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STMicroelectronics MOSFET, SCTWA40N120G2V-4, N-Canal-Canal, 45 A, 1.200 V, 3-Pin, HiP247-4LL SCTWA40N120G2V-4 SiC

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 45 A, 1.200 V, 3-Pin, HiP247-4LL SCTWA40N120G2V-4 SiC, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,07 Ω

EUR 19.90

1

STMicroelectronics Batteria di backup (Litio-CF), 3 V, SNAPHAT, 4 pin

STMicroelectronics Batteria di backup (Litio-CF), 3 V, SNAPHAT, 4 pin, Tipo di montaggio: Su foro, Dimensioni: 21.84 x 18.03 x 8.51mm, Lunghezza: 21.84mm, Larghezza: 18.03mm, Massima temperatura operativa: +85 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: M4T32-BR12SH6

EUR 14.99

1

STMicroelectronics Batteria di backup (Litio-CF), 3 V, SNAPHAT, 4 pin

STMicroelectronics Batteria di backup (Litio-CF), 3 V, SNAPHAT, 4 pin, Tipo di montaggio: Su foro, Tipo IC: Battery Backup IC, Dimensioni: 21.84 x 18.03 x 8.51mm, Lunghezza: 21.84mm, Larghezza: 18.03mm, Massima temperatura operativa: +85 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: M4T32-BR12SH6

EUR 15.92

1

STMicroelectronics Batteria di backup (Litio-CF), 3 V, SNAPHAT, 4 pin

STMicroelectronics Batteria di backup (Litio-CF), 3 V, SNAPHAT, 4 pin, Tipo di montaggio: Su foro, Tipo IC: Battery Backup IC, Dimensioni: 21.84 x 18.03 x 8.51mm, Lunghezza: 21.84mm, Larghezza: 18.03mm, Massima temperatura operativa: +85 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: M4T32-BR12SH6

EUR 13.32

1

STMicroelectronics Batterie de secours pour circuit intégré, Lithium-CF, 3 V, SNAPHAT, 4 broches

STMicroelectronics Batterie de secours pour circuit intégré, Lithium-CF, 3 V, SNAPHAT, 4 broches, Type de montage: Traversant, Dimensions: 21.84 x 18.03 x 8.51mm, Longueur: 21.84mm, Largeur: 18.03mm, Température d'utilisation maximum: +85 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, MPN: M4T32-BR12SH6

EUR 14.99

1

STMicroelectronics Circuito integrado de batería de backup, Litio-CF, SNAPHAT, 4 pines, 3 V

STMicroelectronics Circuito integrado de batería de backup, Litio-CF, SNAPHAT, 4 pines, 3 V, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 21.84 x 18.03 x 8.51mm, Longitud: 21.84mm, Ancho: 18.03mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +85 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, MPN: M4T32-BR12SH6

EUR 14.99

1

STMicroelectronics Batterie de secours pour circuit intégré, Lithium-CF, 3 V, SNAPHAT, 4 broches

STMicroelectronics Batterie de secours pour circuit intégré, Lithium-CF, 3 V, SNAPHAT, 4 broches, Type de montage: Traversant, Type de CI: Battery Backup IC, Dimensions: 21.84 x 18.03 x 8.51mm, Longueur: 21.84mm, Largeur: 18.03mm, Température d'utilisation maximum: +85 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, MPN: M4T32-BR12SH6

EUR 15.92

1

STMicroelectronics Batterie de secours pour circuit intégré, Lithium-CF, 3 V, SNAPHAT, 4 broches

STMicroelectronics Batterie de secours pour circuit intégré, Lithium-CF, 3 V, SNAPHAT, 4 broches, Type de montage: Traversant, Type de CI: Battery Backup IC, Dimensions: 21.84 x 18.03 x 8.51mm, Longueur: 21.84mm, Largeur: 18.03mm, Température d'utilisation maximum: +85 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, MPN: M4T32-BR12SH6

EUR 13.32

1

STMicroelectronics Circuito integrado de batería de backup, Litio-CF, SNAPHAT, 4 pines, 3 V

