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STMicroelectronics MOSFET, STH310N10F7-6, N-Canal-Canal, 180 A, 100 V, 7-Pin, H2PAK STripFET H7 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STH310N10F7-6, N-Canal-Canal, 180 A, 100 V, 7-Pin, H2PAK STripFET H7 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 180 A, 100 V, 7-Pin, H2PAK STripFET H7 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2,3 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 315 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 4.8mm, MPN: STH310N10F7-6

EUR 5.61
1

STMicroelectronics MOSFET, STP310N10F7, N-Canal-Canal, 180 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 STripFET H7 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STP310N10F7, N-Canal-Canal, 180 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 STripFET H7 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 180 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 STripFET H7 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2,7 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 315 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 15.75mm, MPN: STP310N10F7

EUR 4.31
1

STMicroelectronics MOSFET, STH310N10F7-2, N-Canal-Canal, 180 A, 100 V, 3-Pin, H2PAK STripFET H7 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STH310N10F7-2, N-Canal-Canal, 180 A, 100 V, 3-Pin, H2PAK STripFET H7 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 180 A, 100 V, 3-Pin, H2PAK STripFET H7 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2,3 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 315 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 4.8mm, MPN: STH310N10F7-2

EUR 4.87
1

STMicroelectronics MOSFET, STH270N8F7-2, N-Canal-Canal, 180 A, 80 V, 3-Pin, H2PAK-2 STripFET H7 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STH270N8F7-2, N-Canal-Canal, 180 A, 80 V, 3-Pin, H2PAK-2 STripFET H7 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 180 A, 80 V, 3-Pin, H2PAK-2 STripFET H7 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 21 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 315 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 4.8mm, MPN: STH270N8F7-2

EUR 3.92
1

STMicroelectronics MOSFET, STH310N10F7-6, N-Canal-Canal, 180 A, 100 V, 7-Pin, H2PAK STripFET H7 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STH310N10F7-6, N-Canal-Canal, 180 A, 100 V, 7-Pin, H2PAK STripFET H7 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 180 A, 100 V, 7-Pin, H2PAK STripFET H7 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2,3 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 315 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 15.25mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: STH310N10F7-6

EUR 3.27
1

STMicroelectronics MOSFET, STH310N10F7-6, N-Canal-Canal, 180 A, 100 V, 7-Pin, H2PAK STripFET H7 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STH310N10F7-6, N-Canal-Canal, 180 A, 100 V, 7-Pin, H2PAK STripFET H7 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 180 A, 100 V, 7-Pin, H2PAK STripFET H7 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2,3 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 315 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 15.25mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: STH310N10F7-6

EUR 5.96
1

STMicroelectronics MOSFET, STH310N10F7-2, N-Canal-Canal, 180 A, 100 V, 3-Pin, H2PAK STripFET H7 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STH310N10F7-2, N-Canal-Canal, 180 A, 100 V, 3-Pin, H2PAK STripFET H7 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 180 A, 100 V, 3-Pin, H2PAK STripFET H7 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2,3 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 315 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 15.8mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: STH310N10F7-2

EUR 5.19
1

STMicroelectronics MOSFET, STH310N10F7-2, N-Canal-Canal, 180 A, 100 V, 3-Pin, H2PAK STripFET H7 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STH310N10F7-2, N-Canal-Canal, 180 A, 100 V, 3-Pin, H2PAK STripFET H7 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 180 A, 100 V, 3-Pin, H2PAK STripFET H7 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2,3 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 315 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 15.8mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: STH310N10F7-2

EUR 2.85
1

STMicroelectronics MOSFET, STP310N10F7, N-Canal-Canal, 180 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 STripFET H7 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STP310N10F7, N-Canal-Canal, 180 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 STripFET H7 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 180 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 STripFET H7 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2,7 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 315 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: STP310N10F7

EUR 5.05
1

STMicroelectronics MOSFET, STP310N10F7, N-Canal-Canal, 180 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 STripFET H7 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STP310N10F7, N-Canal-Canal, 180 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 STripFET H7 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 180 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 STripFET H7 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2,7 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 315 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: STP310N10F7

EUR 4.29
1

STMicroelectronics MOSFET, STH270N8F7-2, N-Canal-Canal, 180 A, 80 V, 3-Pin, H2PAK-2 STripFET H7 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STH270N8F7-2, N-Canal-Canal, 180 A, 80 V, 3-Pin, H2PAK-2 STripFET H7 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 180 A, 80 V, 3-Pin, H2PAK-2 STripFET H7 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 21 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 315 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: STH270N8F7-2

EUR 2.27
1

STMicroelectronics MOSFET, STH270N8F7-2, N-Canal-Canal, 180 A, 80 V, 3-Pin, H2PAK-2 STripFET H7 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STH270N8F7-2, N-Canal-Canal, 180 A, 80 V, 3-Pin, H2PAK-2 STripFET H7 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 180 A, 80 V, 3-Pin, H2PAK-2 STripFET H7 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 21 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 315 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: STH270N8F7-2

EUR 4.17
1