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Vishay Condensatore serie 021 ASM 220μF ±20%, 63V cc, +85°C, Su foro

Vishay Condensatore serie 021 ASM 220μF ±20%, 63V cc, +85°C, Su foro, Capacità: 220µF, Tecnologia: Elettrolitico, Dimensioni: 10 (Dia.) x 30mm, Temperatura operativa minima: -40°C, Diametro: 10mm, Durata: 8000h, Resistenza serie equivalente: 614mΩ, Corrente di perdita: 32 μA, Corrente di ripple: 480mA, MPN: MAL202118221E3

EUR 3.25

1

Vishay Condensatore serie 021 ASM 220μF ±20%, 63V cc, +85°C, Su foro

Vishay Condensatore serie 021 ASM 220μF ±20%, 63V cc, +85°C, Su foro, Capacità: 220µF, Tecnologia: Elettrolitico, Dimensioni: 10 (Dia.) x 30mm, Temperatura operativa minima: -40°C, Diametro: 10mm, Durata: 8000h, Resistenza serie equivalente: 614mΩ, Corrente di perdita: 32 μA, Corrente di ripple: 480mA, MPN: MAL202118221E3

EUR 3.06

1

Vishay MOSFET, canale N, 0.08 Ω, 32 A, PowerPAK, Montaggio superficiale

Vishay MOSFET, canale N, 0.08 Ω, 32 A, PowerPAK, Montaggio superficiale, MPN: SiHH080N60E-T1-GE3

EUR 3.88

1

Vishay CAPACITOR, SOLID-ELECTROLYTE; 15 uF; 25 WVDC @ DEGC; 32 V; + 10%; X; -55DEG

Vishay CAPACITOR, SOLID-ELECTROLYTE; 15 uF; 25 WVDC @ DEGC; 32 V; + 10%; X; -55DEG, MPN: 173D156X9025XE3

EUR 1.42

1

Vishay MOSFET, canale N, 32 mΩ, 30 A, PowerPAK 1212, Montaggio superficiale

Vishay MOSFET, canale N, 32 mΩ, 30 A, PowerPAK 1212, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 80 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1.5V, Dissipazione di potenza massima: 52 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 3.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: SIS468DN-T1-GE3

EUR 0.72

1

Vishay MOSFET, canale N, 32 mΩ, 30 A, PowerPAK 1212, Montaggio superficiale

Vishay MOSFET, canale N, 32 mΩ, 30 A, PowerPAK 1212, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 80 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1.5V, Dissipazione di potenza massima: 52 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 3.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: SIS468DN-T1-GE3

EUR 1.43

1

Vishay MOSFET, canale N, 8,5 mΩ, 32 A, PowerPAK SO-8L, Montaggio superficiale

Vishay MOSFET, canale N, 8,5 mΩ, 32 A, PowerPAK SO-8L, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1.5V, Dissipazione di potenza massima: 83 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: SQJ412EP-T1_GE3

EUR 2.40

1

Vishay MOSFET, canale N, 8,5 mΩ, 32 A, PowerPAK SO-8L, Montaggio superficiale

Vishay MOSFET, canale N, 8,5 mΩ, 32 A, PowerPAK SO-8L, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1.5V, Dissipazione di potenza massima: 83 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: SQJ412EP-T1_GE3

EUR 1.15

1

Vishay Condensatore al tantalio, 1μF, 10V cc, serie TP8, ±20%, +125°C, package M

Vishay Condensatore al tantalio, 1μF, 10V cc, serie TP8, ±20%, +125°C, package M, Tecnologia: MnO2, Capacità: 1µF, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Resistenza serie equivalente: 12Ω, Passo: 0.6mm, Lunghezza: 1.6mm, Profondità: 0.85mm, Altezza: 0.9mm, Dimensioni: 1.6 x 0.85 x 0.9mm, Elettrolita: Solido, MPN: TP8M105M010C

