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STMicroelectronics MOSFET canal N,, H2PAK-7 60 A 1200 V, 7 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, H2PAK-7 60 A 1200 V, 7 broches, MPN: SCTH60N120G2-7

EUR 19.45

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0,052 Ω, 60 A, H2PAK-7, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0,052 Ω, 60 A, H2PAK-7, Montaggio superficiale, MPN: SCTH60N120G2-7

EUR 19.45

1

STMicroelectronics MOSFET, 5.2e+007 Ω, 60 A, HiP247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, 5.2e+007 Ω, 60 A, HiP247, Su foro, Tensione massima drain source: 1200 V, Tensione di soglia gate massima: 5V, Serie: SCTW, MPN: SCTWA60N120G2-4

EUR 18.55

1

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 1.200 V, 7-Pin, H2PAK-7 Silicio

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 1.200 V, 7-Pin, H2PAK-7 Silicio, MPN: SCTH60N120G2-7

EUR 19.45

1

STMicroelectronics MOSFET, Hip247 60 A 1200 V, 4 broches

STMicroelectronics MOSFET, Hip247 60 A 1200 V, 4 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 5,2 e + 007 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Série: SCTW, MPN: SCTWA60N120G2-4

EUR 18.55

1

STMicroelectronics MOSFET, SCTWA60N120G2-4, 60 A, 1.200 V, 4-Pin, HiP247 SCTW

STMicroelectronics MOSFET, 60 A, 1.200 V, 4-Pin, HiP247 SCTW, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 5,2e+007 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, MPN: SCTWA60N120G2-4

EUR 18.55

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0,052 Ω, 60 A, H2PAK-7, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0,052 Ω, 60 A, H2PAK-7, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 1200 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Materiale del transistor: Silicone, MPN: SCTH60N120G2-7

EUR 19.84

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0,052 Ω, 60 A, H2PAK-7, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0,052 Ω, 60 A, H2PAK-7, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 1200 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Materiale del transistor: Silicone, MPN: SCTH60N120G2-7

EUR 16.47

1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, H2PAK-7 60 A 1200 V, 7 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, H2PAK-7 60 A 1200 V, 7 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,052 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Matériau du transistor: Silicium, MPN: SCTH60N120G2-7

EUR 19.84

1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, H2PAK-7 60 A 1200 V, 7 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, H2PAK-7 60 A 1200 V, 7 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,052 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Matériau du transistor: Silicium, MPN: SCTH60N120G2-7

EUR 16.47

1

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 1.200 V, 7-Pin, H2PAK-7 Silicio

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 1.200 V, 7-Pin, H2PAK-7 Silicio, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,052 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, MPN: SCTH60N120G2-7

EUR 16.47

1

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 1.200 V, 7-Pin, H2PAK-7 Silicio

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 1.200 V, 7-Pin, H2PAK-7 Silicio, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,052 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, MPN: SCTH60N120G2-7

EUR 19.84

1

STMicroelectronics Transistor, NPN Simple, 60 A, 250 V, A-247, 3 broches

STMicroelectronics Transistor, NPN Simple, 60 A, 250 V, A-247, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 180 W, Tension Collecteur Base maximum: 500 V, Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Dimensions: 20.3 x 15.9 x 5.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,5 V, MPN: BUTW92

EUR 11.52

1

STMicroelectronics Transistor, NPN Simple, 60 A, 250 V, A-247, 3 broches

STMicroelectronics Transistor, NPN Simple, 60 A, 250 V, A-247, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 180 W, Tension Collecteur Base maximum: 500 V, Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Dimensions: 20.3 x 15.9 x 5.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,5 V, MPN: BUTW92

EUR 10.16

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 60 mΩ, 51 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 60 mΩ, 51 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 350 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Altezza: 20.15mm, MPN: STW55NM60ND

EUR 18.22

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 60 mΩ, 51 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 60 mΩ, 51 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 350 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW55NM60ND

EUR 18.22

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 60 mΩ, 51 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 60 mΩ, 51 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 350 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW55NM60ND

EUR 10.06

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 60 mΩ, 50 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 60 mΩ, 50 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 360 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW56N60DM2

