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STMicroelectronics MOSFET, STF21NM60ND, N-Canal-Canal, 17 A, 600 V, 3-Pin, TO-220FP FDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 17 A, 600 V, 3-Pin, TO-220FP FDmesh Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 220 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 30 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Altura: 16.4mm, MPN: STF21NM60ND

EUR 1.00

1

STMicroelectronics MOSFET, STP18NM80, N-Canal-Canal, 17 A, 800 V, 3-Pin, TO-220 MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 17 A, 800 V, 3-Pin, TO-220 MDmesh Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 295 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 190 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Altura: 15.75mm, MPN: STP18NM80

EUR 5.98

1

STMicroelectronics MOSFET, STF24NM60N, N-Canal-Canal, 17 A, 650 V, 3-Pin, TO-220FP MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 17 A, 650 V, 3-Pin, TO-220FP MDmesh Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 190 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 30 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Altura: 16.4mm, MPN: STF24NM60N

EUR 2.88

1

STMicroelectronics MOSFET, STP24NM60N, N-Canal-Canal, 17 A, 650 V, 3-Pin, TO-220 MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 17 A, 650 V, 3-Pin, TO-220 MDmesh Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 190 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 125 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Altura: 15.75mm, MPN: STP24NM60N

EUR 2.89

1

STMicroelectronics MOSFET, STF24NM60N, N-Canal-Canal, 17 A, 650 V, 3-Pin, TO-220FP MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 17 A, 650 V, 3-Pin, TO-220FP MDmesh Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 190 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 30 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 10.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: STF24NM60N

EUR 3.38

1

STMicroelectronics MOSFET, STP18NM80, N-Canal-Canal, 17 A, 800 V, 3-Pin, TO-220 MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 17 A, 800 V, 3-Pin, TO-220 MDmesh Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 295 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 190 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 10.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: STP18NM80

EUR 6.07

1

STMicroelectronics MOSFET, STP24NM60N, N-Canal-Canal, 17 A, 650 V, 3-Pin, TO-220 MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 17 A, 650 V, 3-Pin, TO-220 MDmesh Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 190 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 125 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 10.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: STP24NM60N

EUR 3.09

1

STMicroelectronics MOSFET, STP24NM60N, N-Canal-Canal, 17 A, 650 V, 3-Pin, TO-220 MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 17 A, 650 V, 3-Pin, TO-220 MDmesh Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 190 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 125 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 10.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: STP24NM60N

EUR 3.40

1

STMicroelectronics MOSFET, STF24NM60N, N-Canal-Canal, 17 A, 650 V, 3-Pin, TO-220FP MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 17 A, 650 V, 3-Pin, TO-220FP MDmesh Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 190 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 30 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 10.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: STF24NM60N

EUR 2.87

1

STMicroelectronics MOSFET, STF21NM60ND, N-Canal-Canal, 17 A, 600 V, 3-Pin, TO-220FP FDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 17 A, 600 V, 3-Pin, TO-220FP FDmesh Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 220 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 30 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Longitud: 10.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: STF21NM60ND

EUR 1.00

1

STMicroelectronics MOSFET, STF21NM60ND, N-Canal-Canal, 17 A, 600 V, 3-Pin, TO-220FP FDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 17 A, 600 V, 3-Pin, TO-220FP FDmesh Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 220 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 30 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Longitud: 10.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: STF21NM60ND

EUR 0.98

1

STMicroelectronics MOSFET, STP18NM80, N-Canal-Canal, 17 A, 800 V, 3-Pin, TO-220 MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 17 A, 800 V, 3-Pin, TO-220 MDmesh Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 295 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 190 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 10.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: STP18NM80

EUR 7.02

1

STMicroelectronics MOSFET, STD17NF03LT4, N-Canal-Canal, 17 A, 30 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) STripFET Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 17 A, 30 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) STripFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 60 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 30 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -16 V, +16 V, Altura: 2.4mm, MPN: STD17NF03LT4

EUR 0.87

1

STMicroelectronics MOSFET, STB24NM60N, N-Canal-Canal, 17 A, 650 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 17 A, 650 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) MDmesh Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 190 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 125 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Altura: 4.6mm, MPN: STB24NM60N

EUR 5.44

1

STMicroelectronics MOSFET, STB18NM80, N-Canal-Canal, 17 A, 800 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 17 A, 800 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) MDmesh Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 295 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 190 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Altura: 4.6mm, MPN: STB18NM80

EUR 3.92

1

STMicroelectronics MOSFET, STF17NF25, N-Canal-Canal, 17 A, 250 V, 3-Pin, TO-220FP STripFET II Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 17 A, 250 V, 3-Pin, TO-220FP STripFET II Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 165 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 25 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 16.4mm, MPN: STF17NF25

