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STMicroelectronics MOSFET canal N,, Max247 138 A 650 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, Max247 138 A 650 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, Max247 138 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 15 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 625 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Tension directe de la diode: 1.5V, MPN: STY145N65M5

EUR 42.14
1

STMicroelectronics MOSFET, STY139N65M5, N-Canal-Canal, 130 A, 710 V, 3-Pin, Máx. 247 MDmesh M5 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STY139N65M5, N-Canal-Canal, 130 A, 710 V, 3-Pin, Máx. 247 MDmesh M5 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 130 A, 710 V, 3-Pin, Máx. 247 MDmesh M5 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 17 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 625 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Altura: 20.3mm, MPN: STY139N65M5

EUR 31.30
1

STMicroelectronics MOSFET, STY145N65M5, N-Canal-Canal, 138 A, 650 V, 3-Pin, Máx. 247 MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STY145N65M5, N-Canal-Canal, 138 A, 650 V, 3-Pin, Máx. 247 MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 138 A, 650 V, 3-Pin, Máx. 247 MDmesh Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 15 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 625 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Longitud: 15.9mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: STY145N65M5

EUR 45.69
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, Max247 130 A 710 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, Max247 130 A 710 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, Max247 130 A 710 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 17 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 625 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 15.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STY139N65M5

EUR 33.93
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, Max247 138 A 650 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, Max247 138 A 650 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, Max247 138 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 15 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 625 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 15.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STY145N65M5

EUR 45.69
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, Max247 138 A 650 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, Max247 138 A 650 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, Max247 138 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 15 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 625 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 15.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STY145N65M5

EUR 46.52
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, Max247 130 A 710 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, Max247 130 A 710 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, Max247 130 A 710 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 17 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 625 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 15.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STY139N65M5

EUR 29.88
1

STMicroelectronics MOSFET, STY145N65M5, N-Canal-Canal, 138 A, 650 V, 3-Pin, Máx. 247 MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STY145N65M5, N-Canal-Canal, 138 A, 650 V, 3-Pin, Máx. 247 MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 138 A, 650 V, 3-Pin, Máx. 247 MDmesh Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 15 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 625 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Tensión de diodo directa: 1.5V, MPN: STY145N65M5

EUR 42.14
1

STMicroelectronics MOSFET, STY145N65M5, N-Canal-Canal, 138 A, 650 V, 3-Pin, Máx. 247 MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STY145N65M5, N-Canal-Canal, 138 A, 650 V, 3-Pin, Máx. 247 MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 138 A, 650 V, 3-Pin, Máx. 247 MDmesh Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 15 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 625 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Longitud: 15.9mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: STY145N65M5

EUR 46.52
1

STMicroelectronics MOSFET, STY139N65M5, N-Canal-Canal, 130 A, 710 V, 3-Pin, Máx. 247 MDmesh M5 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STY139N65M5, N-Canal-Canal, 130 A, 710 V, 3-Pin, Máx. 247 MDmesh M5 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 130 A, 710 V, 3-Pin, Máx. 247 MDmesh M5 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 17 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 625 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Longitud: 15.9mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: STY139N65M5

EUR 29.88
1

STMicroelectronics MOSFET, STY139N65M5, N-Canal-Canal, 130 A, 710 V, 3-Pin, Máx. 247 MDmesh M5 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STY139N65M5, N-Canal-Canal, 130 A, 710 V, 3-Pin, Máx. 247 MDmesh M5 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 130 A, 710 V, 3-Pin, Máx. 247 MDmesh M5 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 17 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 625 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Longitud: 15.9mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: STY139N65M5

EUR 33.93
1

STMicroelectronics MOSFET, STY112N65M5, N-Canal-Canal, 96 A, 650 V, 3-Pin, Máx. 247 MDmesh M5 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STY112N65M5, N-Canal-Canal, 96 A, 650 V, 3-Pin, Máx. 247 MDmesh M5 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 96 A, 650 V, 3-Pin, Máx. 247 MDmesh M5 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 22 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 625 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Número de Elementos por Chip: 1, Altura: 20.3mm, MPN: STY112N65M5

EUR 26.71
1