STMicroelectronics MOSFET, canale N, 125 mΩ, 26 A, TO-247, Su foro
STMicroelectronics MOSFET, canale N, 125 mΩ, 26 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 190 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW33N60M2