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STMicroelectronics Transistor Darlington NPN, TO-220, 3 Pin, 100 mA, 1200 V, Montaggio su foro

STMicroelectronics Transistor Darlington NPN, TO-220, 3 Pin, 100 mA, 1200 V, Montaggio su foro, Tensione massima base emitter: 20 V, Configurazione transistor: Singolo, Guadagno minimo corrente c.c.: 230 @ 20 mA @ 10 V, Tensione massima di saturazione emitter: 2 V, Tensione massima base del collettore: 2000 V, Corrente massima di cut-off del collettore: 100µA, Dimensioni: 10.4 x 4.6 x 15.75mm, MPN: STP03D200

EUR 8.04

1

STMicroelectronics Transistor Darlington NPN, TO-220, 3 Pin, 100 mA, 1200 V, Montaggio su foro

STMicroelectronics Transistor Darlington NPN, TO-220, 3 Pin, 100 mA, 1200 V, Montaggio su foro, Tensione massima base emitter: 20 V, Configurazione transistor: Singolo, Guadagno minimo corrente c.c.: 230 @ 20 mA @ 10 V, Tensione massima di saturazione emitter: 2 V, Tensione massima base del collettore: 2000 V, Corrente massima di cut-off del collettore: 100µA, Dimensioni: 10.4 x 4.6 x 15.75mm, MPN: STP03D200

EUR 6.94

1

STMicroelectronics Transistor Darlington NPN, TO-220, 3 Pin, 100 mA, 1200 V, Montaggio su foro

STMicroelectronics Transistor Darlington NPN, TO-220, 3 Pin, 100 mA, 1200 V, Montaggio su foro, Tensione massima base emitter: 20 V, Configurazione transistor: Singolo, Guadagno minimo corrente c.c.: 230 @ 20 mA @ 10 V, Tensione massima di saturazione emitter: 2 V, Tensione massima base del collettore: 2000 V, Corrente massima di cut-off del collettore: 100µA, Dimensioni: 10.4 x 4.6 x 15.75mm, MPN: STP03D200

EUR 6.77

1

STMicroelectronics IGBT, VCE 1200 V, IC 150 A, Max247

STMicroelectronics IGBT, VCE 1200 V, IC 150 A, Max247, MPN: STGYA75H120DF2

EUR 9.73

1

STMicroelectronics IGBT, VCE 1200 V, IC 150 A, Max247

STMicroelectronics IGBT, VCE 1200 V, IC 150 A, Max247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 750 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, MPN: STGYA75H120DF2

EUR 8.25

1

STMicroelectronics IGBT, VCE 1200 V, IC 150 A, Max247

STMicroelectronics IGBT, VCE 1200 V, IC 150 A, Max247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 750 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, MPN: STGYA75H120DF2

EUR 9.93

1

STMicroelectronics IGBT, VCE 1200 V, IC 60 A, canale N, TO-247

STMicroelectronics IGBT, VCE 1200 V, IC 60 A, canale N, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±25V, Dissipazione di potenza massima: 220 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Velocità di switching: 1MHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 15.75 x 5.15 x 20.15mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: STGW30NC120HD

EUR 3.78

1

STMicroelectronics IGBT, VCE 1200 V, IC 6 A, canale N, TO-220FP

STMicroelectronics IGBT, VCE 1200 V, IC 6 A, canale N, TO-220FP, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 25 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Velocità di switching: 1MHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 10.4 x 4.6 x 16.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: STGF3NC120HD

EUR 1.83

1

STMicroelectronics IGBT, VCE 1200 V, IC 60 A, canale N, TO-247

STMicroelectronics IGBT, VCE 1200 V, IC 60 A, canale N, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±25V, Dissipazione di potenza massima: 220 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Velocità di switching: 1MHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 15.75 x 5.15 x 20.15mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: STGW30NC120HD

EUR 4.34

1

STMicroelectronics IGBT, VCE 1200 V, IC 6 A, canale N, TO-220FP

STMicroelectronics IGBT, VCE 1200 V, IC 6 A, canale N, TO-220FP, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 25 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Velocità di switching: 1MHz, Configurazione transistor: Singolo, Lunghezza: 10.4mm, Larghezza: 4.6mm, Altezza: 16.4mm, Dimensioni: 10.4 x 4.6 x 16.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STGF3NC120HD

