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Vishay Inductance traversante, 1 μH, 110A, 0.62mΩ, ±10%, Séries IPLA 32

Vishay Inductance traversante, 1 μH, 110A, 0.62mΩ, ±10%, Séries IPLA 32, Type de montage: Montage sur châssis, Longueur: 31mm, Profondeur: 43mm, Hauteur: 22.2mm, Dimensions: 31 x 43 x 22.2mm, Pas entre broches: 18mm, Diamètre de broche: 9mm, Température d'utilisation maximum: +125°C, Température d'utilisation minimum: -55°C, Type de terminaison: Fil, MPN: IPLA32L1R0KD

EUR 13.70

1

Vishay Inductance traversante, 3 μH, 70A, 0.62mΩ, ±10%, Séries IPLA 32

Vishay Inductance traversante, 3 μH, 70A, 0.62mΩ, ±10%, Séries IPLA 32, Type de montage: Montage sur châssis, Longueur: 31mm, Profondeur: 43mm, Hauteur: 22.2mm, Dimensions: 31 x 43 x 22.2mm, Pas entre broches: 18mm, Diamètre de broche: 9mm, Température d'utilisation maximum: +125°C, Température d'utilisation minimum: -55°C, Type de terminaison: Fil, MPN: IPLA32L3R0KD

EUR 17.56

1

Vishay Inductance traversante, 3 μH, 70A, 0.62mΩ, ±10%, Séries IPLA 32

Vishay Inductance traversante, 3 μH, 70A, 0.62mΩ, ±10%, Séries IPLA 32, Type de montage: Montage sur châssis, Longueur: 31mm, Profondeur: 43mm, Hauteur: 22.2mm, Dimensions: 31 x 43 x 22.2mm, Pas entre broches: 18mm, Diamètre de broche: 9mm, Température d'utilisation maximum: +125°C, Température d'utilisation minimum: -55°C, Type de terminaison: Fil, MPN: IPLA32L3R0KD

EUR 18.99

1

Vishay Inductance traversante, 1 μH, 110A, 0.62mΩ, ±10%, Séries IPLA 32

Vishay Inductance traversante, 1 μH, 110A, 0.62mΩ, ±10%, Séries IPLA 32, Type de montage: Montage sur châssis, Longueur: 31mm, Profondeur: 43mm, Hauteur: 22.2mm, Dimensions: 31 x 43 x 22.2mm, Pas entre broches: 18mm, Diamètre de broche: 9mm, Température d'utilisation maximum: +125°C, Température d'utilisation minimum: -55°C, Type de terminaison: Fil, MPN: IPLA32L1R0KD

EUR 13.78

1

Vishay Motor Driver Traversant 2.5A Double 8 broches

Vishay Motor Driver Traversant 2.5A Double 8 broches, Tension maximale d'alimentation: 32 V, Type de boîtier: DIP, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 15 V, Fréquence de découpage typique: 1MHz, Isolation maximum: 5300Vrms, Dimensions: 9.77 x 6.64 x 3.55mm, Longueur: 9.77mm, Température d'utilisation maximum: +110 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, MPN: VO3120

EUR 1.79

3

Vishay Motor Driver Traversant 2.5A Double 8 broches

Vishay Motor Driver Traversant 2.5A Double 8 broches, Tension maximale d'alimentation: 32 V, Type de boîtier: DIP, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 15 V, Fréquence de découpage typique: 1MHz, Isolation maximum: 5300Vrms, Dimensions: 9.77 x 6.64 x 3.55mm, Longueur: 9.77mm, Température d'utilisation maximum: +110 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, MPN: VO3120

EUR 1.49

3

Vishay Controlador de motor, Doble VO3120, 1MHZ DIP 2.5A 32 V

Vishay Controlador de motor, Doble VO3120, 1MHZ DIP 2.5A 32 V, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Conteo de Pines: 8, Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima: 15 V, Aislamiento Nominal Máximo: 5300Vrms, Dimensiones: 9.77 x 6.64 x 3.55mm, Longitud: 9.77mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +110 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C

EUR 1.52

1

Vishay Condensatore serie 021 ASM 220μF ±20%, 63V cc, +85°C, Su foro

Vishay Condensatore serie 021 ASM 220μF ±20%, 63V cc, +85°C, Su foro, Capacità: 220µF, Tecnologia: Elettrolitico, Dimensioni: 10 (Dia.) x 30mm, Temperatura operativa minima: -40°C, Diametro: 10mm, Durata: 8000h, Resistenza serie equivalente: 614mΩ, Corrente di perdita: 32 μA, Corrente di ripple: 480mA, MPN: MAL202118221E3

EUR 3.06

1

Vishay Condensatore serie 021 ASM 220μF ±20%, 63V cc, +85°C, Su foro

Vishay Condensatore serie 021 ASM 220μF ±20%, 63V cc, +85°C, Su foro, Capacità: 220µF, Tecnologia: Elettrolitico, Dimensioni: 10 (Dia.) x 30mm, Temperatura operativa minima: -40°C, Diametro: 10mm, Durata: 8000h, Resistenza serie equivalente: 614mΩ, Corrente di perdita: 32 μA, Corrente di ripple: 480mA, MPN: MAL202118221E3

