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STMicroelectronics Fusible électronique, 5 V, 9 canaux, 0.06A

STMicroelectronics Fusible électronique, 5 V, 9 canaux, 0.06A, Courant de fonctionnement maximum: 60A, Tension d'entrée maximale: 18 V, MPN: STEF12H60MPUR

EUR 4.54

1

STMicroelectronics Fusibile elettronico, 18 V, 9 canali, 0.06A

STMicroelectronics Fusibile elettronico, 18 V, 9 canali, 0.06A, Corrente di funzionamento massima: 60A, Tensione minima in ingresso: 5 V, MPN: STEF12H60MPUR

EUR 4.54

1

STMicroelectronics Generador de paridad M74HC280YRM13TR, 9 bits, SOIC 14 pines

STMicroelectronics Generador de paridad M74HC280YRM13TR, 9 bits, SOIC 14 pines, Corriente Quiescente Máxima: 80µA, Corriente Máxima de Salida de Alto Nivel: -5.2mA, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Dimensiones: 8.75 x 4 x 1.65mm, Longitud: 8.75mm, Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento: 6 V, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +125 °C

EUR 0.18

1

STMicroelectronics IGBT, STGF10NC60KD,, 9 A, 600 V, TO-220FP, 3 broches, Simple

STMicroelectronics IGBT,, 9 A, 600 V, TO-220FP, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 25 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 1MHz, Dimensions: 10.4 x 4.6 x 16.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: STGF10NC60KD

EUR 1.85

1

STMicroelectronics IGBT, STGF10NC60KD,, 9 A, 600 V, TO-220FP, 3 broches, Simple

STMicroelectronics IGBT,, 9 A, 600 V, TO-220FP, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 25 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 1MHz, Dimensions: 10.4 x 4.6 x 16.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: STGF10NC60KD

EUR 1.43

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 550 mΩ, 9 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 550 mΩ, 9 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 400 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 30 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STP11NK40ZFP

EUR 2.07

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 450 mΩ, 9 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 450 mΩ, 9 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 25 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STF12N60M2

EUR 1.48

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 450 mΩ, 9 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 450 mΩ, 9 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 25 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STF12N60M2

EUR 1.72

1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 9 A, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 9 A, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 1,25 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 90 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STP6N95K5

EUR 2.10

1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 9 A, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 9 A, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 1,25 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 90 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STP6N95K5

EUR 2.46

3

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 9 A, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 9 A, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 1,25 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 90 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Tension directe de la diode: 1.6V, Hauteur: 15.75mm, MPN: STP6N95K5

EUR 2.31

3

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 9 A 400 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 9 A 400 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 550 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Dissipation de puissance maximum: 30 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STP11NK40ZFP

EUR 2.07

1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 9 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 9 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 450 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Dissipation de puissance maximum: 25 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STF12N60M2

EUR 1.48

1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 9 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 9 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 450 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Dissipation de puissance maximum: 25 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STF12N60M2

EUR 1.72

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 1,25 Ω, 9 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 1,25 Ω, 9 A, TO-220, Su foro, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 90 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±30 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STP6N95K5

EUR 2.10

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 9 Ω, 2,5 A, TO-3PF, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 9 Ω, 2,5 A, TO-3PF, Su foro, Tensione massima drain source: 1500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 63 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 26.7mm, MPN: STFW3N150

EUR 4.13

1

STMicroelectronics Amplificatore audio Classe D, Differenziale, 9 Pin, alim. singola, 1.75W, Flip-Chip

STMicroelectronics Amplificatore audio Classe D, Differenziale, 9 Pin, alim. singola, 1.75W, Flip-Chip, Maximum Power: 1.75 W, 3W, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Tensione di alimentazione singola tipica: 2.4 → 5.5 V, Tipo di alimentazione: Singolo, CMRR minimo: 57dB, Massima temperatura operativa: +85 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: A21SP16J

EUR 0.30

1

STMicroelectronics Amplificatore audio Classe D, Differenziale, 9 Pin, alim. singola, 1.75W, Flip-Chip

STMicroelectronics Amplificatore audio Classe D, Differenziale, 9 Pin, alim. singola, 1.75W, Flip-Chip, Maximum Power: 1.75 W, 3W, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Tensione di alimentazione singola tipica: 2.4 → 5.5 V, Tipo di alimentazione: Singolo, CMRR minimo: 57dB, Massima temperatura operativa: +85 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: A21SP16J

EUR 0.61

1

STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 9 A, canale N, TO-220FP

STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 9 A, canale N, TO-220FP, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 25 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Velocità di switching: 1MHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 10.4 x 4.6 x 16.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: STGF10NC60KD

EUR 1.85

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 450 mΩ, 9 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 450 mΩ, 9 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 25 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Numero di elementi per chip: 1, Tensione diretta del diodo: 1.6V, Altezza: 16.4mm, Lunghezza: 10.4mm, MPN: STF12N60M2

EUR 1.45

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 9 Ω, 2,5 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 9 Ω, 2,5 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 1500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 140 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 20.15mm, MPN: STW3N150

EUR 4.20

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 480 mΩ, 9 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 480 mΩ, 9 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 710 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 85 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Altezza: 15.75mm, MPN: STP11N65M5

EUR 1.72

1

STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 9 A, canale N, TO-220FP

STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 9 A, canale N, TO-220FP, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 25 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Velocità di switching: 1MHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 10.4 x 4.6 x 16.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: STGF10NC60KD

EUR 1.43

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 900 mΩ, 9 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 900 mΩ, 9 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 800 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 160 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 9.15mm, MPN: STP10NK80Z

EUR 3.66

1

DIGITAL MARKETING

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

STMicroelectronics Fusible électronique, 5 V, 9 canaux, 0.06A

STMicroelectronics Fusibile elettronico, 18 V, 9 canali, 0.06A

STMicroelectronics Generador de paridad M74HC280YRM13TR, 9 bits, SOIC 14 pines

STMicroelectronics IGBT, STGF10NC60KD,, 9 A, 600 V, TO-220FP, 3 broches, Simple

STMicroelectronics IGBT, STGF10NC60KD,, 9 A, 600 V, TO-220FP, 3 broches, Simple

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 550 mΩ, 9 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 450 mΩ, 9 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 450 mΩ, 9 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 9 A, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 9 A, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 9 A, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 9 A 400 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 9 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 9 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 1,25 Ω, 9 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 9 Ω, 2,5 A, TO-3PF, Su foro

STMicroelectronics Amplificatore audio Classe D, Differenziale, 9 Pin, alim. singola, 1.75W, Flip-Chip

STMicroelectronics Amplificatore audio Classe D, Differenziale, 9 Pin, alim. singola, 1.75W, Flip-Chip

STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 9 A, canale N, TO-220FP

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 450 mΩ, 9 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 9 Ω, 2,5 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 480 mΩ, 9 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 9 A, canale N, TO-220FP

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 900 mΩ, 9 A, TO-220, Su foro

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