EUR 0.28

1

Vishay Condensatore al tantalio, 10μF, 6.3V cc, serie 298D, ±20%, +125°C, package M

Vishay Condensatore al tantalio, 10μF, 6.3V cc, serie 298D, ±20%, +125°C, package M, Tecnologia: MnO2, Capacità: 10µF, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Resistenza serie equivalente: 5Ω, Passo: 0.6mm, Lunghezza: 1.6mm, Profondità: 0.85mm, Altezza: 0.9mm, Dimensioni: 1.6 x 0.85 x 0.9mm, Elettrolita: Solido, MPN: 298D106X06R3M2T

EUR 0.40

1

Vishay Condensatore al tantalio, 1μF, 10V cc, serie TP8, ±20%, +125°C, package M

Vishay Condensatore al tantalio, 1μF, 10V cc, serie TP8, ±20%, +125°C, package M, Tecnologia: MnO2, Capacità: 1µF, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Resistenza serie equivalente: 12Ω, Passo: 0.6mm, Lunghezza: 1.6mm, Profondità: 0.85mm, Altezza: 0.9mm, Dimensioni: 1.6 x 0.85 x 0.9mm, Elettrolita: Solido, MPN: TP8M105M010C

EUR 0.55

1

Vishay Condensatore al tantalio, 10μF, 6.3V cc, serie TP8, ±20%, +125°C, package M

Vishay Condensatore al tantalio, 10μF, 6.3V cc, serie TP8, ±20%, +125°C, package M, Tecnologia: MnO2, Capacità: 10µF, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Resistenza serie equivalente: 5Ω, Passo: 0.6mm, Lunghezza: 1.6mm, Profondità: 0.85mm, Altezza: 0.9mm, Dimensioni: 1.6 x 0.85 x 0.9mm, Elettrolita: Solido, MPN: TP8M106M6R3C

EUR 0.22

1

Vishay Condensatore al tantalio, 4.7μF, 6.3V cc, serie 298D, ±20%, +125°C, package M

Vishay Condensatore al tantalio, 4.7μF, 6.3V cc, serie 298D, ±20%, +125°C, package M, Tecnologia: MnO2, Capacità: 4.7µF, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Resistenza serie equivalente: 3Ω, Passo: 0.6mm, Lunghezza: 1.6mm, Profondità: 0.85mm, Altezza: 0.9mm, Dimensioni: 1.6 x 0.85 x 0.9mm, Elettrolita: Solido, MPN: 298D475X06R3M2T

EUR 0.34

1

Vishay MOSFET, canale N, 0.08 Ω, 32 A, PowerPAK, Montaggio superficiale

Vishay MOSFET, canale N, 0.08 Ω, 32 A, PowerPAK, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Serie: E Series, MPN: SiHH080N60E-T1-GE3

EUR 4.58

1

Vishay MOSFET, canale N, 0.08 Ω, 32 A, PowerPAK, Montaggio superficiale

Vishay MOSFET, canale N, 0.08 Ω, 32 A, PowerPAK, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Serie: E Series, MPN: SiHH080N60E-T1-GE3

EUR 2.25

1

Vishay Condensatore al tantalio, 33μF, 6.3V cc, serie TR8, ±20%, +125 (With Derating)°C, package M

Vishay Condensatore al tantalio, 33μF, 6.3V cc, serie TR8, ±20%, +125 (With Derating)°C, package M, Tecnologia: MnO2, Capacità: 33µF, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Resistenza serie equivalente: 1.5Ω, Lunghezza: 1.6mm, Profondità: 0.85mm, Altezza: 0.9mm, Dimensioni: 1.6 x 0.85 x 0.9mm, Elettrolita: Solido, Corrente di perdita: 4,2 μA, MPN: TR8M336M6R3C1500

EUR 2.11

1

Vishay Condensatore al tantalio, 10μF, 10V cc, serie TR8, ±20%, +125 (With Derating)°C, package M