EUR 3.25

1

Vishay MOSFET, canale N, 0.08 Ω, 32 A, PowerPAK, Montaggio superficiale

Vishay MOSFET, canale N, 0.08 Ω, 32 A, PowerPAK, Montaggio superficiale, MPN: SiHH080N60E-T1-GE3

EUR 3.88

1

Vishay MOSFET canal N,, PowerPAK 32 A 650 V, 4 broches

Vishay MOSFET canal N,, PowerPAK 32 A 650 V, 4 broches, MPN: SiHH080N60E-T1-GE3

EUR 3.88

1

Vishay Condensador electrolítico de aluminio MAL202118221E3, 220μF, ±20%, 63V dc, Orificio Pasante, 614mΩ +85°C

Vishay Condensador electrolítico de aluminio MAL202118221E3, 220μF, ±20%, 63V dc, Orificio Pasante, 614mΩ +85°C, Capacitancia: 220µF, Dimensiones: 10 (Dia.) x 30mm, Diámetro: 10mm, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -40°C, Serie: 021 ASM, Diámetro del Pin: 0.8mm, Corriente de Pérdida: 32 μA, Vida Útil: 8000h, Corriente de Rizado: 480mA

EUR 3.25

1

Vishay Condensador electrolítico de aluminio MAL202118221E3, 220μF, ±20%, 63V dc, Orificio Pasante, 614mΩ +85°C

Vishay Condensador electrolítico de aluminio MAL202118221E3, 220μF, ±20%, 63V dc, Orificio Pasante, 614mΩ +85°C, Capacitancia: 220µF, Dimensiones: 10 (Dia.) x 30mm, Diámetro: 10mm, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -40°C, Serie: 021 ASM, Diámetro del Pin: 0.8mm, Corriente de Pérdida: 32 μA, Vida Útil: 8000h, Corriente de Rizado: 480mA

EUR 3.06

1

Vishay CAPACITOR, SOLID-ELECTROLYTE; 15 uF; 25 WVDC @ DEGC; 32 V; + 10%; X; -55DEG

Vishay CAPACITOR, SOLID-ELECTROLYTE; 15 uF; 25 WVDC @ DEGC; 32 V; + 10%; X; -55DEG, MPN: 173D156X9025XE3

EUR 1.42

1

Vishay CAPACITOR, SOLID-ELECTROLYTE; 15 uF; 25 WVDC @ DEGC; 32 V; + 10%; X; -55DEG

Vishay CAPACITOR, SOLID-ELECTROLYTE; 15 uF; 25 WVDC @ DEGC; 32 V; + 10%; X; -55DEG, MPN: 173D156X9025XE3

EUR 1.42

1

Vishay MOSFET, canale N, 32 mΩ, 30 A, PowerPAK 1212, Montaggio superficiale

Vishay MOSFET, canale N, 32 mΩ, 30 A, PowerPAK 1212, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 80 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1.5V, Dissipazione di potenza massima: 52 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 3.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: SIS468DN-T1-GE3

EUR 0.72

1

Vishay MOSFET, canale N, 32 mΩ, 30 A, PowerPAK 1212, Montaggio superficiale

Vishay MOSFET, canale N, 32 mΩ, 30 A, PowerPAK 1212, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 80 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1.5V, Dissipazione di potenza massima: 52 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 3.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: SIS468DN-T1-GE3

EUR 1.43

1

Vishay MOSFET, canale N, 8,5 mΩ, 32 A, PowerPAK SO-8L, Montaggio superficiale

Vishay MOSFET, canale N, 8,5 mΩ, 32 A, PowerPAK SO-8L, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1.5V, Dissipazione di potenza massima: 83 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: SQJ412EP-T1_GE3

EUR 1.15

1

Vishay MOSFET, canale N, 8,5 mΩ, 32 A, PowerPAK SO-8L, Montaggio superficiale

Vishay MOSFET, canale N, 8,5 mΩ, 32 A, PowerPAK SO-8L, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1.5V, Dissipazione di potenza massima: 83 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: SQJ412EP-T1_GE3

EUR 2.40

1

Vishay MOSFET canal N,, PowerPAK SO-8L 32 A 40 V, 5 broches

Vishay MOSFET canal N,, PowerPAK SO-8L 32 A 40 V, 5 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 8,5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1.5V, Dissipation de puissance maximum: 83 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: SQJ412EP-T1_GE3

EUR 1.15

1

Vishay MOSFET canal N,, PowerPAK SO-8L 32 A 40 V, 5 broches

Vishay MOSFET canal N,, PowerPAK SO-8L 32 A 40 V, 5 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 8,5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1.5V, Dissipation de puissance maximum: 83 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: SQJ412EP-T1_GE3

EUR 2.40

1

Vishay Condensatore al tantalio, 1μF, 10V cc, serie TP8, ±20%, +125°C, package M

Vishay Condensatore al tantalio, 1μF, 10V cc, serie TP8, ±20%, +125°C, package M, Tecnologia: MnO2, Capacità: 1µF, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Resistenza serie equivalente: 12Ω, Passo: 0.6mm, Lunghezza: 1.6mm, Profondità: 0.85mm, Altezza: 0.9mm, Dimensioni: 1.6 x 0.85 x 0.9mm, Elettrolita: Solido, MPN: TP8M105M010C

