 2N6039G, NPN 4 A, 80 V, HFE:100, TO-225AA, 3 pines Simple

onsemi Transistor Darlington, NPN 4 A, 80 V, HFE:100, TO-225AA, 3 pines Simple, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor: 4 V, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: 3 V, Corriente de Corte Máxima del Colector: 100µA, Dimensiones: 11.04 x 7.74 x 2.66mm, MPN: 2N6039G

EUR 0.68

1

onsemi Transistor Darlington, MJD117G, PNP 4 A, 100 V, HFE:200, DPAK (TO-252), 3 pines Simple

onsemi Transistor Darlington, MJD117G, PNP 4 A, 100 V, HFE:200, DPAK (TO-252), 3 pines Simple, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor: 4 V, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: 3 V, Corriente de Corte Máxima del Colector: 0.02mA, Dimensiones: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, MPN: MJD117T4G

EUR 0.83

1

onsemi Transistor Darlington, MJD112T4G, NPN 4 A, 100 V, HFE:200, DPAK (TO-252), 3 pines Simple

onsemi Transistor Darlington, NPN 4 A, 100 V, HFE:200, DPAK (TO-252), 3 pines Simple, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor: 4 V, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: 3 V, Corriente de Corte Máxima del Colector: 0.02mA, Dimensiones: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, MPN: MJD112T4G

EUR 0.60

1

onsemi Transistor Darlington, MJD112T4G, NPN 4 A, 100 V, HFE:200, DPAK (TO-252), 3 pines Simple

onsemi Transistor Darlington, NPN 4 A, 100 V, HFE:200, DPAK (TO-252), 3 pines Simple, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor: 4 V, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: 3 V, Corriente de Corte Máxima del Colector: 0.02mA, Dimensiones: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, MPN: MJD112T4G

EUR 0.60

1

onsemi Transistor Darlington, MJD112TG, NPN 4 A, 100 V, HFE:200, DPAK (TO-252), 3 pines Simple

onsemi Transistor Darlington, MJD112TG, NPN 4 A, 100 V, HFE:200, DPAK (TO-252), 3 pines Simple, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor: 4 V, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: 3 V, Corriente de Corte Máxima del Colector: 0.02mA, Dimensiones: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, MPN: MJD112T4G

EUR 0.28

1

onsemi Transistor Darlington, MJD117G, PNP 4 A, 100 V, HFE:200, DPAK (TO-252), 3 pines Simple

onsemi Transistor Darlington, MJD117G, PNP 4 A, 100 V, HFE:200, DPAK (TO-252), 3 pines Simple, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor: 4 V, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: 3 V, Corriente de Corte Máxima del Colector: 0.02mA, Dimensiones: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, MPN: MJD117T4G

EUR 0.32

1

onsemi AEC-Q101 Búfer, MC74HCT125ADG, HCT, 4 bits 3-State, No Inversión SOIC 14 pines

onsemi AEC-Q101 Búfer, HCT, 4 bits 3-State, No Inversión SOIC 14 pines, Tipo de CI: Buffer & Line Driver, Tipo de Entrada: LS-TTL, Tipo de Salida: 3 estados, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Corriente Máxima de Salida de Alto Nivel: 6mA, Tipo de Retardo de Propagación Máxima @ CL Máximo: 36 ns @ 50 pF, Dimensiones: 8.75 x 4 x 1.5mm, Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento: 6 V, MPN: MC74HCT125ADG

EUR 0.51

1

onsemi AEC-Q101 Búfer, MC74HCT125ADG, HCT, 4 bits 3-State, No Inversión SOIC 14 pines

onsemi AEC-Q101 Búfer, HCT, 4 bits 3-State, No Inversión SOIC 14 pines, Tipo de CI: Buffer & Line Driver, Tipo de Entrada: LS-TTL, Tipo de Salida: 3 estados, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Corriente Máxima de Salida de Alto Nivel: 6mA, Tipo de Retardo de Propagación Máxima @ CL Máximo: 36 ns @ 50 pF, Dimensiones: 8.75 x 4 x 1.5mm, Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento: 6 V, MPN: MC74HCT125ADG

EUR 0.51

1

onsemi Búfer, MM74HC125MTC, 74HC, 4 bits 3-State, No Inversión TSSOP 14 pines

onsemi Búfer, MM74HC125MTC, 74HC, 4 bits 3-State, No Inversión TSSOP 14 pines, Tipo de Entrada: Schottky, Tipo de Salida: 3 estados, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Corriente Máxima de Salida de Alto Nivel: 7.8mA, Tipo de Retardo de Propagación Máxima @ CL Máximo: 163ns, Dimensiones: 5 x 4.4 x 0.9mm, Longitud: 5mm, MPN: MM74HC125MTCX

EUR 0.23

1

onsemi Transistor, BD437G, NPN 4 A 45 V dc TO-225, 3 pines, 1 MHz, Simple

onsemi Transistor, NPN 4 A 45 V dc TO-225, 3 pines, 1 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 36 W, Dimensiones: 7.8 x 3 x 11.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: BD437G

EUR 0.75

1

onsemi Transistor, 2N5191G, NPN 4 A 60 V dc TO-225, 3 pines, 1 MHz, Simple

onsemi Transistor, NPN 4 A 60 V dc TO-225, 3 pines, 1 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 40 W, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V dc, Dimensiones: 7.8 x 3 x 11.1mm, MPN: 2N5191G

