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STMicroelectronics Fusible électronique, 5 V, 9 canaux, 0.06A

STMicroelectronics Fusible électronique, 5 V, 9 canaux, 0.06A, MPN: STEF12H60MPUR

EUR 5.85

1

STMicroelectronics Thyristor, STTD6050H-12M2Y, 60A, 1200V, ACEPACK SMIT, 9 broches

STMicroelectronics Thyristor, 60A, 1200V, ACEPACK SMIT, 9 broches, MPN: STTD6050H-12M2Y

EUR 15.69

1

STMicroelectronics Fusible électronique, 5 V, 9 canaux, 0.06A

STMicroelectronics Fusible électronique, 5 V, 9 canaux, 0.06A, Courant de fonctionnement maximum: 60A, Tension d'entrée maximale: 18 V, MPN: STEF12H60MPUR

EUR 4.54

1

STMicroelectronics Fusible électronique, 5 V, 9 canaux, 0.06A

STMicroelectronics Fusible électronique, 5 V, 9 canaux, 0.06A, Courant de fonctionnement maximum: 60A, Tension d'entrée maximale: 18 V, MPN: STEF12H60MPUR

EUR 6.88

1

STMicroelectronics Thyristor, STTD6050H-12M2Y, 60A, 1200V, ACEPACK SMIT, 9 broches

STMicroelectronics Thyristor, 60A, 1200V, ACEPACK SMIT, 9 broches, Courant de surcharge: 525A, Tension de crête à l'état passant: 10V, MPN: STTD6050H-12M2Y

EUR 17.11

1

STMicroelectronics Thyristor, STTD6050H-12M2Y, 60A, 1200V, ACEPACK SMIT, 9 broches

STMicroelectronics Thyristor, 60A, 1200V, ACEPACK SMIT, 9 broches, Courant de surcharge: 525A, Tension de crête à l'état passant: 10V, MPN: STTD6050H-12M2Y

EUR 12.55

1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, M250 9 A 80 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, M250 9 A 80 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Mode de canal: Enrichissement, Dissipation de puissance maximum: 108 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -0,5 V, +15 V, Longueur: 9.91mm, Température d'utilisation maximum: +200 °C, Largeur: 6.09mm, MPN: LET9045F

EUR 71.33

1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, M250 9 A 80 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, M250 9 A 80 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Mode de canal: Enrichissement, Dissipation de puissance maximum: 108 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -0,5 V, +15 V, Longueur: 9.91mm, Température d'utilisation maximum: +200 °C, Largeur: 6.09mm, MPN: LET9045F

EUR 67.79

1

STMicroelectronics IGBT, STGF10NC60KD,, 9 A, 600 V, TO-220FP, 3 broches, Simple

STMicroelectronics IGBT,, 9 A, 600 V, TO-220FP, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 25 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 1MHz, Dimensions: 10.4 x 4.6 x 16.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: STGF10NC60KD

EUR 1.43

1

STMicroelectronics IGBT, STGF10NC60KD,, 9 A, 600 V, TO-220FP, 3 broches, Simple

STMicroelectronics IGBT,, 9 A, 600 V, TO-220FP, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 25 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 1MHz, Dimensions: 10.4 x 4.6 x 16.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: STGF10NC60KD

EUR 1.85

1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 9 A, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 9 A, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 1,25 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 90 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STP6N95K5

EUR 2.46

1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 9 A, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 9 A, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 1,25 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 90 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STP6N95K5

EUR 2.10

1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 9 A, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 9 A, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 1,25 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 90 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Tension directe de la diode: 1.6V, Hauteur: 15.75mm, MPN: STP6N95K5

EUR 2.31

1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 9 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 9 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 450 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Dissipation de puissance maximum: 25 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STF12N60M2

EUR 1.72

1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 9 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 9 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 450 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Dissipation de puissance maximum: 25 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STF12N60M2

EUR 1.48

1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 9 A 400 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 9 A 400 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 550 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Dissipation de puissance maximum: 30 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STP11NK40ZFP

EUR 2.07

1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 9 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 9 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 450 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Dissipation de puissance maximum: 25 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Tension directe de la diode: 1.6V, Hauteur: 16.4mm, Longueur: 10.4mm, MPN: STF12N60M2

EUR 1.45

1

STMicroelectronics Classe D Amplificateur opérationnel audio Audio Différentiel 57dB, Flip-Chip 1.75W 9 broches +85 °C

STMicroelectronics Classe D Amplificateur opérationnel audio Audio Différentiel 57dB, Flip-Chip 1.75W 9 broches +85 °C, Puissance maximum: 1.75 W, 3W, Type de montage: CMS, Tension d'alimentation asymétrique typique: 2,4 → 5,5 V, Type d'alimentation: Simple, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, MPN: A21SP16J

EUR 0.61

1

STMicroelectronics Classe D Amplificateur opérationnel audio Audio Différentiel 57dB, Flip-Chip 1.75W 9 broches +85 °C

STMicroelectronics Classe D Amplificateur opérationnel audio Audio Différentiel 57dB, Flip-Chip 1.75W 9 broches +85 °C, Puissance maximum: 1.75 W, 3W, Type de montage: CMS, Tension d'alimentation asymétrique typique: 2,4 → 5,5 V, Type d'alimentation: Simple, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, MPN: A21SP16J

EUR 0.30

1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 9 A 710 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 9 A 710 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 480 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 85 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Hauteur: 15.75mm, MPN: STP11N65M5

EUR 1.72

1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 9 A 800 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 9 A 800 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 900 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 160 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Hauteur: 20.15mm, MPN: STW10NK80Z

EUR 5.38

1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 9 A 800 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 9 A 800 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 900 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 160 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Hauteur: 9.15mm, MPN: STP10NK80Z

EUR 3.66

1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 9 A 800 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 9 A 800 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 900 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 160 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STP10NK80Z

EUR 3.69

1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 9 A 800 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 9 A 800 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 900 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STP10NK80ZFP

EUR 5.10

1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 9 A 400 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 9 A 400 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 550 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 110 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STP11NK40Z

EUR 1.97

1

DIGITAL MARKETING

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

STMicroelectronics Fusible électronique, 5 V, 9 canaux, 0.06A

STMicroelectronics Thyristor, STTD6050H-12M2Y, 60A, 1200V, ACEPACK SMIT, 9 broches

STMicroelectronics Fusible électronique, 5 V, 9 canaux, 0.06A

STMicroelectronics Fusible électronique, 5 V, 9 canaux, 0.06A

STMicroelectronics Thyristor, STTD6050H-12M2Y, 60A, 1200V, ACEPACK SMIT, 9 broches

STMicroelectronics Thyristor, STTD6050H-12M2Y, 60A, 1200V, ACEPACK SMIT, 9 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, M250 9 A 80 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, M250 9 A 80 V, 3 broches

STMicroelectronics IGBT, STGF10NC60KD,, 9 A, 600 V, TO-220FP, 3 broches, Simple

STMicroelectronics IGBT, STGF10NC60KD,, 9 A, 600 V, TO-220FP, 3 broches, Simple

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 9 A, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 9 A, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 9 A, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 9 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 9 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 9 A 400 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 9 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics Classe D Amplificateur opérationnel audio Audio Différentiel 57dB, Flip-Chip 1.75W 9 broches +85 °C

STMicroelectronics Classe D Amplificateur opérationnel audio Audio Différentiel 57dB, Flip-Chip 1.75W 9 broches +85 °C

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 9 A 710 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 9 A 800 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 9 A 800 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 9 A 800 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 9 A 800 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 9 A 400 V, 3 broches

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