STMicroelectronics MOSFET canal N,, HKZ-7 45 A 650 V, 7 broches
STMicroelectronics MOSFET canal N,, HKZ-7 45 A 650 V, 7 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,055 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.2V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Matériau du transistor: SiC, Série: SCTH35, MPN: SCTH35N65G2V-7