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STMicroelectronics IGBT, STGE200NB60S,, 200 A, 600 V, ISOTOP, 4 broches, Simple

STMicroelectronics IGBT,, 200 A, 600 V, ISOTOP, 4 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Type de montage: Montage panneau, Dimensions: 38.2 x 25.5 x 9.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: STGE200NB60S

EUR 27.38

1

STMicroelectronics IGBT, STGE200NB60S,, 200 A, 600 V, ISOTOP, 4 broches, Simple

STMicroelectronics IGBT,, 200 A, 600 V, ISOTOP, 4 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Type de montage: Montage panneau, Dimensions: 38.2 x 25.5 x 9.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: STGE200NB60S

EUR 29.66

1

STMicroelectronics Accéléromètre CMS

STMicroelectronics Accéléromètre CMS, Technologie: Carte adaptateur, MPN: STEVAL-MKI136V1

EUR 20.42

1

STMicroelectronics Accéléromètre CMS

STMicroelectronics Accéléromètre CMS, Technologie: Carte adaptateur, MPN: STEVAL-MKI110V1

EUR 25.51

1

STMicroelectronics IGBT, STGE200NB60S,, 200 A, 600 V, ISOTOP, 4 broches, Simple

STMicroelectronics IGBT,, 200 A, 600 V, ISOTOP, 4 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Type de montage: Montage panneau, Longueur: 38.2mm, Largeur: 25.5mm, Hauteur: 9.1mm, Dimensions: 38.2 x 25.5 x 9.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: STGE200NB60S

EUR 24.61

1

STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 200 A, canale N, ISOTOP

STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 200 A, canale N, ISOTOP, Tensione massima gate emitter: ±20V, Tipo di montaggio: Montaggio a pannello, Numero pin: 4, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 38.2 x 25.5 x 9.1mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: STGE200NB60S

EUR 29.66

1

STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 200 A, canale N, ISOTOP

STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 200 A, canale N, ISOTOP, Tensione massima gate emitter: ±20V, Tipo di montaggio: Montaggio a pannello, Numero pin: 4, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 38.2 x 25.5 x 9.1mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: STGE200NB60S

EUR 27.38

1

STMicroelectronics IGBT, STGE200NB60S, N-Canal, 200 A, 600 V, ISOTOP, 4-Pines Simple

STMicroelectronics IGBT, N-Canal, 200 A, 600 V, ISOTOP, 4-Pines Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Tipo de Montaje: Montaje en panel, Dimensiones: 38.2 x 25.5 x 9.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55 °C, MPN: STGE200NB60S

EUR 27.38

1

STMicroelectronics IGBT, STGE200NB60S, N-Canal, 200 A, 600 V, ISOTOP, 4-Pines Simple

STMicroelectronics IGBT, N-Canal, 200 A, 600 V, ISOTOP, 4-Pines Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Tipo de Montaje: Montaje en panel, Dimensiones: 38.2 x 25.5 x 9.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55 °C, MPN: STGE200NB60S

EUR 29.66

1

STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 200 A, canale N, ISOTOP

STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 200 A, canale N, ISOTOP, Tensione massima gate emitter: ±20V, Tipo di montaggio: Montaggio a pannello, Numero pin: 4, Configurazione transistor: Singolo, Lunghezza: 38.2mm, Larghezza: 25.5mm, Altezza: 9.1mm, Dimensioni: 38.2 x 25.5 x 9.1mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: STGE200NB60S

EUR 24.61

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STMicroelectronics Module de puissance intelligent, STGIPS20K60,, 18 A, 600 V, SDIP, 25 broches

STMicroelectronics Module de puissance intelligent,, 18 A, 600 V, SDIP, 25 broches, Dissipation de puissance maximum: 52 W, Configuration: Triphasé, Type de montage: Traversant, Dimensions: 44.9 x 22.5 x 7.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Largeur: 22.5mm, MPN: STGIPS20K60

EUR 21.49

1

STMicroelectronics Modulo Smart Power, VCE 600 V, IC 18 A, canale N, SDIP

STMicroelectronics Modulo Smart Power, VCE 600 V, IC 18 A, canale N, SDIP, Dissipazione di potenza massima: 52 W, Configurazione: Trifase, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 25, Dimensioni: 44.9 x 22.5 x 7.5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Larghezza: 22.5mm, MPN: STGIPS20K60

EUR 21.49

1

STMicroelectronics IGBT, STGE200NB60S, N-Canal, 200 A, 600 V, ISOTOP, 4-Pines Simple

STMicroelectronics IGBT, N-Canal, 200 A, 600 V, ISOTOP, 4-Pines Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Tipo de Montaje: Montaje en panel, Longitud: 38.2mm, Ancho: 25.5mm, Altura: 9.1mm, Dimensiones: 38.2 x 25.5 x 9.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55 °C, MPN: STGE200NB60S

EUR 24.61

1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, ISOTOP 40 A 600 V, 4 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, ISOTOP 40 A 600 V, 4 broches, Type de montage: Montage panneau, Résistance Drain Source maximum: 130 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 460 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Hauteur: 9.1mm, MPN: STE40NC60

EUR 37.70

1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, ISOTOP 40 A 600 V, 4 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, ISOTOP 40 A 600 V, 4 broches, Type de montage: Montage panneau, Résistance Drain Source maximum: 130 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 460 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 38.2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STE40NC60

EUR 37.65

1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, ISOTOP 40 A 600 V, 4 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, ISOTOP 40 A 600 V, 4 broches, Type de montage: Montage panneau, Résistance Drain Source maximum: 130 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 460 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 38.2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STE40NC60

EUR 40.86

1

STMicroelectronics Módulo de potencia inteligente, STGIPS20K60, N-Canal, 18 A, 600 V, SDIP, 25-Pines

