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ROHM Diode de commutation, 300mA, 80V, SOT-363, 6 broches Quad, Cathode commune 2 paires

ROHM Diode de commutation, 300mA, 80V, SOT-363, 6 broches Quad, Cathode commune 2 paires, Type de montage: CMS, Nombre d'éléments par circuit: 4, Capacitance de diode maximum: 3.5pF, Température d'utilisation maximum: 150 °C, Longueur: 2mm, Largeur: 1.25mm, Hauteur: 0.9mm, Dimensions: 2 x 1.25 x 0.9mm, Pouvoir de dissipation: 200mW, MPN: UMN11NTN

EUR 0.27

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ROHM MOSFET canal N,, TSMT 2 A 30 V, 6 broches

ROHM MOSFET canal N,, TSMT 2 A 30 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 194 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.5V, Dissipation de puissance maximum: 1,25 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -12 V, +12 V, Longueur: 2.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: RTQ020N03TR

EUR 0.47

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ROHM Transistor, PNP Isolé, 150 mA, 50 V, UMT, 6 broches Dual

ROHM Transistor, PNP Isolé, 150 mA, 50 V, UMT, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 150 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 140 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 0.9 x 2 x 1.25mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: UMT1NTN

EUR 0.26

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ROHM Transistor, PNP Isolé, 150 mA, 50 V, UMT, 6 broches Dual

ROHM Transistor, PNP Isolé, 150 mA, 50 V, UMT, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 150 mW, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 140 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 0.9 x 2 x 1.25mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: UMT1NTN

EUR 0.07

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ROHM Transistor bipolaire, 100 mA, -50 V, SOT-457, 6 broches Dual

ROHM Transistor bipolaire, 100 mA, -50 V, SOT-457, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Nombre d'éléments par circuit: 2, MPN: IMB3AT110

EUR 0.29

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ROHM Transistor bipolaire, 100 mA, -50 V, SOT-563, 6 broches Dual

ROHM Transistor bipolaire, 100 mA, -50 V, SOT-563, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Nombre d'éléments par circuit: 2, MPN: EMB11T2R

EUR 0.09

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ROHM Transistor bipolaire, 100 A, -50 V, SOT-363, 6 broches Dual

ROHM Transistor bipolaire, 100 A, -50 V, SOT-363, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Nombre d'éléments par circuit: 2, MPN: UMB10NFHATN

EUR 0.06

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ROHM Transistor bipolaire, 100 mA, -50 V, SOT-563, 6 broches Dual

ROHM Transistor bipolaire, 100 mA, -50 V, SOT-563, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Nombre d'éléments par circuit: 2, MPN: EMB11T2R

EUR 0.37

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ROHM Transistor bipolaire, 100 mA, -50 V, SOT-457, 6 broches Dual

ROHM Transistor bipolaire, 100 mA, -50 V, SOT-457, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Nombre d'éléments par circuit: 2, MPN: IMB3AT110

EUR 0.10

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ROHM Transistor bipolaire, 100 A, -50 V, SOT-363, 6 broches Dual

ROHM Transistor bipolaire, 100 A, -50 V, SOT-363, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Nombre d'éléments par circuit: 2, MPN: UMB10NFHATN

EUR 0.27

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ROHM Transistor numérique, PNP/PNP, 100 mA, -50 V, EMY6, 6 broches Dual

ROHM Transistor numérique, PNP/PNP, 100 mA, -50 V, EMY6, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Nombre d'éléments par circuit: 2, MPN: EMB60T2R

EUR 0.04

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ROHM Transistor numérique, PNP/PNP, 100 mA, -50 V, EMY6, 6 broches Dual

ROHM Transistor numérique, PNP/PNP, 100 mA, -50 V, EMY6, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Nombre d'éléments par circuit: 2, MPN: EMB60T2R

EUR 0.19

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ROHM Transistor bipolaire, NPN, 150 mA, 50 V, SOT-457, 6 broches Dual

ROHM Transistor bipolaire, NPN, 150 mA, 50 V, SOT-457, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Nombre d'éléments par circuit: 2, MPN: IMX1T110

EUR 0.37

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ROHM Transistor bipolaire, NPN, 150 mA, 50 V, SOT-457, 6 broches Dual

ROHM Transistor bipolaire, NPN, 150 mA, 50 V, SOT-457, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Nombre d'éléments par circuit: 2, MPN: IMX1T110

EUR 0.08

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ROHM MOSFET canal P,, SOT-457 (SC-74) 2 A 12 V, 6 broches

ROHM MOSFET canal P,, SOT-457 (SC-74) 2 A 12 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 400 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.3V, Dissipation de puissance maximum: 1,25 W, Configuration du transistor: Base double, Tension Grille Source maximum: -10 V, +10 V, Longueur: 3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: QS6J11TR

EUR 0.50

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