STMicroelectronics Circuito integrado de batería de backup, Litio-CF, SNAPHAT, 4 pines, 3 V, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Tipo de CI: Battery Backup IC, Dimensiones: 21.84 x 18.03 x 8.51mm, Longitud: 21.84mm, Ancho: 18.03mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +85 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, MPN: M4T32-BR12SH6

EUR 15.92

1

STMicroelectronics Circuito integrado de batería de backup, Litio-CF, SNAPHAT, 4 pines, 3 V

STMicroelectronics Circuito integrado de batería de backup, Litio-CF, SNAPHAT, 4 pines, 3 V, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Tipo de CI: Battery Backup IC, Dimensiones: 21.84 x 18.03 x 8.51mm, Longitud: 21.84mm, Ancho: 18.03mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +85 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, MPN: M4T32-BR12SH6

EUR 13.32

1

STMicroelectronics Módulo MOSFET, STW70N65DM6-4, N-Canal-Canal, 68 A, 650 V, Reducción, 3-Pin, TO-247 ST SiC

STMicroelectronics Módulo MOSFET, N-Canal-Canal, 68 A, 650 V, Reducción, 3-Pin, TO-247 ST SiC, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,036 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.75V, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: STW70N65DM6-4

EUR 12.38

1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, Hip247-4 45 A 650 V, 4 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, Hip247-4 45 A 650 V, 4 broches, MPN: SCTWA35N65G2V-4

EUR 17.15

1

STMicroelectronics Módulo MOSFET, STW70N60DM6-4, N-Canal-Canal, 62 A, 600 V, Reducción, 4-Pin, TO247-4 ST SiC

STMicroelectronics Módulo MOSFET, N-Canal-Canal, 62 A, 600 V, Reducción, 4-Pin, TO247-4 ST SiC, MPN: STW70N60DM6-4

EUR 11.88

1

STMicroelectronics Module MOSFET canal N,, To247-4 62 A 600 V, 4 broches

STMicroelectronics Module MOSFET canal N,, To247-4 62 A 600 V, 4 broches, MPN: STW70N60DM6-4

EUR 11.88

1

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 45 A, 650 V, 4-Pin, HiP247-4 Silicio

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 45 A, 650 V, 4-Pin, HiP247-4 Silicio, MPN: SCTWA35N65G2V-4

EUR 17.15

1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, Hip247-4LL 45 A 1200 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, Hip247-4LL 45 A 1200 V, 3 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,07 Ω, Matériau du transistor: SiC, Série: SCTWA40N120G2V-4

EUR 19.90

1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, To247-4 72 A 650 V, 4 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, To247-4 72 A 650 V, 4 broches, MPN: STW68N65DM6-4AG

EUR 17.08

1

STMicroelectronics Módulo MOSFET, STW70N60DM6-4, N-Canal-Canal, 62 A, 600 V, Reducción, 4-Pin, TO247-4 ST SiC

STMicroelectronics Módulo MOSFET, N-Canal-Canal, 62 A, 600 V, Reducción, 4-Pin, TO247-4 ST SiC, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,036 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.75V, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: STW70N60DM6-4

EUR 12.14

1

STMicroelectronics Módulo MOSFET, STW70N60DM6-4, N-Canal-Canal, 62 A, 600 V, Reducción, 4-Pin, TO247-4 ST SiC

STMicroelectronics Módulo MOSFET, N-Canal-Canal, 62 A, 600 V, Reducción, 4-Pin, TO247-4 ST SiC, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,036 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.75V, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: STW70N60DM6-4

EUR 13.78

1

STMicroelectronics MOSFET, STW68N65DM6-4AG, N-Canal-Canal, 72 A, 650 V, 4-Pin, TO247-4

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 72 A, 650 V, 4-Pin, TO247-4, MPN: STW68N65DM6-4AG

EUR 17.08

1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, Hip247-4 45 A 650 V, 4 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, Hip247-4 45 A 650 V, 4 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 0,067 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Matériau du transistor: Silicium, MPN: SCTWA35N65G2V-4

EUR 12.90

1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, Hip247-4 45 A 650 V, 4 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, Hip247-4 45 A 650 V, 4 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 0,067 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Matériau du transistor: Silicium, MPN: SCTWA35N65G2V-4

