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STMicroelectronics MOSFET, RF2L36075CF2, 60 V, 2-Pin, B2 RF2L

STMicroelectronics MOSFET, 60 V, 2-Pin, B2 RF2L, MPN: RF2L36075CF2

EUR 125.54

1

STMicroelectronics Placa de evaluación Convertidor de retorno Three Output Isolated Flyback Converter - STEVAL-VP26K01F

STMicroelectronics Placa de evaluación Convertidor de retorno Three Output Isolated Flyback Converter - STEVAL-VP26K01F, Para Usar Con: STCOMET Smart Meter y sistema PLC, Dispositivo mostrado: VIPER267KDTR

EUR 56.31

1

STMicroelectronics MOSFET, STP60NF06L, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, TO-220 STripFET II Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, TO-220 STripFET II Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 14 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 110 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -15 V, +15 V, Altura: 9.15mm, Longitud: 10.4mm, MPN: STP60NF06L

EUR 2.08

1

STMicroelectronics MOSFET, STP65NF06, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, TO-220 STripFET II Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, TO-220 STripFET II Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 14 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 110 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 15.75mm, MPN: STP65NF06

EUR 2.19

1

STMicroelectronics MOSFET, STP60NF06L, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, TO-220 STripFET II Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, TO-220 STripFET II Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 14 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 110 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -15 V, +15 V, Longitud: 10.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: STP60NF06L

EUR 2.10

1

STMicroelectronics MOSFET, STP60NF06L, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, TO-220 STripFET II Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, TO-220 STripFET II Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 14 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 110 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -15 V, +15 V, Longitud: 10.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: STP60NF06L

EUR 2.46

1

STMicroelectronics MOSFET, STB60NF06LT4, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) STripFET II Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) STripFET II Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 14 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 110 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -15 V, +15 V, Altura: 4.6mm, Longitud: 10.4mm, MPN: STB60NF06LT4

EUR 1.46

1

STMicroelectronics MOSFET, STD60NF06T4, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) STripFET II Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) STripFET II Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 16 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 110000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 2.4mm, MPN: STD60NF06T4

EUR 1.61

1

STMicroelectronics MOSFET, STB60NF06LT4, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) STripFET II Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) STripFET II Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 14 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 110 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -15 V, +15 V, Longitud: 10.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: STB60NF06LT4

EUR 0.85

1

STMicroelectronics MOSFET, STB60NF06LT4, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) STripFET II Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) STripFET II Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 14 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 110 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -15 V, +15 V, Longitud: 10.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: STB60NF06LT4

EUR 1.71

1

STMicroelectronics MOSFET, SCTWA60N120G2-4, 60 A, 1.200 V, 4-Pin, HiP247 SCTW

STMicroelectronics MOSFET, 60 A, 1.200 V, 4-Pin, HiP247 SCTW, MPN: SCTWA60N120G2-4

EUR 23.49

1

STMicroelectronics IGBT, STGWA30IH65DF, 60 A, 650 V, TO-247, 4-Pines 1

STMicroelectronics IGBT, 60 A, 650 V, TO-247, 4-Pines 1, MPN: STGWA30IH65DF

EUR 2.63

1

STMicroelectronics MOSFET, STP60NF06, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, TO-220 STripFET II Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, TO-220 STripFET II Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 16 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 150 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: STP60NF06

EUR 1.51

1

STMicroelectronics MOSFET, STP65NF06, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, TO-220 STripFET II Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, TO-220 STripFET II Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 14 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 110 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: STP65NF06

EUR 2.42

1

STMicroelectronics MOSFET, STP65NF06, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, TO-220 STripFET II Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, TO-220 STripFET II Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 14 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 110 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: STP65NF06

EUR 2.08

1

STMicroelectronics MOSFET, STP60NF06, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, TO-220 STripFET II Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, TO-220 STripFET II Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 16 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 150 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: STP60NF06

EUR 1.67

1

STMicroelectronics MOSFET, STD60NF06T4, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) STripFET II Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) STripFET II Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 16 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 110000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 6.6mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: STD60NF06T4

EUR 1.88

1

STMicroelectronics MOSFET, STD60NF06T4, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) STripFET II Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) STripFET II Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 16 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 110 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 6.6mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: STD60NF06T4