STMicroelectronics Módulo de potencia inteligente, N-Canal, 18 A, 600 V, SDIP, 25-Pines, Disipación de Potencia Máxima: 52 W, Configuración: Trifásico, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 44.9 x 22.5 x 7.5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, Ancho: 22.5mm, MPN: STGIPS20K60

EUR 21.49

1

STMicroelectronics Accéléromètre 3 Axes, CMS SPI LGA-14, 14 broches

STMicroelectronics Accéléromètre 3 Axes, CMS SPI LGA-14, 14 broches, MPN: IIS3DWBTR

EUR 20.30

1

STMicroelectronics MOSFET, STE40NC60, N-Canal-Canal, 40 A, 600 V, 4-Pin, ISOTOP MDmesh, SuperMESH Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 40 A, 600 V, 4-Pin, ISOTOP MDmesh, SuperMESH Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en panel, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 130 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 460000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Altura: 9.1mm, MPN: STE40NC60

EUR 37.70

1

STMicroelectronics Diode CMS, 120A, 400V, ISOTOP

STMicroelectronics Diode CMS, 120A, 400V, ISOTOP, Type de redressement: Recouvrement rapide, Type diode: Jonction au silicium, Chute minimale de tension directe: 1.5V, Temps de recouvrement inverse crête: 80ns, MPN: STTH120R04TV1

EUR 23.06

1

STMicroelectronics Diode CMS, 120A, 400V, ISOTOP

STMicroelectronics Diode CMS, 120A, 400V, ISOTOP, Type de redressement: Recouvrement rapide, Type diode: Jonction au silicium, Chute minimale de tension directe: 1.5V, Temps de recouvrement inverse crête: 80ns, MPN: STTH120R04TV1

EUR 24.99

1

STMicroelectronics MOSFET, STE40NC60, N-Canal-Canal, 40 A, 600 V, 4-Pin, ISOTOP MDmesh, SuperMESH Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 40 A, 600 V, 4-Pin, ISOTOP MDmesh, SuperMESH Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en panel, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 130 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 460000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 38.2mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: STE40NC60

EUR 40.86

1

STMicroelectronics MOSFET, STE40NC60, N-Canal-Canal, 40 A, 600 V, 4-Pin, ISOTOP MDmesh, SuperMESH Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 40 A, 600 V, 4-Pin, ISOTOP MDmesh, SuperMESH Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en panel, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 130 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 460 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 38.2mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: STE40NC60

EUR 37.65

1

STMicroelectronics Accéléromètre 3 Axes, CMS SPI LGA-14, 14 broches

STMicroelectronics Accéléromètre 3 Axes, CMS SPI LGA-14, 14 broches, Type de capteur: Capteur de vibrations numérique, MPN: IIS3DWBTR

EUR 20.84

1

STMicroelectronics Diode CMS, 30A, 1000V, ISOTOP

STMicroelectronics Diode CMS, 30A, 1000V, ISOTOP, Type de redressement: Haute tension, Type diode: Jonction au silicium, Nombre de broches: 4, Chute minimale de tension directe: 2V, Temps de recouvrement inverse crête: 100ns, MPN: STTH6110TV2

EUR 24.04

1

DIGITAL MARKETING

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

STMicroelectronics IGBT, STGE200NB60S,, 200 A, 600 V, ISOTOP, 4 broches, Simple

STMicroelectronics IGBT, STGE200NB60S,, 200 A, 600 V, ISOTOP, 4 broches, Simple

STMicroelectronics Accéléromètre CMS

STMicroelectronics Accéléromètre CMS

STMicroelectronics IGBT, STGE200NB60S,, 200 A, 600 V, ISOTOP, 4 broches, Simple

STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 200 A, canale N, ISOTOP

STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 200 A, canale N, ISOTOP

STMicroelectronics IGBT, STGE200NB60S, N-Canal, 200 A, 600 V, ISOTOP, 4-Pines Simple

STMicroelectronics IGBT, STGE200NB60S, N-Canal, 200 A, 600 V, ISOTOP, 4-Pines Simple

STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 200 A, canale N, ISOTOP

STMicroelectronics Module de puissance intelligent, STGIPS20K60,, 18 A, 600 V, SDIP, 25 broches

STMicroelectronics Modulo Smart Power, VCE 600 V, IC 18 A, canale N, SDIP

STMicroelectronics IGBT, STGE200NB60S, N-Canal, 200 A, 600 V, ISOTOP, 4-Pines Simple

STMicroelectronics MOSFET canal N,, ISOTOP 40 A 600 V, 4 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, ISOTOP 40 A 600 V, 4 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, ISOTOP 40 A 600 V, 4 broches

STMicroelectronics Módulo de potencia inteligente, STGIPS20K60, N-Canal, 18 A, 600 V, SDIP, 25-Pines

STMicroelectronics Accéléromètre 3 Axes, CMS SPI LGA-14, 14 broches

STMicroelectronics MOSFET, STE40NC60, N-Canal-Canal, 40 A, 600 V, 4-Pin, ISOTOP MDmesh, SuperMESH Simple Si

STMicroelectronics Diode CMS, 120A, 400V, ISOTOP

STMicroelectronics Diode CMS, 120A, 400V, ISOTOP

STMicroelectronics MOSFET, STE40NC60, N-Canal-Canal, 40 A, 600 V, 4-Pin, ISOTOP MDmesh, SuperMESH Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STE40NC60, N-Canal-Canal, 40 A, 600 V, 4-Pin, ISOTOP MDmesh, SuperMESH Simple Si

STMicroelectronics Accéléromètre 3 Axes, CMS SPI LGA-14, 14 broches

STMicroelectronics Diode CMS, 30A, 1000V, ISOTOP

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