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STMicroelectronics Filtro armonico, 200 V

STMicroelectronics Filtro armonico, 200 V, MPN: MLPF-WB-01E3

EUR 0.43

1

STMicroelectronics Switch di alimentazione CI, BGA, 196 pin, 200 V

STMicroelectronics Switch di alimentazione CI, BGA, 196 pin, 200 V, Power Switch Type: High Voltage, Tensione: 0 200 V, -200 0 V, ±100 V, Corrente: ±3A, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, MPN: STHV64SW

EUR 139.77

1

STMicroelectronics Filtro armonico, 200 V

STMicroelectronics Filtro armonico, 200 V, Serie: STM32WB, Frequenza operativa: 2.4GHz, Package/Contenitore: Bumpless CSP, MPN: MLPF-WB-01E3

EUR 0.28

1

STMicroelectronics Filtro armonico, 200 V

STMicroelectronics Filtro armonico, 200 V, Serie: STM32WB, Frequenza operativa: 2.4GHz, Package/Contenitore: Bumpless CSP, MPN: MLPF-WB-01E3

EUR 0.48

1

STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 200 A, canale N, ISOTOP

STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 200 A, canale N, ISOTOP, Tensione massima gate emitter: ±20V, Tipo di montaggio: Montaggio a pannello, Numero pin: 4, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 38.2 x 25.5 x 9.1mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: STGE200NB60S

EUR 29.66

1

STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 200 A, canale N, ISOTOP

STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 200 A, canale N, ISOTOP, Tensione massima gate emitter: ±20V, Tipo di montaggio: Montaggio a pannello, Numero pin: 4, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 38.2 x 25.5 x 9.1mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: STGE200NB60S

EUR 27.38

1

STMicroelectronics IGBT, VCE 650 V, IC 120 A, canale N, TO-247

STMicroelectronics IGBT, VCE 650 V, IC 120 A, canale N, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 469 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 15.75 x 5.15 x 20.15mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: STGW80H65DFB

EUR 6.29

1

STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 120 A, canale N, TO-247

STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 120 A, canale N, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 469 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 15.75 x 5.15 x 20.15mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: STGW80V60DF

EUR 6.32

1

STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 120 A, canale N, TO-247

STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 120 A, canale N, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 469 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 15.75 x 5.15 x 20.15mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: STGW80V60DF

EUR 6.07

1

STMicroelectronics IGBT, VCE 650 V, IC 120 A, canale N, TO-3P

STMicroelectronics IGBT, VCE 650 V, IC 120 A, canale N, TO-3P, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 469 W, Tipo di montaggio: Su foro, Velocità di switching: 1MHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 15.8 x 5 x 20.1mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: STGWT80H65DFB

EUR 6.86

1

STMicroelectronics IGBT, VCE 650 V, IC 120 A, canale N, TO-3P

STMicroelectronics IGBT, VCE 650 V, IC 120 A, canale N, TO-3P, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 469 W, Tipo di montaggio: Su foro, Velocità di switching: 1MHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 15.8 x 5 x 20.1mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: STGWT80H65DFB

EUR 5.86

1

STMicroelectronics IGBT, VCE 650 V, IC 120 A, canale N, TO-3P

STMicroelectronics IGBT, VCE 650 V, IC 120 A, canale N, TO-3P, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 469 W, Tipo di montaggio: Su foro, Velocità di switching: 1MHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 15.8 x 5 x 20.1mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: STGWT80H65FB

EUR 5.96

1

STMicroelectronics IGBT, VCE 650 V, IC 120 A, canale N, TO-247

STMicroelectronics IGBT, VCE 650 V, IC 120 A, canale N, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 469 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 15.75 x 5.15 x 20.15mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: STGW80H65DFB

EUR 7.02

1

STMicroelectronics IGBT, VCE 650 V, IC 120 A, canale N, TO-3P

STMicroelectronics IGBT, VCE 650 V, IC 120 A, canale N, TO-3P, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 469 W, Tipo di montaggio: Su foro, Velocità di switching: 1MHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 15.8 x 5 x 20.1mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: STGWT80H65FB

EUR 5.07

1

STMicroelectronics MOSFET, 4,5e+006 Ω, 120 A, PowerFLAT 5x6, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, 4,5e+006 Ω, 120 A, PowerFLAT 5x6, Montaggio superficiale, MPN: STL125N8F7AG

EUR 1.23

1

STMicroelectronics Transistor bipolare NPN, 3 Pin, SOT-223, 200 mA, 1400 V, Montaggio superficiale

STMicroelectronics Transistor bipolare NPN, 3 Pin, SOT-223, 200 mA, 1400 V, Montaggio superficiale, Dissipazione di potenza massima: 1,6 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base emitter: 6 V, Dimensioni: 6.5 x 3.5 x 1.8mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STN0214

EUR 0.43

1

STMicroelectronics IGBT, VCE 650 V, IC 120 A, canale N, TO-3P

STMicroelectronics IGBT, VCE 650 V, IC 120 A, canale N, TO-3P, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 469 W, Tipo di montaggio: Su foro, Velocità di switching: 1MHz, Configurazione transistor: Singolo, Lunghezza: 15.8mm, Larghezza: 5mm, Altezza: 20.1mm, Dimensioni: 15.8 x 5 x 20.1mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STGWT80H65DFB

