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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 21 mΩ, 7,5 A, SO, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 21 mΩ, 7,5 A, SO, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 8, Resistenza massima drain source: 21 m Ω, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 2,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±16 V, Tensione diretta del diodo: 1.2V, Altezza: 1.65mm, MPN: STS7NF60L

EUR 2.15

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 21 mΩ, 7,5 A, SO, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 21 mΩ, 7,5 A, SO, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 2,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±16 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STS7NF60L

EUR 2.24

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 21 mΩ, 7,5 A, SO, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 21 mΩ, 7,5 A, SO, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 2,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±16 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STS7NF60L

EUR 0.97

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 21 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 21 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 160 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Altezza: 20.15mm, MPN: STW25NM60ND

EUR 6.69

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 158 mΩ, 21 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 158 mΩ, 21 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Altezza: 15.75mm, MPN: STP28NM50N

EUR 6.08

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 158 mΩ, 21 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 158 mΩ, 21 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Altezza: 20.15mm, MPN: STW28NM50N

EUR 6.80

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 158 mΩ, 21 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 158 mΩ, 21 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 35 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Altezza: 16.4mm, MPN: STF28NM50N

EUR 2.45

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 21 mΩ, 180 A, H2PAK-2, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 21 mΩ, 180 A, H2PAK-2, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 80 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 315 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 4.8mm, MPN: STH270N8F7-2

EUR 3.92

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 21 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 21 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 30 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Tensione diretta del diodo: 1.6V, MPN: STF28N60DM2

EUR 3.62

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 21 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 21 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 160 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW25NM60ND

EUR 2.44

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 158 mΩ, 21 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 158 mΩ, 21 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW28NM50N

EUR 6.81

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 158 mΩ, 21 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 158 mΩ, 21 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 35 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STF28NM50N

EUR 5.95

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 21 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 21 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 30 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STF28N60DM2

EUR 3.86

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 158 mΩ, 21 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 158 mΩ, 21 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 35 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STF28NM50N

EUR 2.88

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 158 mΩ, 21 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 158 mΩ, 21 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STP28NM50N

EUR 7.16

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 158 mΩ, 21 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 158 mΩ, 21 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STP28NM50N

EUR 6.08

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 21 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 21 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 160 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW25NM60ND

EUR 2.56

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 158 mΩ, 21 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 158 mΩ, 21 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW28NM50N

EUR 7.90

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 21 mΩ, 180 A, H2PAK-2, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 21 mΩ, 180 A, H2PAK-2, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 80 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 315 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STH270N8F7-2

EUR 4.17

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 21 mΩ, 180 A, H2PAK-2, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 21 mΩ, 180 A, H2PAK-2, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 80 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 315 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STH270N8F7-2

EUR 2.27

1

STMicroelectronics Microcontrollore, ARM Cortex M4, UFQFPN, STM32, 48 Pin, Montaggio superficiale, 32bit, 170MHz

STMicroelectronics Microcontrollore, ARM Cortex M4, UFQFPN, STM32, 48 Pin, Montaggio superficiale, 32bit, 170MHz, Dimensione memoria programmi: 512 kB, Dimensioni RAM: 128 kB, Canali ADC: 21, Tensione di alimentazione operativa tipica: 1,71 3,6 V., Risoluzione ADC: 12bit, ADC: 5 (21 x 12 bit), MPN: STM32G474CEU6

EUR 8.20

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STMicroelectronics Microcontrollore, ARM Cortex-M3, LQFP, STM32, 64 Pin, Montaggio superficiale, 32bit, 32MHz

STMicroelectronics Microcontrollore, ARM Cortex-M3, LQFP, STM32, 64 Pin, Montaggio superficiale, 32bit, 32MHz, Dimensione memoria programmi: 512 kB, Dimensioni RAM: 16 KB, Canali ADC: 21, Numero di canali SPI: 8, Tensione di alimentazione operativa tipica: 1,8 3,6 V, Risoluzione ADC: 12bit, ADC: 1 (21 x 12 bit), MPN: STM32L152RET6

EUR 6.95

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STMicroelectronics Microcontrollore, ARM Cortex-M4, LQFP, STM32, 64 Pin, Montaggio superficiale, 32bit, 72MHz

STMicroelectronics Microcontrollore, ARM Cortex-M4, LQFP, STM32, 64 Pin, Montaggio superficiale, 32bit, 72MHz, Dimensione memoria programmi: 64 kB, Dimensioni RAM: 12 kB, Canali ADC: 21, Tensione di alimentazione operativa tipica: 2 3,6 V, Risoluzione ADC: 12bit, ADC: 2 (21 x 12 bit), Dimensioni: 10 x 10 x 1.45mm, MPN: STM32F334R8T6

EUR 5.33

1

STMicroelectronics Microcontrollore, ARM Cortex-M4, LQFP, STM32, 64 Pin, Montaggio superficiale, 32bit, 72MHz

STMicroelectronics Microcontrollore, ARM Cortex-M4, LQFP, STM32, 64 Pin, Montaggio superficiale, 32bit, 72MHz, Dimensione memoria programmi: 64 kB, Dimensioni RAM: 12 kB, Tensione di alimentazione operativa tipica: 2 3,6 V, ADC: 21 x 12 bit, MPN: STM32F334R8T6

EUR 6.78

1

STMicroelectronics Microcontrollore, ARM Cortex-M4, LQFP, STM32, 64 Pin, Montaggio superficiale, 32bit, 72MHz

STMicroelectronics Microcontrollore, ARM Cortex-M4, LQFP, STM32, 64 Pin, Montaggio superficiale, 32bit, 72MHz, Dimensione memoria programmi: 64 kB, Dimensioni RAM: 12 kB, Tensione di alimentazione operativa tipica: 2 3,6 V, ADC: 21 x 12 bit, MPN: STM32F334R8T6

EUR 4.99

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DIGITAL MARKETING

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 21 mΩ, 7,5 A, SO, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 21 mΩ, 7,5 A, SO, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 21 mΩ, 7,5 A, SO, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 21 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 158 mΩ, 21 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 158 mΩ, 21 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 158 mΩ, 21 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 21 mΩ, 180 A, H2PAK-2, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 21 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 21 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 158 mΩ, 21 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 158 mΩ, 21 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 21 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 158 mΩ, 21 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 158 mΩ, 21 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 158 mΩ, 21 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 21 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 158 mΩ, 21 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 21 mΩ, 180 A, H2PAK-2, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 21 mΩ, 180 A, H2PAK-2, Montaggio superficiale

STMicroelectronics Microcontrollore, ARM Cortex M4, UFQFPN, STM32, 48 Pin, Montaggio superficiale, 32bit, 170MHz

STMicroelectronics Microcontrollore, ARM Cortex-M3, LQFP, STM32, 64 Pin, Montaggio superficiale, 32bit, 32MHz

STMicroelectronics Microcontrollore, ARM Cortex-M4, LQFP, STM32, 64 Pin, Montaggio superficiale, 32bit, 72MHz

STMicroelectronics Microcontrollore, ARM Cortex-M4, LQFP, STM32, 64 Pin, Montaggio superficiale, 32bit, 72MHz

STMicroelectronics Microcontrollore, ARM Cortex-M4, LQFP, STM32, 64 Pin, Montaggio superficiale, 32bit, 72MHz

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