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STMicroelectronics MOSFET canal N,, SO 7,5 A 60 V, 8 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, SO 7,5 A 60 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 21 m Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 2,5 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±16 V, Tension directe de la diode: 1.2V, Hauteur: 1.65mm, MPN: STS7NF60L

EUR 2.15

3

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 21 mΩ, 7,5 A, SO, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 21 mΩ, 7,5 A, SO, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 2,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±16 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STS7NF60L

EUR 0.97

1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, SO 7,5 A 60 V, 8 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, SO 7,5 A 60 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 21 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 2,5 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±16 V, Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STS7NF60L

EUR 2.24

3

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 158 mΩ, 21 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 158 mΩ, 21 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Altezza: 20.15mm, MPN: STW28NM50N

EUR 6.80

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 21 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 21 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 160 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Altezza: 20.15mm, MPN: STW25NM60ND

EUR 6.69

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 158 mΩ, 21 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 158 mΩ, 21 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Altezza: 15.75mm, MPN: STP28NM50N

EUR 6.08

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 21 mΩ, 180 A, H2PAK-2, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 21 mΩ, 180 A, H2PAK-2, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 80 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 315 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 4.8mm, MPN: STH270N8F7-2

EUR 3.92

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 158 mΩ, 21 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 158 mΩ, 21 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 35 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Altezza: 16.4mm, MPN: STF28NM50N

EUR 2.45

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 158 mΩ, 21 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 158 mΩ, 21 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STP28NM50N

EUR 6.08

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 21 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 21 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 30 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STF28N60DM2

EUR 3.86

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 158 mΩ, 21 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 158 mΩ, 21 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 35 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STF28NM50N

EUR 2.88

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 158 mΩ, 21 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 158 mΩ, 21 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STP28NM50N

EUR 7.16

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 21 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 21 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 30 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Tensione diretta del diodo: 1.6V, MPN: STF28N60DM2

EUR 3.62

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 158 mΩ, 21 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 158 mΩ, 21 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW28NM50N

EUR 7.90

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 158 mΩ, 21 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 158 mΩ, 21 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 35 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STF28NM50N

EUR 5.95

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 21 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 21 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 160 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW25NM60ND

EUR 2.56

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 158 mΩ, 21 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 158 mΩ, 21 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW28NM50N

EUR 6.81

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 21 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 21 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 160 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW25NM60ND

EUR 2.44

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 21 mΩ, 180 A, H2PAK-2, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 21 mΩ, 180 A, H2PAK-2, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 80 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 315 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STH270N8F7-2

EUR 4.17

1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-247 21 A 500 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-247 21 A 500 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 158 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Hauteur: 20.15mm, MPN: STW28NM50N

EUR 6.80

1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220 21 A 500 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220 21 A 500 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 158 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Hauteur: 15.75mm, MPN: STP28NM50N

EUR 6.08

1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 21 A 500 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 21 A 500 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 158 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 35 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Hauteur: 16.4mm, MPN: STF28NM50N

EUR 2.45

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 21 mΩ, 180 A, H2PAK-2, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 21 mΩ, 180 A, H2PAK-2, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 80 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 315 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STH270N8F7-2

EUR 2.27

1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-247 21 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-247 21 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 160 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 160 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Hauteur: 20.15mm, MPN: STW25NM60ND

EUR 6.69

1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 21 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 21 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 160 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 160 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STW25NM60ND

EUR 2.44

1

DIGITAL MARKETING

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

STMicroelectronics MOSFET canal N,, SO 7,5 A 60 V, 8 broches

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 21 mΩ, 7,5 A, SO, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET canal N,, SO 7,5 A 60 V, 8 broches

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 158 mΩ, 21 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 21 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 158 mΩ, 21 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 21 mΩ, 180 A, H2PAK-2, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 158 mΩ, 21 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 158 mΩ, 21 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 21 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 158 mΩ, 21 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 158 mΩ, 21 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 21 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 158 mΩ, 21 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 158 mΩ, 21 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 21 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 158 mΩ, 21 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 21 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 21 mΩ, 180 A, H2PAK-2, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-247 21 A 500 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220 21 A 500 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 21 A 500 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 21 mΩ, 180 A, H2PAK-2, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-247 21 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 21 A 600 V, 3 broches

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