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STMicroelectronics Transistor MOSFET canal N,, D2PAK 13 A, 3 broches

STMicroelectronics Transistor MOSFET canal N,, D2PAK 13 A, 3 broches

STMicroelectronics Transistor MOSFET canal N,, D2PAK 13 A, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 280 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.75V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.25V, Dissipation de puissance maximum: 110 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±25 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STB18N60M6

EUR 2.83
1

STMicroelectronics Transistor MOSFET canal N,, D2PAK 13 A, 3 broches

STMicroelectronics Transistor MOSFET canal N,, D2PAK 13 A, 3 broches

STMicroelectronics Transistor MOSFET canal N,, D2PAK 13 A, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 280 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.75V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.25V, Dissipation de puissance maximum: 110 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±25 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STB18N60M6

EUR 1.39
1

STMicroelectronics Transistor MOSFET canal N,, D2PAK 13 A, 3 broches

STMicroelectronics Transistor MOSFET canal N,, D2PAK 13 A, 3 broches

STMicroelectronics Transistor MOSFET canal N,, D2PAK 13 A, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 280 m Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.75V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.25V, Dissipation de puissance maximum: 110 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±25 V, Tension directe de la diode: 1.6V, Hauteur: 4.37mm, MPN: STB18N60M6

EUR 2.66
1

STMicroelectronics Transistor MOSFET canal N,, TO-220FP 13 A, 3 broches

STMicroelectronics Transistor MOSFET canal N,, TO-220FP 13 A, 3 broches

STMicroelectronics Transistor MOSFET canal N,, TO-220FP 13 A, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 280 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.75V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.25V, Dissipation de puissance maximum: 25 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±25 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STF18N60M6

EUR 2.28
1

STMicroelectronics Transistor MOSFET canal N,, TO-220FP 13 A, 3 broches

STMicroelectronics Transistor MOSFET canal N,, TO-220FP 13 A, 3 broches

STMicroelectronics Transistor MOSFET canal N,, TO-220FP 13 A, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 280 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.75V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.25V, Dissipation de puissance maximum: 25 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±25 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STF18N60M6

EUR 2.58
1

STMicroelectronics Transistor MOSFET canal N,, TO-220FP 13 A, 3 broches

STMicroelectronics Transistor MOSFET canal N,, TO-220FP 13 A, 3 broches

STMicroelectronics Transistor MOSFET canal N,, TO-220FP 13 A, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 280 m Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.75V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.25V, Dissipation de puissance maximum: 25 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±25 V, Tension directe de la diode: 1.6V, Hauteur: 16.4mm, MPN: STF18N60M6

EUR 2.42
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 13 A 650 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 13 A 650 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 13 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 280 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 25 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STF18N60M2

EUR 2.09
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220 13 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220 13 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220 13 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 285 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 110 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STP18NM60N

EUR 2.69
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 13 A 650 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 13 A 650 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 13 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 280 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 110 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STP18N60M2

EUR 1.88
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 13 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 13 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 13 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 550 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STP13NK60Z

EUR 2.74
1