EUR 17.49

1

STMicroelectronics Module MOSFET canal N,, To247-4 62 A 600 V, 4 broches

STMicroelectronics Module MOSFET canal N,, To247-4 62 A 600 V, 4 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,036 Ω, Mode de canal: Depletion, Tension de seuil maximale de la grille: 4.75V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Matériau du transistor: SiC, MPN: STW70N60DM6-4

EUR 13.78

1

STMicroelectronics Module MOSFET canal N,, To247-4 62 A 600 V, 4 broches

STMicroelectronics Module MOSFET canal N,, To247-4 62 A 600 V, 4 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,036 Ω, Mode de canal: Depletion, Tension de seuil maximale de la grille: 4.75V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Matériau du transistor: SiC, MPN: STW70N60DM6-4

EUR 12.14

1

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 45 A, 650 V, 4-Pin, HiP247-4 Silicio

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 45 A, 650 V, 4-Pin, HiP247-4 Silicio, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,067 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: SCTWA35N65G2V-4

EUR 12.90

1

DIGITAL MARKETING

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

STMicroelectronics MOSFET, SCTWA40N120G2V-4, N-Canal-Canal, 45 A, 1.200 V, 3-Pin, HiP247-4LL SCTWA40N120G2V-4 SiC

STMicroelectronics Batteria di backup (Litio-CF), 3 V, SNAPHAT, 4 pin

STMicroelectronics Batteria di backup (Litio-CF), 3 V, SNAPHAT, 4 pin

STMicroelectronics Batteria di backup (Litio-CF), 3 V, SNAPHAT, 4 pin

STMicroelectronics Batterie de secours pour circuit intégré, Lithium-CF, 3 V, SNAPHAT, 4 broches

STMicroelectronics Circuito integrado de batería de backup, Litio-CF, SNAPHAT, 4 pines, 3 V

STMicroelectronics Batterie de secours pour circuit intégré, Lithium-CF, 3 V, SNAPHAT, 4 broches

STMicroelectronics Batterie de secours pour circuit intégré, Lithium-CF, 3 V, SNAPHAT, 4 broches

STMicroelectronics Circuito integrado de batería de backup, Litio-CF, SNAPHAT, 4 pines, 3 V

STMicroelectronics Circuito integrado de batería de backup, Litio-CF, SNAPHAT, 4 pines, 3 V

STMicroelectronics Módulo MOSFET, STW70N65DM6-4, N-Canal-Canal, 68 A, 650 V, Reducción, 3-Pin, TO-247 ST SiC

STMicroelectronics MOSFET canal N,, Hip247-4 45 A 650 V, 4 broches

STMicroelectronics Módulo MOSFET, STW70N60DM6-4, N-Canal-Canal, 62 A, 600 V, Reducción, 4-Pin, TO247-4 ST SiC

STMicroelectronics Module MOSFET canal N,, To247-4 62 A 600 V, 4 broches

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 45 A, 650 V, 4-Pin, HiP247-4 Silicio

STMicroelectronics MOSFET canal N,, Hip247-4LL 45 A 1200 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, To247-4 72 A 650 V, 4 broches

STMicroelectronics Módulo MOSFET, STW70N60DM6-4, N-Canal-Canal, 62 A, 600 V, Reducción, 4-Pin, TO247-4 ST SiC

STMicroelectronics Módulo MOSFET, STW70N60DM6-4, N-Canal-Canal, 62 A, 600 V, Reducción, 4-Pin, TO247-4 ST SiC

STMicroelectronics MOSFET, STW68N65DM6-4AG, N-Canal-Canal, 72 A, 650 V, 4-Pin, TO247-4

STMicroelectronics MOSFET canal N,, Hip247-4 45 A 650 V, 4 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, Hip247-4 45 A 650 V, 4 broches

STMicroelectronics Module MOSFET canal N,, To247-4 62 A 600 V, 4 broches

STMicroelectronics Module MOSFET canal N,, To247-4 62 A 600 V, 4 broches

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 45 A, 650 V, 4-Pin, HiP247-4 Silicio

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