STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0,055 Ω, 45 A, H²PAK-7
STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0,055 Ω, 45 A, H²PAK-7, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.2V, Numero di elementi per chip: 1, Materiale del transistor: SiC, Serie: SCTH35, MPN: SCTH35N65G2V-7