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STMicroelectronics MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 60 A 60 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 60 A 60 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 60 A 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 14 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 110 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -15 V, +15 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: STB60NF06LT4

EUR 1.71
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 60 A 60 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 60 A 60 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 60 A 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 14 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 110 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -15 V, +15 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: STB60NF06LT4

EUR 0.85
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220 60 A 60 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220 60 A 60 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220 60 A 60 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 14 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 110 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: STP65NF06

EUR 2.42
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 60 A 60 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 60 A 60 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 60 A 60 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 14 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 110 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: STP65NF06

EUR 2.08
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 60 A 60 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 60 A 60 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 60 A 60 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 16 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: STP60NF06

EUR 1.51
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 60 A 60 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 60 A 60 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 60 A 60 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 16 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: STP60NF06

EUR 1.67
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 60 A 60 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 60 A 60 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 60 A 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 16 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 110 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 6.6mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: STD60NF06T4

EUR 0.94
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 60 A 60 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 60 A 60 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 60 A 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 16 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 110 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 6.6mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: STD60NF06T4

EUR 1.88
1

STMicroelectronics MOSFET, STP65NF06, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, TO-220 STripFET II Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STP65NF06, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, TO-220 STripFET II Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, TO-220 STripFET II Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 14 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 110 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 15.75mm, MPN: STP65NF06

EUR 2.19
1

STMicroelectronics MOSFET, STP60NF06L, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, TO-220 STripFET II Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STP60NF06L, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, TO-220 STripFET II Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, TO-220 STripFET II Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 14 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 110 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -15 V, +15 V, Longitud: 10.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: STP60NF06L

EUR 2.10
1

STMicroelectronics MOSFET, STP60NF06L, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, TO-220 STripFET II Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STP60NF06L, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, TO-220 STripFET II Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, TO-220 STripFET II Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 14 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 110 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -15 V, +15 V, Longitud: 10.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: STP60NF06L

EUR 2.46
1