EUR 6.17

1

STMicroelectronics IGBT, VCE 650 V, IC 120 A, canale N, TO-3P

STMicroelectronics IGBT, VCE 650 V, IC 120 A, canale N, TO-3P, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 469 W, Tipo di montaggio: Su foro, Velocità di switching: 1MHz, Configurazione transistor: Singolo, Lunghezza: 15.8mm, Larghezza: 5mm, Altezza: 20.1mm, Dimensioni: 15.8 x 5 x 20.1mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STGWT80H65FB

EUR 5.35

1

STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 200 A, canale N, ISOTOP

STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 200 A, canale N, ISOTOP, Tensione massima gate emitter: ±20V, Tipo di montaggio: Montaggio a pannello, Numero pin: 4, Configurazione transistor: Singolo, Lunghezza: 38.2mm, Larghezza: 25.5mm, Altezza: 9.1mm, Dimensioni: 38.2 x 25.5 x 9.1mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: STGE200NB60S

EUR 24.61

1

STMicroelectronics IGBT, VCE 650 V, IC 120 A, canale N, TO-247

STMicroelectronics IGBT, VCE 650 V, IC 120 A, canale N, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 469 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Configurazione transistor: Singolo, Lunghezza: 15.75mm, Larghezza: 5.15mm, Altezza: 20.15mm, Dimensioni: 15.75 x 5.15 x 20.15mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: STGW80H65DFB

EUR 5.35

1

STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 120 A, canale N, TO-247

STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 120 A, canale N, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 469 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Configurazione transistor: Singolo, Lunghezza: 15.75mm, Larghezza: 5.15mm, Altezza: 20.15mm, Dimensioni: 15.75 x 5.15 x 20.15mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: STGW80V60DF

EUR 5.64

1

STMicroelectronics Transistor NPN, 3 + Tab Pin, SOT-223, 200 mA, 1400 V, Montaggio superficiale

STMicroelectronics Transistor NPN, 3 + Tab Pin, SOT-223, 200 mA, 1400 V, Montaggio superficiale, Dissipazione di potenza massima: 1,6 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base emitter: 6 V, Dimensioni: 6.5 x 3.5 x 1.8mm, Lunghezza: 6.5mm, Tensione massima di saturazione emitter: 0,8 V, MPN: STN0214

EUR 0.63

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0,11 O, 120 A, PowerFLAT 5x6, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0,11 O, 120 A, PowerFLAT 5x6, Montaggio superficiale, MPN: STL260N4LF7

EUR 2.02

1

STMicroelectronics Transistor NPN, 3 + Tab Pin, SOT-223, 200 mA, 1400 V, Montaggio superficiale

STMicroelectronics Transistor NPN, 3 + Tab Pin, SOT-223, 200 mA, 1400 V, Montaggio superficiale, Dissipazione di potenza massima: 1,6 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base emitter: 6 V, Dimensioni: 6.5 x 3.5 x 1.8mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Tensione massima di saturazione collettore emitter: 0,3 V, MPN: STN0214

EUR 0.85

1

STMicroelectronics Controller PWM in corrente VIPER50A-E, 1 canali, 1,5 A, 200 kHz, 0 → 15 V, PENTAWATT, 5-Pin

STMicroelectronics Controller PWM in corrente VIPER50A-E, 1 canali, 1,5 A, 200 kHz, 0 → 15 V, PENTAWATT, 5-Pin, Tempo di salita: 50ns, Tempo di discesa: 100ns, Tipo di montaggio: Su foro, Dimensioni: 10.4 x 4.8 x 9.2mm, Lunghezza: 10.4mm, Larghezza: 4.8mm

EUR 2.59

1

DIGITAL MARKETING

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

STMicroelectronics Filtro armonico, 200 V

STMicroelectronics Switch di alimentazione CI, BGA, 196 pin, 200 V

STMicroelectronics Filtro armonico, 200 V

STMicroelectronics Filtro armonico, 200 V

STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 200 A, canale N, ISOTOP

STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 200 A, canale N, ISOTOP

STMicroelectronics IGBT, VCE 650 V, IC 120 A, canale N, TO-247

STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 120 A, canale N, TO-247

STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 120 A, canale N, TO-247

STMicroelectronics IGBT, VCE 650 V, IC 120 A, canale N, TO-3P

STMicroelectronics IGBT, VCE 650 V, IC 120 A, canale N, TO-3P

STMicroelectronics IGBT, VCE 650 V, IC 120 A, canale N, TO-3P

STMicroelectronics IGBT, VCE 650 V, IC 120 A, canale N, TO-247

STMicroelectronics IGBT, VCE 650 V, IC 120 A, canale N, TO-3P

STMicroelectronics MOSFET, 4,5e+006 Ω, 120 A, PowerFLAT 5x6, Montaggio superficiale

STMicroelectronics Transistor bipolare NPN, 3 Pin, SOT-223, 200 mA, 1400 V, Montaggio superficiale

STMicroelectronics IGBT, VCE 650 V, IC 120 A, canale N, TO-3P

STMicroelectronics IGBT, VCE 650 V, IC 120 A, canale N, TO-3P

STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 200 A, canale N, ISOTOP

STMicroelectronics IGBT, VCE 650 V, IC 120 A, canale N, TO-247

STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 120 A, canale N, TO-247

STMicroelectronics Transistor NPN, 3 + Tab Pin, SOT-223, 200 mA, 1400 V, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0,11 O, 120 A, PowerFLAT 5x6, Montaggio superficiale

STMicroelectronics Transistor NPN, 3 + Tab Pin, SOT-223, 200 mA, 1400 V, Montaggio superficiale

STMicroelectronics Controller PWM in corrente VIPER50A-E, 1 canali, 1,5 A, 200 kHz, 0 → 15 V, PENTAWATT, 5-Pin

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