EUR 1.53

1

STMicroelectronics IGBT, VCE 1200 V, IC 80 A, canale N, TO-247

STMicroelectronics IGBT, VCE 1200 V, IC 80 A, canale N, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 468 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Configurazione transistor: Singolo, Lunghezza: 15.9mm, Larghezza: 5.1mm, Altezza: 21.1mm, Dimensioni: 15.9 x 5.1 x 21.1mm, Classe di efficienza energetica: 8.5mJ, Capacità del gate: 2475pF, MPN: STGWA40S120DF3

EUR 7.02

1

STMicroelectronics IGBT, VCE 1200 V, IC 60 A, canale N, TO-247

STMicroelectronics IGBT, VCE 1200 V, IC 60 A, canale N, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±25V, Dissipazione di potenza massima: 220 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Velocità di switching: 1MHz, Configurazione transistor: Singolo, Lunghezza: 15.75mm, Larghezza: 5.15mm, Altezza: 20.15mm, Dimensioni: 15.75 x 5.15 x 20.15mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STGW30NC120HD

EUR 3.71

1

STMicroelectronics IGBT, VCE 1200 V, IC 6 A, canale N, TO-220FP

STMicroelectronics IGBT, VCE 1200 V, IC 6 A, canale N, TO-220FP, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 25 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Velocità di switching: 1MHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 10.4 x 4.6 x 16.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: STGF3NC120HD

EUR 2.11

1

STMicroelectronics IGBT, VCE 1200 V, IC 80 A, canale N, TO-247

STMicroelectronics IGBT, VCE 1200 V, IC 80 A, canale N, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 468 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 15.9 x 5.1 x 21.1mm, Classe di efficienza energetica: 8.5mJ, Capacità del gate: 2475pF, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: STGWA40S120DF3

EUR 6.17

1

STMicroelectronics IGBT, VCE 1200 V, IC 80 A, canale N, TO-247

STMicroelectronics IGBT, VCE 1200 V, IC 80 A, canale N, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 468 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 15.9 x 5.1 x 21.1mm, Classe di efficienza energetica: 8.5mJ, Capacità del gate: 2475pF, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: STGWA40S120DF3

EUR 7.02

1

STMicroelectronics IGBT, VCE 1200 V, IC 10 A, canale N, DPAK (TO-252)

STMicroelectronics IGBT, VCE 1200 V, IC 10 A, canale N, DPAK (TO-252), Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 75 W, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Numero pin: 3, Configurazione transistor: Singolo, Lunghezza: 6.6mm, Larghezza: 6.2mm, Altezza: 2.4mm, Dimensioni: 6.6 x 6.2 x 2.4mm, Classe di efficienza energetica: 12.68mJ, Capacità del gate: 430pF, MPN: STGD5NB120SZT4

EUR 1.60

1

STMicroelectronics Array transistor Darlington NPN, QFN48, 48 Pin, 500 mA, 1,6 V

STMicroelectronics Array transistor Darlington NPN, QFN48, 48 Pin, 500 mA, 1,6 V, MPN: ULN2003TTR

EUR 0.86

1

STMicroelectronics IGBT, VCE 1200 V, IC 10 A, canale N, DPAK (TO-252)

STMicroelectronics IGBT, VCE 1200 V, IC 10 A, canale N, DPAK (TO-252), Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 75 W, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Numero pin: 3, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 6.6 x 6.2 x 2.4mm, Classe di efficienza energetica: 12.68mJ, Capacità del gate: 430pF, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: STGD5NB120SZT4

EUR 0.96

1

STMicroelectronics IGBT, VCE 1200 V, IC 10 A, canale N, DPAK (TO-252)

STMicroelectronics IGBT, VCE 1200 V, IC 10 A, canale N, DPAK (TO-252), Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 75 W, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Numero pin: 3, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 6.6 x 6.2 x 2.4mm, Classe di efficienza energetica: 12.68mJ, Capacità del gate: 430pF, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: STGD5NB120SZT4

EUR 1.88

1

STMicroelectronics Driver per impieghi generici VNB14NV04TR-E, TTL, 20000 mA, 40V, D2PAK, 3-Pin

EUR 2.24

1

STMicroelectronics Driver per impieghi generici VNB10N07-E, TTL, 7000 mA, 18V, D2PAK, 3-Pin

