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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 380 mΩ, 14 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 380 mΩ, 14 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 380 mΩ, 14 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STB14NK50ZT4

EUR 2.38
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 380 mΩ, 14 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 380 mΩ, 14 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 380 mΩ, 14 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STB14NK50ZT4

EUR 4.35
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 380 mΩ, 11 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 380 mΩ, 11 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 380 mΩ, 11 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 110 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STB13N60M2

EUR 2.29
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 380 mΩ, 11 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 380 mΩ, 11 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 380 mΩ, 11 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 110 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STB13N60M2

EUR 1.14
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 380 mΩ, 11 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 380 mΩ, 11 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 380 mΩ, 11 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 109 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 6.6mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STD13NM60ND

EUR 1.60
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 380 mΩ, 11 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 380 mΩ, 11 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 380 mΩ, 11 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 109 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 6.6mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STD13NM60ND

EUR 2.36
1