STMicroelectronics MOSFET, canale N, 6,8 Ω, 2,2 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale
STMicroelectronics MOSFET, canale N, 6,8 Ω, 2,2 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 1000 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 90 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Tensione diretta del diodo: 1.6V, Altezza: 2.4mm, Lunghezza: 6.6mm, MPN: STD4NK100Z