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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 190 mΩ, 17 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 190 mΩ, 17 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 125 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 15.75mm, MPN: STP24NM60N

EUR 2.89

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 270 mΩ, 17 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 270 mΩ, 17 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 190 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 20.15mm, MPN: STW20NK50Z

EUR 4.14

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 190 mΩ, 17 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 190 mΩ, 17 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 30 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 16.4mm, MPN: STF24NM60N

EUR 2.88

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 165 mΩ, 17 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 165 mΩ, 17 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 250 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 25 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 16.4mm, MPN: STF17NF25

EUR 1.17

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 220 mΩ, 17 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 220 mΩ, 17 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 30 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Altezza: 16.4mm, MPN: STF21NM60ND

EUR 1.00

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 220 mΩ, 17 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 220 mΩ, 17 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 30 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STF21NM60ND

EUR 1.00

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 270 mΩ, 17 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 270 mΩ, 17 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 190 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW20NK50Z

EUR 4.60

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 270 mΩ, 17 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 270 mΩ, 17 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 190 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW20NK50Z

EUR 3.92

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 190 mΩ, 17 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 190 mΩ, 17 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 125 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STP24NM60N

EUR 3.40

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 190 mΩ, 17 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 190 mΩ, 17 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 30 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STF24NM60N

EUR 3.38

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 220 mΩ, 17 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 220 mΩ, 17 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 30 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STF21NM60ND

EUR 0.98

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 190 mΩ, 17 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 190 mΩ, 17 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 125 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STP24NM60N

EUR 3.09

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 190 mΩ, 17 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 190 mΩ, 17 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 30 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STF24NM60N

EUR 2.87

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 165 mΩ, 17 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 165 mΩ, 17 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 250 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 25 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STF17NF25

EUR 1.24

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 165 mΩ, 17 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 165 mΩ, 17 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 250 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 25 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STF17NF25

EUR 1.37

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 17 mΩ, 35 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 17 mΩ, 35 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 80 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -15 V, +15 V, Altezza: 2.4mm, MPN: STD35NF06LT4

EUR 1.16

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 60 mΩ, 17 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 60 mΩ, 17 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.2V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 30 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -16 V, +16 V, Altezza: 2.4mm, MPN: STD17NF03LT4

EUR 0.87

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 190 mΩ, 17 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 190 mΩ, 17 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 125 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Altezza: 4.6mm, MPN: STB23NM50N

EUR 3.99

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 165 mΩ, 17 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 165 mΩ, 17 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 250 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 90 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 2.4mm, MPN: STD17NF25

EUR 2.59

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 295 mΩ, 17 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 295 mΩ, 17 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 800 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 190 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 4.6mm, MPN: STB18NM80

EUR 3.92

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 179 mΩ, 17 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 179 mΩ, 17 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 125 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Altezza: 4.6mm, MPN: STB21N65M5

EUR 2.87

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STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 17 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 17 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 220 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 30 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Hauteur: 16.4mm, MPN: STF21NM60ND

EUR 1.00

1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 17 A 500 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 17 A 500 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 270 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 190 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Hauteur: 20.15mm, MPN: STW20NK50Z

EUR 4.14

1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 17 A 250 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 17 A 250 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 165 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 25 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 16.4mm, MPN: STF17NF25

EUR 1.17

1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 17 A 650 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 17 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 190 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 30 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Hauteur: 16.4mm, MPN: STF24NM60N

EUR 2.88

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DIGITAL MARKETING

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 190 mΩ, 17 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 270 mΩ, 17 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 190 mΩ, 17 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 165 mΩ, 17 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 220 mΩ, 17 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 220 mΩ, 17 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 270 mΩ, 17 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 270 mΩ, 17 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 190 mΩ, 17 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 190 mΩ, 17 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 220 mΩ, 17 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 190 mΩ, 17 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 190 mΩ, 17 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 165 mΩ, 17 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 165 mΩ, 17 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 17 mΩ, 35 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 60 mΩ, 17 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 190 mΩ, 17 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 165 mΩ, 17 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 295 mΩ, 17 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 179 mΩ, 17 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 17 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 17 A 500 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 17 A 250 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 17 A 650 V, 3 broches

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