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STMicroelectronics Transistor NPN, 4 Pin, ISOTOP, 100 A, 125 V, Montaggio a pannello

STMicroelectronics Transistor NPN, 4 Pin, ISOTOP, 100 A, 125 V, Montaggio a pannello, Dissipazione di potenza massima: 250 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base del collettore: 200 V, Tensione massima base emitter: 7 V, Dimensioni: 9.1 x 38.2 x 25.5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Altezza: 9.1mm, Lunghezza: 38.2mm, MPN: BUT30V

EUR 40.26

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STMicroelectronics Transistor NPN, 4 Pin, ISOTOP, 100 A, 125 V, Montaggio a pannello

STMicroelectronics Transistor NPN, 4 Pin, ISOTOP, 100 A, 125 V, Montaggio a pannello, Dissipazione di potenza massima: 250 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base del collettore: 200 V, Tensione massima base emitter: 7 V, Dimensioni: 9.1 x 38.2 x 25.5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Tensione massima di saturazione collettore emitter: 1,5 V, MPN: BUT30V

EUR 37.15

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 125 mΩ, 26 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 125 mΩ, 26 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 190 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW33N60M2

EUR 4.80

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 125 mΩ, 26 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 125 mΩ, 26 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 190 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW33N60M2

EUR 5.66

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STMicroelectronics IGBT, VCE 1200 V, IC 150 A, Max247

STMicroelectronics IGBT, VCE 1200 V, IC 150 A, Max247, MPN: STGYA75H120DF2

EUR 9.73

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STMicroelectronics IGBT, VCE 1200 V, IC 150 A, Max247

STMicroelectronics IGBT, VCE 1200 V, IC 150 A, Max247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 750 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, MPN: STGYA75H120DF2

EUR 8.25

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STMicroelectronics IGBT, VCE 1200 V, IC 150 A, Max247

STMicroelectronics IGBT, VCE 1200 V, IC 150 A, Max247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 750 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, MPN: STGYA75H120DF2

EUR 9.93

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 150 mΩ, 22 A, I2PAK, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 150 mΩ, 22 A, I2PAK, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 170 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: +25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STI28N60M2

EUR 2.91

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 150 mΩ, 22 A, I2PAK, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 150 mΩ, 22 A, I2PAK, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 170 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: +25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STI28N60M2

EUR 3.42

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 150 mΩ, 22 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 150 mΩ, 22 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 170 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW28N60M2

EUR 3.50

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 150 mΩ, 22 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 150 mΩ, 22 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 170 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STP28N60M2

EUR 2.89

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 150 mΩ, 23 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 150 mΩ, 23 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 35 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STF28NM60ND

EUR 2.34

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 150 mΩ, 22 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 150 mΩ, 22 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 170 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STP28N60M2

EUR 3.41

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 150 mΩ, 22 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 150 mΩ, 22 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 170 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW28N60M2

EUR 3.05

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 150 mΩ, 22 A, I2PAK, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 150 mΩ, 22 A, I2PAK, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 170 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: +25 V, Tensione diretta del diodo: 1.6V, MPN: STI28N60M2

EUR 3.22

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 125 mΩ, 26 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 125 mΩ, 26 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 190 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Altezza: 20.15mm, MPN: STW33N60M2

EUR 4.83

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 125 mΩ, 18 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 125 mΩ, 18 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 200 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 110 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 15.75mm, MPN: STP20NF20

EUR 1.87

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 150 mΩ, 23 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 150 mΩ, 23 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 35 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Altezza: 16.4mm, MPN: STF28NM60ND

EUR 2.38

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 150 mΩ, 22 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 150 mΩ, 22 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 170 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Altezza: 20.15mm, MPN: STW28N60M2

EUR 2.96

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 150 mΩ, 22 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 150 mΩ, 22 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 170 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Altezza: 15.75mm, MPN: STP28N60M2

EUR 2.88

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 125 mΩ, 18 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 125 mΩ, 18 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 200 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 110 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STP20NF20

EUR 1.87

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 125 mΩ, 18 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 125 mΩ, 18 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 200 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 110 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STP20NF20

EUR 2.18

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 125 mΩ, 18 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 125 mΩ, 18 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 200 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 30 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STF20NF20

EUR 1.87

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 125 mΩ, 18 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 125 mΩ, 18 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 200 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 110 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 2.4mm, MPN: STD25NF20

EUR 1.95

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 125 mΩ, 18 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 125 mΩ, 18 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 200 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 110 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 2.4mm, MPN: STD20NF20

EUR 1.67

1

DIGITAL MARKETING

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

STMicroelectronics Transistor NPN, 4 Pin, ISOTOP, 100 A, 125 V, Montaggio a pannello

STMicroelectronics Transistor NPN, 4 Pin, ISOTOP, 100 A, 125 V, Montaggio a pannello

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 125 mΩ, 26 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 125 mΩ, 26 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics IGBT, VCE 1200 V, IC 150 A, Max247

STMicroelectronics IGBT, VCE 1200 V, IC 150 A, Max247

STMicroelectronics IGBT, VCE 1200 V, IC 150 A, Max247

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 150 mΩ, 22 A, I2PAK, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 150 mΩ, 22 A, I2PAK, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 150 mΩ, 22 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 150 mΩ, 22 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 150 mΩ, 23 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 150 mΩ, 22 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 150 mΩ, 22 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 150 mΩ, 22 A, I2PAK, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 125 mΩ, 26 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 125 mΩ, 18 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 150 mΩ, 23 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 150 mΩ, 22 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 150 mΩ, 22 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 125 mΩ, 18 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 125 mΩ, 18 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 125 mΩ, 18 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 125 mΩ, 18 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 125 mΩ, 18 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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