EUR 0.55

1

Vishay Condensatore al tantalio, 1μF, 10V cc, serie TP8, ±20%, +125°C, package M

Vishay Condensatore al tantalio, 1μF, 10V cc, serie TP8, ±20%, +125°C, package M, Tecnologia: MnO2, Capacità: 1µF, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Resistenza serie equivalente: 12Ω, Passo: 0.6mm, Lunghezza: 1.6mm, Profondità: 0.85mm, Altezza: 0.9mm, Dimensioni: 1.6 x 0.85 x 0.9mm, Elettrolita: Solido, MPN: TP8M105M010C

EUR 0.28

1

Vishay Condensatore al tantalio, 10μF, 6.3V cc, serie 298D, ±20%, +125°C, package M

Vishay Condensatore al tantalio, 10μF, 6.3V cc, serie 298D, ±20%, +125°C, package M, Tecnologia: MnO2, Capacità: 10µF, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Resistenza serie equivalente: 5Ω, Passo: 0.6mm, Lunghezza: 1.6mm, Profondità: 0.85mm, Altezza: 0.9mm, Dimensioni: 1.6 x 0.85 x 0.9mm, Elettrolita: Solido, MPN: 298D106X06R3M2T

EUR 0.40

1

Vishay Condensatore al tantalio, 10μF, 6.3V cc, serie TP8, ±20%, +125°C, package M

Vishay Condensatore al tantalio, 10μF, 6.3V cc, serie TP8, ±20%, +125°C, package M, Tecnologia: MnO2, Capacità: 10µF, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Resistenza serie equivalente: 5Ω, Passo: 0.6mm, Lunghezza: 1.6mm, Profondità: 0.85mm, Altezza: 0.9mm, Dimensioni: 1.6 x 0.85 x 0.9mm, Elettrolita: Solido, MPN: TP8M106M6R3C

EUR 0.22

1

DIGITAL MARKETING

Marque

Couleur

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Vishay Inductance traversante, 1 μH, 110A, 0.62mΩ, ±10%, Séries IPLA 32

Vishay Inductance traversante, 3 μH, 70A, 0.62mΩ, ±10%, Séries IPLA 32

Vishay Inductance traversante, 3 μH, 70A, 0.62mΩ, ±10%, Séries IPLA 32

Vishay Inductance traversante, 1 μH, 110A, 0.62mΩ, ±10%, Séries IPLA 32

Vishay Motor Driver Traversant 2.5A Double 8 broches

Vishay Motor Driver Traversant 2.5A Double 8 broches

Vishay Controlador de motor, Doble VO3120, 1MHZ DIP 2.5A 32 V

Vishay Condensatore serie 021 ASM 220μF ±20%, 63V cc, +85°C, Su foro

Vishay Condensatore serie 021 ASM 220μF ±20%, 63V cc, +85°C, Su foro

Vishay MOSFET, canale N, 0.08 Ω, 32 A, PowerPAK, Montaggio superficiale

Vishay MOSFET canal N,, PowerPAK 32 A 650 V, 4 broches

Vishay Condensador electrolítico de aluminio MAL202118221E3, 220μF, ±20%, 63V dc, Orificio Pasante, 614mΩ +85°C

Vishay Condensador electrolítico de aluminio MAL202118221E3, 220μF, ±20%, 63V dc, Orificio Pasante, 614mΩ +85°C

Vishay CAPACITOR, SOLID-ELECTROLYTE; 15 uF; 25 WVDC @ DEGC; 32 V; + 10%; X; -55DEG

Vishay CAPACITOR, SOLID-ELECTROLYTE; 15 uF; 25 WVDC @ DEGC; 32 V; + 10%; X; -55DEG

Vishay MOSFET, canale N, 32 mΩ, 30 A, PowerPAK 1212, Montaggio superficiale

Vishay MOSFET, canale N, 32 mΩ, 30 A, PowerPAK 1212, Montaggio superficiale

Vishay MOSFET, canale N, 8,5 mΩ, 32 A, PowerPAK SO-8L, Montaggio superficiale

Vishay MOSFET, canale N, 8,5 mΩ, 32 A, PowerPAK SO-8L, Montaggio superficiale

Vishay MOSFET canal N,, PowerPAK SO-8L 32 A 40 V, 5 broches

Vishay MOSFET canal N,, PowerPAK SO-8L 32 A 40 V, 5 broches

Vishay Condensatore al tantalio, 1μF, 10V cc, serie TP8, ±20%, +125°C, package M

Vishay Condensatore al tantalio, 1μF, 10V cc, serie TP8, ±20%, +125°C, package M

Vishay Condensatore al tantalio, 10μF, 6.3V cc, serie 298D, ±20%, +125°C, package M

Vishay Condensatore al tantalio, 10μF, 6.3V cc, serie TP8, ±20%, +125°C, package M

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