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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 78 mΩ, 35 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 78 mΩ, 35 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 78 mΩ, 35 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 710 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 210 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STB45N65M5

EUR 8.78
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 78 mΩ, 35 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 78 mΩ, 35 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 78 mΩ, 35 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 710 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 210 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STB45N65M5

EUR 5.37
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 35 A 710 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 35 A 710 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 35 A 710 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 78 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STF45N65M5

EUR 6.59
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 35 A 710 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 35 A 710 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 35 A 710 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 78 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 210 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STW45N65M5

EUR 7.99
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 35 A 710 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 35 A 710 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 35 A 710 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 78 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STF45N65M5

EUR 7.65
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 35 A 710 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 35 A 710 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 35 A 710 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 78 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 210 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STP45N65M5

EUR 7.31
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 35 A 710 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 35 A 710 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 35 A 710 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 78 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 210 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STP45N65M5

EUR 8.48
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 35 A 710 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 35 A 710 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 35 A 710 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 78 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 210 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STW45N65M5

EUR 9.27
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 35 A 710 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 35 A 710 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 35 A 710 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 78 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 210 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STB45N65M5

EUR 8.78
1