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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0,23 Ω, 13 A, DPAK

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0,23 Ω, 13 A, DPAK, MPN: STD18N60M6

EUR 1.83

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0,23 Ω, 13 A, DPAK

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0,23 Ω, 13 A, DPAK, Tensione massima drain source: 600 V, Tensione di soglia gate massima: 4.75V, Serie: M6, MPN: STD18N60M6

EUR 2.45

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0,23 Ω, 13 A, DPAK

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0,23 Ω, 13 A, DPAK, Tensione massima drain source: 600 V, Tensione di soglia gate massima: 4.75V, Serie: M6, MPN: STD18N60M6

EUR 1.33

1

STMicroelectronics Driver LED HVLED001ATR, alimentazione 13 V, SSO 10 Pin

STMicroelectronics Driver LED HVLED001ATR, alimentazione 13 V, SSO 10 Pin, Corrente di alimentazione massima: 3,15 mA, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Dimensioni: 5 x 4 x 1.5mm, Massima temperatura operativa: +125 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Tensione di uscita: 14,5 V, Larghezza: 4mm

EUR 0.52

1

STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 280 mΩ, 13 A, D2PAK, Montaggio superficiale

STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 280 mΩ, 13 A, D2PAK, Montaggio superficiale, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.75V, Tensione di soglia gate minima: 3.25V, Dissipazione di potenza massima: 110 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STB18N60M6

EUR 2.83

1

STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 280 mΩ, 13 A, D2PAK, Montaggio superficiale

STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 280 mΩ, 13 A, D2PAK, Montaggio superficiale, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.75V, Tensione di soglia gate minima: 3.25V, Dissipazione di potenza massima: 110 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STB18N60M6

EUR 1.39

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 280 mΩ, 13 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 280 mΩ, 13 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 110 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Altezza: 15.75mm, MPN: STP18N60M2

EUR 1.88

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 285 mΩ, 13 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 285 mΩ, 13 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 110 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Altezza: 15.75mm, MPN: STP18NM60N

EUR 2.29

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 550 mΩ, 13 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 550 mΩ, 13 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 9.15mm, MPN: STP13NK60Z

EUR 2.35

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 280 mΩ, 13 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 280 mΩ, 13 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 25 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Altezza: 16.4mm, MPN: STF18N60M2

EUR 2.04

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 240 mΩ, 13 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 240 mΩ, 13 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 550 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 90 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Altezza: 15.75mm, MPN: STP18N55M5

EUR 2.74

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 550 mΩ, 13 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 550 mΩ, 13 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 35 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 16.4mm, MPN: STP13NK60ZFP

EUR 4.06

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 700 mΩ, 13 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 700 mΩ, 13 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 1000 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 350 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 20.15mm, MPN: STW13NK100Z

EUR 10.37

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STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 280 mΩ, 13 A, D2PAK, Montaggio superficiale

STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 280 mΩ, 13 A, D2PAK, Montaggio superficiale, Resistenza massima drain source: 280 m Ω, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.75V, Tensione di soglia gate minima: 3.25V, Dissipazione di potenza massima: 110 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±25 V, Tensione diretta del diodo: 1.6V, Altezza: 4.37mm, MPN: STB18N60M6

EUR 2.66

1

STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 280 mΩ, 13 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 280 mΩ, 13 A, TO-220FP, Su foro, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.75V, Tensione di soglia gate minima: 3.25V, Dissipazione di potenza massima: 25 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STF18N60M6

EUR 2.58

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STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 280 mΩ, 13 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 280 mΩ, 13 A, TO-220FP, Su foro, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.75V, Tensione di soglia gate minima: 3.25V, Dissipazione di potenza massima: 25 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STF18N60M6

EUR 2.28

1

STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 290 mΩ, 13 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 290 mΩ, 13 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 30 W, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Altezza: 16.4mm, Lunghezza: 10.6mm, MPN: STF18NM60ND

EUR 1.31

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 240 mΩ, 13 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 240 mΩ, 13 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 550 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 90 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: +25 V, Altezza: 2.4mm, MPN: STD18N55M5

EUR 2.82

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 280 mΩ, 13 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 280 mΩ, 13 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 110 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STP18N60M2

EUR 1.88

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 280 mΩ, 13 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 280 mΩ, 13 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 110 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STP18N60M2

EUR 2.22

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 280 mΩ, 13 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 280 mΩ, 13 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 25 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STF18N60M2

EUR 2.44

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 550 mΩ, 13 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 550 mΩ, 13 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STP13NK60Z

EUR 2.34

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 285 mΩ, 13 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 285 mΩ, 13 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 110 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STP18NM60N

EUR 2.69

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 240 mΩ, 13 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 240 mΩ, 13 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 550 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 90 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STP18N55M5

EUR 3.24

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 550 mΩ, 13 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 550 mΩ, 13 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STP13NK60Z

EUR 2.74

1

DIGITAL MARKETING

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0,23 Ω, 13 A, DPAK

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0,23 Ω, 13 A, DPAK

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0,23 Ω, 13 A, DPAK

STMicroelectronics Driver LED HVLED001ATR, alimentazione 13 V, SSO 10 Pin

STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 280 mΩ, 13 A, D2PAK, Montaggio superficiale

STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 280 mΩ, 13 A, D2PAK, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 280 mΩ, 13 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 285 mΩ, 13 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 550 mΩ, 13 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 280 mΩ, 13 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 240 mΩ, 13 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 550 mΩ, 13 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 700 mΩ, 13 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 280 mΩ, 13 A, D2PAK, Montaggio superficiale

STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 280 mΩ, 13 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 280 mΩ, 13 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 290 mΩ, 13 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 240 mΩ, 13 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 280 mΩ, 13 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 280 mΩ, 13 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 280 mΩ, 13 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 550 mΩ, 13 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 285 mΩ, 13 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 240 mΩ, 13 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 550 mΩ, 13 A, TO-220, Su foro

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