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STMicroelectronics MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 14 A 500 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 14 A 500 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 14 A 500 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 380 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Hauteur: 4.6mm, MPN: STB14NK50ZT4

EUR 3.68
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 14 A 500 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 14 A 500 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 14 A 500 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 380 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STW14NK50Z

EUR 4.38
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 14 A 500 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 14 A 500 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 14 A 500 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 380 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STW14NK50Z

EUR 5.15
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 11 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 11 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 11 A 600 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 380 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 109 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 6.6mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STD13NM60ND

EUR 1.60
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 14 A 500 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 14 A 500 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 14 A 500 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 380 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 35 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STP14NK50ZFP

EUR 3.54
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220 14 A 500 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220 14 A 500 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220 14 A 500 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 380 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STP14NK50Z

EUR 4.17
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 14 A 500 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 14 A 500 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 14 A 500 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 380 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STP14NK50Z

EUR 3.54
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 11 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 11 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 11 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 380 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 109 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STP13NM60ND

EUR 2.87
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 11 A 650 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 11 A 650 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 11 A 650 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 380 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 110 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STB13N60M2

EUR 1.14
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 14 A 500 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 14 A 500 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 14 A 500 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 380 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STB14NK50ZT4

EUR 2.38
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 11 A 650 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 11 A 650 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 11 A 650 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 380 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 110 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STB13N60M2

EUR 2.29
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 14 A 500 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 14 A 500 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 14 A 500 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 380 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STB14NK50ZT4

EUR 4.35
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 11 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 11 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 11 A 600 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 380 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 109 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 6.6mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STD13NM60ND

EUR 2.36
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 14 A 500 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 14 A 500 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 14 A 500 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 380 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 35 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STP14NK50ZFP

EUR 4.17
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 11 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 11 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 11 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 380 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 109 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STP13NM60ND

EUR 3.38
1