EUR 0.55

1

onsemi Transistor, BD437G, NPN 4 A 45 V dc TO-225, 3 pines, 1 MHz, Simple

onsemi Transistor, NPN 4 A 45 V dc TO-225, 3 pines, 1 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 36 W, Ganancia Mínima de Corriente DC: 30, Dimensiones: 7.8 x 3 x 11.1mm, MPN: BD437G

EUR 0.52

1

onsemi Transistor, BD437G, NPN 4 A 45 V dc TO-225, 3 pines, 1 MHz, Simple

onsemi Transistor, NPN 4 A 45 V dc TO-225, 3 pines, 1 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 36 W, Dimensiones: 7.8 x 3 x 11.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: BD437G

EUR 0.45

1

onsemi Búfer, 74LCX125M, LCX, 4 bits 3-State, No Inversión SOIC 14 pines

onsemi Búfer, 74LCX125M, LCX, 4 bits 3-State, No Inversión SOIC 14 pines, Tipo de Salida: 3 estados, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Corriente Máxima de Salida de Alto Nivel: -24mA, Tipo de Retardo de Propagación Máxima @ CL Máximo: 6.5ns, Dimensiones: 5 x 4.4 x 0.9mm, Longitud: 5mm, Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento: 3,6 V, MPN: 74LCX125MX

EUR 0.41

1

onsemi Comparador LM2901VDR2G CMOS, TTL 1.3μs 4-Canales, 3 → 36 V 14-Pines SOIC

onsemi Comparador LM2901VDR2G CMOS, TTL 1.3μs 4-Canales, 3 → 36 V 14-Pines SOIC, Tipo de Comparador: Uso General, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tipo de Fuente de Alimentación: Doble, Unico, Tiempo de Respuesta Típica: 1.3µs, Dimensiones: 8.75 x 4 x 1.5mm, Longitud: 8.75mm, Ancho: 4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +125 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C

EUR 0.26

1

DIGITAL MARKETING

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

onsemi AEC-Q101 Búfer, MC74HCT125ADG, HCT, 4 bits 3-State, No Inversión SOIC 14 pines

onsemi Transistor, FJP3305H2TU, NPN 4 A 400 V TO-220, 3 pines, 4 MHz, Simple

onsemi Transistor, FJP3305H2TU, NPN 4 A 400 V TO-220, 3 pines, 4 MHz, Simple

onsemi Transistor, FJPF3305H1TU, NPN 4 A 400 V TO-220F, 3 pines, 4 MHz, Simple

onsemi Transistor, FJPF3305H1TU, NPN 4 A 400 V TO-220F, 3 pines, 4 MHz, Simple

onsemi Transistor Darlington, 2N6038G, NPN 4 A, 60 V, HFE:100, TO-225AA, 3 pines Simple

onsemi Transistor Darlington, 2N6038G, NPN 4 A, 60 V, HFE:100, TO-225AA, 3 pines Simple

onsemi Transistor Darlington, 2N6039G, NPN 4 A, 80 V, HFE:100, TO-225AA, 3 pines Simple

onsemi Transistor Darlington, 2N6039G, NPN 4 A, 80 V, HFE:100, TO-225AA, 3 pines Simple

onsemi Transistor Darlington, 2N6038G, NPN 4 A, 60 V, HFE:100, TO-225AA, 3 pines Simple

onsemi Transistor Darlington, 2N6039G, NPN 4 A, 80 V, HFE:100, TO-225AA, 3 pines Simple

onsemi Transistor Darlington, MJD117G, PNP 4 A, 100 V, HFE:200, DPAK (TO-252), 3 pines Simple

onsemi Transistor Darlington, MJD112T4G, NPN 4 A, 100 V, HFE:200, DPAK (TO-252), 3 pines Simple

onsemi Transistor Darlington, MJD112T4G, NPN 4 A, 100 V, HFE:200, DPAK (TO-252), 3 pines Simple

onsemi Transistor Darlington, MJD112TG, NPN 4 A, 100 V, HFE:200, DPAK (TO-252), 3 pines Simple

onsemi Transistor Darlington, MJD117G, PNP 4 A, 100 V, HFE:200, DPAK (TO-252), 3 pines Simple

onsemi AEC-Q101 Búfer, MC74HCT125ADG, HCT, 4 bits 3-State, No Inversión SOIC 14 pines

onsemi AEC-Q101 Búfer, MC74HCT125ADG, HCT, 4 bits 3-State, No Inversión SOIC 14 pines

onsemi Búfer, MM74HC125MTC, 74HC, 4 bits 3-State, No Inversión TSSOP 14 pines

onsemi Transistor, BD437G, NPN 4 A 45 V dc TO-225, 3 pines, 1 MHz, Simple

onsemi Transistor, 2N5191G, NPN 4 A 60 V dc TO-225, 3 pines, 1 MHz, Simple

onsemi Transistor, BD437G, NPN 4 A 45 V dc TO-225, 3 pines, 1 MHz, Simple

onsemi Transistor, BD437G, NPN 4 A 45 V dc TO-225, 3 pines, 1 MHz, Simple

onsemi Búfer, 74LCX125M, LCX, 4 bits 3-State, No Inversión SOIC 14 pines

onsemi Comparador LM2901VDR2G CMOS, TTL 1.3μs 4-Canales, 3 → 36 V 14-Pines SOIC

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