EUR 2.44

1

STMicroelectronics Array transistor Darlington NPN, QFN48, 48 Pin, 500 mA, 1,6 V

STMicroelectronics Array transistor Darlington NPN, QFN48, 48 Pin, 500 mA, 1,6 V, Guadagno minimo corrente c.c.: 1000, MPN: ULN2003TTR

EUR 0.88

1

STMicroelectronics Array transistor Darlington NPN, QFN48, 48 Pin, 500 mA, 1,6 V

STMicroelectronics Array transistor Darlington NPN, QFN48, 48 Pin, 500 mA, 1,6 V, Guadagno minimo corrente c.c.: 1000, MPN: ULN2003TTR

EUR 0.49

1

STMicroelectronics Driver gate MOSFET TD350ETR, 10 mA, 26V, SO, 14-Pin

STMicroelectronics Driver gate MOSFET TD350ETR, 10 mA, 26V, SO, 14-Pin, Tensione di alimentazione operativa minima: 0 V, Tensione di alimentazione operativa massima: 26 V, Topologia: Lato alto, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Corrente di uscita di picco: 10 (Minimum)mA, Polarità: Invertente, Dipendenza alta e bassa: Indipendente, Dimensioni: 8.75 x 4 x 1.65mm, Tempo di discesa: 90ns, Lunghezza: 8.75mm

EUR 2.28

1

STMicroelectronics Driver per impieghi generici VNS7NV04PTR-E, TTL, 6000 mA, 55V, SO-8, 8-Pin

EUR 1.45

1

DIGITAL MARKETING

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

STMicroelectronics Transistor Darlington NPN, TO-220, 3 Pin, 100 mA, 1200 V, Montaggio su foro

STMicroelectronics Transistor Darlington NPN, TO-220, 3 Pin, 100 mA, 1200 V, Montaggio su foro

STMicroelectronics Transistor Darlington NPN, TO-220, 3 Pin, 100 mA, 1200 V, Montaggio su foro

STMicroelectronics IGBT, VCE 1200 V, IC 150 A, Max247

STMicroelectronics IGBT, VCE 1200 V, IC 150 A, Max247

STMicroelectronics IGBT, VCE 1200 V, IC 150 A, Max247

STMicroelectronics IGBT, VCE 1200 V, IC 60 A, canale N, TO-247

STMicroelectronics IGBT, VCE 1200 V, IC 6 A, canale N, TO-220FP

STMicroelectronics IGBT, VCE 1200 V, IC 60 A, canale N, TO-247

STMicroelectronics IGBT, VCE 1200 V, IC 6 A, canale N, TO-220FP

STMicroelectronics IGBT, VCE 1200 V, IC 80 A, canale N, TO-247

STMicroelectronics IGBT, VCE 1200 V, IC 60 A, canale N, TO-247

STMicroelectronics IGBT, VCE 1200 V, IC 6 A, canale N, TO-220FP

STMicroelectronics IGBT, VCE 1200 V, IC 80 A, canale N, TO-247

STMicroelectronics IGBT, VCE 1200 V, IC 80 A, canale N, TO-247

STMicroelectronics IGBT, VCE 1200 V, IC 10 A, canale N, DPAK (TO-252)

STMicroelectronics Array transistor Darlington NPN, QFN48, 48 Pin, 500 mA, 1,6 V

STMicroelectronics IGBT, VCE 1200 V, IC 10 A, canale N, DPAK (TO-252)

STMicroelectronics IGBT, VCE 1200 V, IC 10 A, canale N, DPAK (TO-252)

STMicroelectronics Driver per impieghi generici VNB14NV04TR-E, TTL, 20000 mA, 40V, D2PAK, 3-Pin

STMicroelectronics Driver per impieghi generici VNB10N07-E, TTL, 7000 mA, 18V, D2PAK, 3-Pin

STMicroelectronics Array transistor Darlington NPN, QFN48, 48 Pin, 500 mA, 1,6 V

STMicroelectronics Array transistor Darlington NPN, QFN48, 48 Pin, 500 mA, 1,6 V

STMicroelectronics Driver gate MOSFET TD350ETR, 10 mA, 26V, SO, 14-Pin

STMicroelectronics Driver per impieghi generici VNS7NV04PTR-E, TTL, 6000 mA, 55V, SO-8, 8-Pin

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