198 Résultats (0,19794 Secondes)

Afficher tous les filtres

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Effacer les filtres

Produits
De
Boutiques

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 21 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 21 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 21 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 160 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW25NM60ND

EUR 2.56
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 21 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 21 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 21 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 160 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW25NM60ND

EUR 2.44
1

STMicroelectronics Diodo TVS Bidireccional, SMP100LC-160, DO-214AA (SMB), 2-Pines

STMicroelectronics Diodo TVS Bidireccional, SMP100LC-160, DO-214AA (SMB), 2-Pines

STMicroelectronics Diodo TVS Bidireccional, DO-214AA (SMB), 2-Pines, Configuración de diodo: Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tensión de Corte Inversa Máxima: 144V, Corriente de Pulsos de Pico Máxima: 500A, Protección ESD: Sí, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, Dimensiones: 4.6 x 2.2 x 2.45mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Capacidad: 65pF, Longitud: 4.6mm, MPN: SMP100LC-160

EUR 0.62
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 22 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 22 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 22 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 190 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW28N60DM2

EUR 4.14
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 21 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 21 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 21 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 30 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STF28N60DM2

EUR 3.86
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 15 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 15 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 15 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 200 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 25 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STF19NF20

EUR 1.45
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 15 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 15 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 15 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 200 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 25 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STF19NF20

EUR 1.31
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 15 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 15 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 15 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 200 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 90 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STP19NF20

EUR 1.36
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 22 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 22 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 22 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 190 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW28N60DM2

EUR 3.54
1

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 160 mΩ, 3 A, SOT-223, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 160 mΩ, 3 A, SOT-223, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 160 mΩ, 3 A, SOT-223, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3 + Tab, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 2,6 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Tensione diretta del diodo: 1.1V, MPN: STN3P6F6

EUR 0.55
1