EUR 1.17

1

STMicroelectronics MOSFET, STB23NM50N, N-Canal-Canal, 17 A, 500 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 17 A, 500 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) MDmesh Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 190 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 125 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Altura: 4.6mm, MPN: STB23NM50N

EUR 3.99

1

STMicroelectronics MOSFET, STW20NK50Z, N-Canal-Canal, 17 A, 500 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh, SuperMESH Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 17 A, 500 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh, SuperMESH Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 270 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 190 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Altura: 20.15mm, MPN: STW20NK50Z

EUR 4.14

1

STMicroelectronics MOSFET, STB18NM80, N-Canal-Canal, 17 A, 800 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 17 A, 800 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) MDmesh Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 295 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 190 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 10.75mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: STB18NM80

EUR 2.61

1

STMicroelectronics MOSFET, STD17NF03LT4, N-Canal-Canal, 17 A, 30 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) STripFET Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 17 A, 30 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) STripFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 60 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 30 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -16 V, +16 V, Longitud: 6.6mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: STD17NF03LT4

EUR 0.44

1

STMicroelectronics MOSFET, STB18NM80, N-Canal-Canal, 17 A, 800 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 17 A, 800 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) MDmesh Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 295 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 190 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 10.75mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: STB18NM80

EUR 4.63

1

STMicroelectronics MOSFET, STB24NM60N, N-Canal-Canal, 17 A, 650 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 17 A, 650 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) MDmesh Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 190 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 125 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 10.75mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: STB24NM60N

EUR 6.38

1

STMicroelectronics MOSFET, STB24NM60N, N-Canal-Canal, 17 A, 650 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 17 A, 650 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) MDmesh Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 190 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 125 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 10.75mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: STB24NM60N

EUR 3.54

1

STMicroelectronics MOSFET, STB23NM50N, N-Canal-Canal, 17 A, 500 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 17 A, 500 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) MDmesh Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 190 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 125 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Longitud: 10.75mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: STB23NM50N

EUR 2.64

1

STMicroelectronics MOSFET, STD17NF03LT4, N-Canal-Canal, 17 A, 30 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) STripFET Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 17 A, 30 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) STripFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 60 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 30 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -16 V, +16 V, Longitud: 6.6mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: STD17NF03LT4

EUR 0.92

1

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Marchand

Prix (EUR)

STMicroelectronics MOSFET, STF21NM60ND, N-Canal-Canal, 17 A, 600 V, 3-Pin, TO-220FP FDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STP18NM80, N-Canal-Canal, 17 A, 800 V, 3-Pin, TO-220 MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STF24NM60N, N-Canal-Canal, 17 A, 650 V, 3-Pin, TO-220FP MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STP24NM60N, N-Canal-Canal, 17 A, 650 V, 3-Pin, TO-220 MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STF24NM60N, N-Canal-Canal, 17 A, 650 V, 3-Pin, TO-220FP MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STP18NM80, N-Canal-Canal, 17 A, 800 V, 3-Pin, TO-220 MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STP24NM60N, N-Canal-Canal, 17 A, 650 V, 3-Pin, TO-220 MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STP24NM60N, N-Canal-Canal, 17 A, 650 V, 3-Pin, TO-220 MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STF24NM60N, N-Canal-Canal, 17 A, 650 V, 3-Pin, TO-220FP MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STF21NM60ND, N-Canal-Canal, 17 A, 600 V, 3-Pin, TO-220FP FDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STF21NM60ND, N-Canal-Canal, 17 A, 600 V, 3-Pin, TO-220FP FDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STP18NM80, N-Canal-Canal, 17 A, 800 V, 3-Pin, TO-220 MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STD17NF03LT4, N-Canal-Canal, 17 A, 30 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) STripFET Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STB24NM60N, N-Canal-Canal, 17 A, 650 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STB18NM80, N-Canal-Canal, 17 A, 800 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STF17NF25, N-Canal-Canal, 17 A, 250 V, 3-Pin, TO-220FP STripFET II Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STB23NM50N, N-Canal-Canal, 17 A, 500 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STW20NK50Z, N-Canal-Canal, 17 A, 500 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh, SuperMESH Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STB18NM80, N-Canal-Canal, 17 A, 800 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STD17NF03LT4, N-Canal-Canal, 17 A, 30 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) STripFET Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STB18NM80, N-Canal-Canal, 17 A, 800 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STB24NM60N, N-Canal-Canal, 17 A, 650 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STB24NM60N, N-Canal-Canal, 17 A, 650 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STB23NM50N, N-Canal-Canal, 17 A, 500 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) MDmesh Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STD17NF03LT4, N-Canal-Canal, 17 A, 30 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) STripFET Simple Si

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