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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 380 mΩ, 14 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 380 mΩ, 14 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 380 mΩ, 14 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STB14NK50ZT4

EUR 2.38
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 380 mΩ, 14 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 380 mΩ, 14 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 380 mΩ, 14 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STB14NK50ZT4

EUR 4.35
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 380 mΩ, 11 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 380 mΩ, 11 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 380 mΩ, 11 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 109 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 6.6mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STD13NM60ND

EUR 1.60
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 380 mΩ, 11 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 380 mΩ, 11 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 380 mΩ, 11 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 110 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STB13N60M2

EUR 2.29
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 380 mΩ, 11 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 380 mΩ, 11 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 380 mΩ, 11 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 109 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 6.6mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STD13NM60ND

EUR 2.36
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 380 mΩ, 11 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 380 mΩ, 11 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 380 mΩ, 11 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 110 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STB13N60M2

EUR 1.14
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 14 A 500 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 14 A 500 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 14 A 500 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 380 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Hauteur: 4.6mm, MPN: STB14NK50ZT4

EUR 3.68
1

STMicroelectronics MOSFET, STP13NM60ND, N-Canal-Canal, 11 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 FDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STP13NM60ND, N-Canal-Canal, 11 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 FDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 11 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 FDmesh Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 380 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 109 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Altura: 15.75mm, MPN: STP13NM60ND

EUR 2.87
1

STMicroelectronics MOSFET, STW14NK50Z, N-Canal-Canal, 14 A, 500 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh, SuperMESH Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STW14NK50Z, N-Canal-Canal, 14 A, 500 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh, SuperMESH Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 14 A, 500 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh, SuperMESH Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 380 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 150 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Altura: 20.15mm, MPN: STW14NK50Z

EUR 4.38
1