EUR 11.57

1

STMicroelectronics Transistor, BUTW92, NPN 60 A 250 V TO-247, 3 pines, Simple

STMicroelectronics Transistor, NPN 60 A 250 V TO-247, 3 pines, Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 180 W, Tensión Base Máxima del Colector: 500 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 7 V, Dimensiones: 20.3 x 15.9 x 5.3mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: 1,5 V, MPN: BUTW92

EUR 10.16

1

STMicroelectronics Transistor, BUTW92, NPN 60 A 250 V TO-247, 3 pines, Simple

STMicroelectronics Transistor, NPN 60 A 250 V TO-247, 3 pines, Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 180 W, Tensión Base Máxima del Colector: 500 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 7 V, Dimensiones: 20.3 x 15.9 x 5.3mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: 1,5 V, MPN: BUTW92

EUR 11.52

1

STMicroelectronics Transistor NPN, 3 Pin, TO-247, 60 A, 250 V,, Montaggio su foro

STMicroelectronics Transistor NPN, 3 Pin, TO-247, 60 A, 250 V,, Montaggio su foro, Dissipazione di potenza massima: 180 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base del collettore: 500 V, Tensione massima base emitter: 7 V, Dimensioni: 20.3 x 15.9 x 5.3mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Tensione massima di saturazione collettore emitter: 1,5 V, MPN: BUTW92

EUR 10.16

1

STMicroelectronics Transistor NPN, 3 Pin, TO-247, 60 A, 250 V,, Montaggio su foro

STMicroelectronics Transistor NPN, 3 Pin, TO-247, 60 A, 250 V,, Montaggio su foro, Dissipazione di potenza massima: 180 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base del collettore: 500 V, Tensione massima base emitter: 7 V, Dimensioni: 20.3 x 15.9 x 5.3mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Tensione massima di saturazione collettore emitter: 1,5 V, MPN: BUTW92

EUR 11.52

1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-247 51 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-247 51 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 60 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 350 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Hauteur: 20.15mm, MPN: STW55NM60ND

EUR 18.22

1

STMicroelectronics MOSFET, STW55NM60ND, N-Canal-Canal, 51 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 FDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 51 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 FDmesh Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 60 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 350 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Altura: 20.15mm, MPN: STW55NM60ND

EUR 18.22

1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-247 51 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-247 51 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 60 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 350 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STW55NM60ND

EUR 18.22

1

DIGITAL MARKETING

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

STMicroelectronics MOSFET canal N,, H2PAK-7 60 A 1200 V, 7 broches

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0,052 Ω, 60 A, H2PAK-7, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, 5.2e+007 Ω, 60 A, HiP247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 1.200 V, 7-Pin, H2PAK-7 Silicio

STMicroelectronics MOSFET, Hip247 60 A 1200 V, 4 broches

STMicroelectronics MOSFET, SCTWA60N120G2-4, 60 A, 1.200 V, 4-Pin, HiP247 SCTW

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0,052 Ω, 60 A, H2PAK-7, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0,052 Ω, 60 A, H2PAK-7, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET canal N,, H2PAK-7 60 A 1200 V, 7 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, H2PAK-7 60 A 1200 V, 7 broches

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 1.200 V, 7-Pin, H2PAK-7 Silicio

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 1.200 V, 7-Pin, H2PAK-7 Silicio

STMicroelectronics Transistor, NPN Simple, 60 A, 250 V, A-247, 3 broches

STMicroelectronics Transistor, NPN Simple, 60 A, 250 V, A-247, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 60 mΩ, 51 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 60 mΩ, 51 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 60 mΩ, 51 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 60 mΩ, 50 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics Transistor, BUTW92, NPN 60 A 250 V TO-247, 3 pines, Simple

STMicroelectronics Transistor, BUTW92, NPN 60 A 250 V TO-247, 3 pines, Simple

STMicroelectronics Transistor NPN, 3 Pin, TO-247, 60 A, 250 V,, Montaggio su foro

STMicroelectronics Transistor NPN, 3 Pin, TO-247, 60 A, 250 V,, Montaggio su foro

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-247 51 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET, STW55NM60ND, N-Canal-Canal, 51 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 FDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-247 51 A 600 V, 3 broches

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