Vishay Condensatore al tantalio, 10μF, 10V cc, serie TR8, ±20%, +125 (With Derating)°C, package M, Tecnologia: MnO2, Capacità: 10µF, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Resistenza serie equivalente: 2Ω, Lunghezza: 1.6mm, Profondità: 0.85mm, Altezza: 0.9mm, Dimensioni: 1.6 x 0.85 x 0.9mm, Elettrolita: Solido, Corrente di perdita: 1 μA, MPN: TR8M106M010C2000

EUR 2.11

1

Vishay MOSFET, canale N, 32 mΩ, 30 A, PowerPAK 1212, Montaggio superficiale

Vishay MOSFET, canale N, 32 mΩ, 30 A, PowerPAK 1212, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 80 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1.5V, Dissipazione di potenza massima: 52 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 1.12mm, Lunghezza: 3.4mm, MPN: SIS468DN-T1-GE3

EUR 1.19

1

Vishay 595D 33μF ±10%, 16V cc, +125°C, package C

Vishay 595D 33μF ±10%, 16V cc, +125°C, package C, Tecnologia: MnO2, Capacità: 33µF, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Resistenza serie equivalente: 290mΩ, Lunghezza: 7.1mm, Profondità: 3.2mm, Altezza: 2.5mm, Dimensioni: 7.1 x 3.2 x 2.5mm, Elettrolita: Solido, Corrente di perdita: 5,3 μA, MPN: 595D336X9016C2T

EUR 1.02

1

Vishay 595D 22μF ±10%, 20V cc, +125°C, package C

Vishay 595D 22μF ±10%, 20V cc, +125°C, package C, Tecnologia: MnO2, Capacità: 22µF, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Resistenza serie equivalente: 380mΩ, Lunghezza: 7.1mm, Profondità: 3.2mm, Altezza: 2.5mm, Dimensioni: 7.1 x 3.2 x 2.5mm, Elettrolita: Solido, Corrente di perdita: 4,4 μA, MPN: 595D226X9020C2T

EUR 1.16

1

Vishay MOSFET, canale N, 8,5 mΩ, 32 A, PowerPAK SO-8L, Montaggio superficiale

Vishay MOSFET, canale N, 8,5 mΩ, 32 A, PowerPAK SO-8L, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1.5V, Dissipazione di potenza massima: 83 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Standard per uso automobilistico: AEC-Q101, Altezza: 1.14mm, MPN: SQJ412EP-T1_GE3

EUR 2.40

1

Vishay Condensatore al tantalio, 47μF, 16V cc, serie TM3, ±10%, +125°C, package C

Vishay Condensatore al tantalio, 47μF, 16V cc, serie TM3, ±10%, +125°C, package C, Tecnologia: MnO2, Capacità: 47µF, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Resistenza serie equivalente: 1Ω, Lunghezza: 6mm, Profondità: 3.2mm, Altezza: 2.5mm, Dimensioni: 6 x 3.2 x 2.5mm, Elettrolita: Solido, MPN: TM3C476K016HBA

EUR 0.41

1

Vishay Condensatore al tantalio, 330μF, 75V cc, serie T16, ±20%, +85°C, package C

Vishay Condensatore al tantalio, 330μF, 75V cc, serie T16, ±20%, +85°C, package C, Tecnologia: Tantalio umido, Capacità: 330µF, Resistenza serie equivalente: 1Ω, Lunghezza: 9.52mm, Dimensioni: 19.46 x 9.52mm, Elettrolita: Bagnato, Diametro: 19.46mm, Diametro terminale: 0.64mm, Corrente di perdita: 30 μA, MPN: T16C337M075EZSS

EUR 84.83

1

Vishay Condensatore al tantalio, 47μF, 16V cc, serie TM3, ±10%, +125°C, package C

