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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 270 mΩ, 17 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 270 mΩ, 17 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 270 mΩ, 17 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 190 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW20NK50Z

EUR 4.60
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 220 mΩ, 17 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 220 mΩ, 17 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 220 mΩ, 17 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 30 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STF21NM60ND

EUR 1.00
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 295 mΩ, 17 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 295 mΩ, 17 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 295 mΩ, 17 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 800 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 190 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STP18NM80

EUR 7.02
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 295 mΩ, 17 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 295 mΩ, 17 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 295 mΩ, 17 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 800 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 190 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STP18NM80

EUR 6.07
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 190 mΩ, 17 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 190 mΩ, 17 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 190 mΩ, 17 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 125 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STP24NM60N

EUR 3.09
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 220 mΩ, 17 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 220 mΩ, 17 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 220 mΩ, 17 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 30 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STF21NM60ND

EUR 0.98
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 190 mΩ, 17 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 190 mΩ, 17 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 190 mΩ, 17 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 125 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STP24NM60N

EUR 3.40
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 270 mΩ, 17 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 270 mΩ, 17 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 270 mΩ, 17 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 190 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW20NK50Z

EUR 3.92
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 165 mΩ, 17 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 165 mΩ, 17 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 165 mΩ, 17 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 250 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 25 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STF17NF25

EUR 1.24
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 190 mΩ, 17 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 190 mΩ, 17 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 190 mΩ, 17 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 30 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STF24NM60N

EUR 2.87
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 190 mΩ, 17 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 190 mΩ, 17 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 190 mΩ, 17 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 30 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STF24NM60N

EUR 3.38
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 165 mΩ, 17 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 165 mΩ, 17 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 165 mΩ, 17 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 250 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 25 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STF17NF25

EUR 1.37
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