STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 1.200 V, 7-Pin, H2PAK-7 Silicio
STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 1.200 V, 7-Pin, H2PAK-7 Silicio, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,052 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, MPN: SCTH60N120G2-7