EUR 0.94

1

STMicroelectronics MOSFET, RF2L36075CF2, 60 V, 2-Pin, B2 RF2L

STMicroelectronics MOSFET, 60 V, 2-Pin, B2 RF2L, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, MPN: RF2L36075CF2

EUR 136.90

1

STMicroelectronics MOSFET, RF2L36075CF2, 60 V, 2-Pin, B2 RF2L

STMicroelectronics MOSFET, 60 V, 2-Pin, B2 RF2L, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, MPN: RF2L36075CF2

EUR 127.35

1

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 1.200 V, 7-Pin, H2PAK-7 Silicio

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 1.200 V, 7-Pin, H2PAK-7 Silicio, MPN: SCTH60N120G2-7

EUR 19.45

1

STMicroelectronics IGBT, STGWA30IH65DF, 60 A, 650 V, TO-247, 4-Pines 1

STMicroelectronics IGBT, 60 A, 650 V, TO-247, 4-Pines 1, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 108 W, MPN: STGWA30IH65DF

EUR 3.08

1

STMicroelectronics IGBT, STGWA30IH65DF, 60 A, 650 V, TO-247, 4-Pines 1

STMicroelectronics IGBT, 60 A, 650 V, TO-247, 4-Pines 1, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 108 W, MPN: STGWA30IH65DF

EUR 2.61

1

STMicroelectronics MOSFET, STN3NF06, N-Canal-Canal, 4 A, 60 V, 4-Pin, SOT-223 STN3N Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 4 A, 60 V, 4-Pin, SOT-223 STN3N Si, MPN: STN3NF06

EUR 0.81

1

STMicroelectronics Transistor, 2STF2360, PNP 3 A 60 V SOT-89, 3 pines, 130 MHz, Simple

STMicroelectronics Transistor, PNP 3 A 60 V SOT-89, 3 pines, 130 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 1,4 W, Ganancia Mínima de Corriente DC: 80, Tensión Base Máxima del Colector: -60 V, Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V, Dimensiones: 4.6 x 2.6 x 1.6mm, MPN: 2STF2360

EUR 0.30

1

DIGITAL MARKETING

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

STMicroelectronics MOSFET, RF2L36075CF2, 60 V, 2-Pin, B2 RF2L

STMicroelectronics Placa de evaluación Convertidor de retorno Three Output Isolated Flyback Converter - STEVAL-VP26K01F

STMicroelectronics MOSFET, STP60NF06L, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, TO-220 STripFET II Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STP65NF06, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, TO-220 STripFET II Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STP60NF06L, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, TO-220 STripFET II Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STP60NF06L, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, TO-220 STripFET II Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STB60NF06LT4, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) STripFET II Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STD60NF06T4, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) STripFET II Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STB60NF06LT4, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) STripFET II Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STB60NF06LT4, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) STripFET II Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, SCTWA60N120G2-4, 60 A, 1.200 V, 4-Pin, HiP247 SCTW

STMicroelectronics IGBT, STGWA30IH65DF, 60 A, 650 V, TO-247, 4-Pines 1

STMicroelectronics MOSFET, STP60NF06, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, TO-220 STripFET II Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STP65NF06, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, TO-220 STripFET II Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STP65NF06, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, TO-220 STripFET II Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STP60NF06, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, TO-220 STripFET II Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STD60NF06T4, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) STripFET II Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STD60NF06T4, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) STripFET II Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, RF2L36075CF2, 60 V, 2-Pin, B2 RF2L

STMicroelectronics MOSFET, RF2L36075CF2, 60 V, 2-Pin, B2 RF2L

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 1.200 V, 7-Pin, H2PAK-7 Silicio

STMicroelectronics IGBT, STGWA30IH65DF, 60 A, 650 V, TO-247, 4-Pines 1

STMicroelectronics IGBT, STGWA30IH65DF, 60 A, 650 V, TO-247, 4-Pines 1

STMicroelectronics MOSFET, STN3NF06, N-Canal-Canal, 4 A, 60 V, 4-Pin, SOT-223 STN3N Si

STMicroelectronics Transistor, 2STF2360, PNP 3 A 60 V SOT-89, 3 pines, 130 MHz, Simple

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