Vishay Condensatore al tantalio, 47μF, 16V cc, serie TM3, ±10%, +125°C, package C, Tecnologia: MnO2, Capacità: 47µF, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Resistenza serie equivalente: 1Ω, Lunghezza: 6mm, Profondità: 3.2mm, Altezza: 2.5mm, Dimensioni: 6 x 3.2 x 2.5mm, Elettrolita: Solido, MPN: TM3C476K016HBA

EUR 0.42

1

Vishay Condensatore al tantalio, 330μF, 75V cc, serie T16, ±20%, +85°C, package C

Vishay Condensatore al tantalio, 330μF, 75V cc, serie T16, ±20%, +85°C, package C, Tecnologia: Tantalio umido, Capacità: 330µF, Resistenza serie equivalente: 1Ω, Lunghezza: 9.52mm, Dimensioni: 19.46 x 9.52mm, Elettrolita: Bagnato, Diametro: 19.46mm, Diametro terminale: 0.64mm, Corrente di perdita: 30 μA, MPN: T16C337M075EZSS

EUR 62.10

1

DIGITAL MARKETING

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Vishay Condensatore serie 021 ASM 220μF ±20%, 63V cc, +85°C, Su foro

Vishay Condensatore serie 021 ASM 220μF ±20%, 63V cc, +85°C, Su foro

Vishay MOSFET, canale N, 0.08 Ω, 32 A, PowerPAK, Montaggio superficiale

Vishay CAPACITOR, SOLID-ELECTROLYTE; 15 uF; 25 WVDC @ DEGC; 32 V; + 10%; X; -55DEG

Vishay MOSFET, canale N, 32 mΩ, 30 A, PowerPAK 1212, Montaggio superficiale

Vishay MOSFET, canale N, 32 mΩ, 30 A, PowerPAK 1212, Montaggio superficiale

Vishay MOSFET, canale N, 8,5 mΩ, 32 A, PowerPAK SO-8L, Montaggio superficiale

Vishay MOSFET, canale N, 8,5 mΩ, 32 A, PowerPAK SO-8L, Montaggio superficiale

Vishay Condensatore al tantalio, 1μF, 10V cc, serie TP8, ±20%, +125°C, package M

Vishay Condensatore al tantalio, 10μF, 6.3V cc, serie 298D, ±20%, +125°C, package M

Vishay Condensatore al tantalio, 1μF, 10V cc, serie TP8, ±20%, +125°C, package M

Vishay Condensatore al tantalio, 10μF, 6.3V cc, serie TP8, ±20%, +125°C, package M

Vishay Condensatore al tantalio, 4.7μF, 6.3V cc, serie 298D, ±20%, +125°C, package M

Vishay MOSFET, canale N, 0.08 Ω, 32 A, PowerPAK, Montaggio superficiale

Vishay MOSFET, canale N, 0.08 Ω, 32 A, PowerPAK, Montaggio superficiale

Vishay Condensatore al tantalio, 33μF, 6.3V cc, serie TR8, ±20%, +125 (With Derating)°C, package M

Vishay Condensatore al tantalio, 10μF, 10V cc, serie TR8, ±20%, +125 (With Derating)°C, package M

Vishay MOSFET, canale N, 32 mΩ, 30 A, PowerPAK 1212, Montaggio superficiale

Vishay 595D 33μF ±10%, 16V cc, +125°C, package C

Vishay 595D 22μF ±10%, 20V cc, +125°C, package C

Vishay MOSFET, canale N, 8,5 mΩ, 32 A, PowerPAK SO-8L, Montaggio superficiale

Vishay Condensatore al tantalio, 47μF, 16V cc, serie TM3, ±10%, +125°C, package C

Vishay Condensatore al tantalio, 330μF, 75V cc, serie T16, ±20%, +85°C, package C

Vishay Condensatore al tantalio, 47μF, 16V cc, serie TM3, ±10%, +125°C, package C

Vishay Condensatore al tantalio, 330μF, 75V cc, serie T16, ±20%, +85°C, package C

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