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Nexperia MOSFET, canale N, P, 2,8 Ω, 7,8 Ω, 220 mA, 400 mA, SOT-666, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, P, 2,8 Ω, 7,8 Ω, 220 mA, 400 mA, SOT-666, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, P, 2,8 Ω, 7,8 Ω, 220 mA, 400 mA, SOT-666, Montaggio superficiale, Corrente massima continuativa di drain: 220 mA, 400 mA, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.1V, Tensione di soglia gate minima: 0.6V, Dissipazione di potenza massima: 500 mW, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Lunghezza: 1.7mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: NX3008CBKV,115

EUR 0.09
1

Nexperia MOSFET, canale N, P, 3,6 Ω, 13,5 Ω, 170 mA, 330 mA, SOT-666, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, P, 3,6 Ω, 13,5 Ω, 170 mA, 330 mA, SOT-666, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, P, 3,6 Ω, 13,5 Ω, 170 mA, 330 mA, SOT-666, Montaggio superficiale, Corrente massima continuativa di drain: 170 mA, 330 mA, Tensione massima drain source: 50 V, 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.1V, Tensione di soglia gate minima: 1.1V, Dissipazione di potenza massima: 500 mW, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 1.7mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: NX1029X,115

EUR 0.17
1

Nexperia MOSFET, canale N, P, 3,6 Ω, 13,5 Ω, 170 mA, 330 mA, SOT-666, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, P, 3,6 Ω, 13,5 Ω, 170 mA, 330 mA, SOT-666, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, P, 3,6 Ω, 13,5 Ω, 170 mA, 330 mA, SOT-666, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 50 V, 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.1V, Tensione di soglia gate minima: 1.1V, Dissipazione di potenza massima: 500 mW, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 0.6mm, MPN: NX1029X,115

EUR 0.26
1

Nexperia MOSFET, canale N, P, 2,8 Ω, 7,8 Ω, 220 mA, 400 mA, SOT-666, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, P, 2,8 Ω, 7,8 Ω, 220 mA, 400 mA, SOT-666, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, P, 2,8 Ω, 7,8 Ω, 220 mA, 400 mA, SOT-666, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.1V, Tensione di soglia gate minima: 0.6V, Dissipazione di potenza massima: 500 mW, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Altezza: 0.6mm, MPN: NX3008CBKV,115

EUR 0.33
1

Nexperia MOSFET, canale N, P, 2,8 Ω, 7,8 Ω, 220 mA, 400 mA, SOT-666, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, P, 2,8 Ω, 7,8 Ω, 220 mA, 400 mA, SOT-666, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, P, 2,8 Ω, 7,8 Ω, 220 mA, 400 mA, SOT-666, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.1V, Tensione di soglia gate minima: 0.6V, Dissipazione di potenza massima: 500 mW, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Lunghezza: 1.7mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: NX3008CBKV,115

EUR 0.33
1

Nexperia MOSFET, canale N, P, 3,6 Ω, 13,5 Ω, 170 mA, 330 mA, SOT-666, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, P, 3,6 Ω, 13,5 Ω, 170 mA, 330 mA, SOT-666, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, P, 3,6 Ω, 13,5 Ω, 170 mA, 330 mA, SOT-666, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 50 V, 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.1V, Tensione di soglia gate minima: 1.1V, Dissipazione di potenza massima: 500 mW, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 1.7mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: NX1029X,115

EUR 0.45
1

Nexperia MOSFET, canale N, P, 1,4 Ω, 4,1 Ω, 200 mA, 350 mA, SOT-363 (SC-88), Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, P, 1,4 Ω, 4,1 Ω, 200 mA, 350 mA, SOT-363 (SC-88), Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, P, 1,4 Ω, 4,1 Ω, 200 mA, 350 mA, SOT-363 (SC-88), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.1V, Tensione di soglia gate minima: 0.6V, Dissipazione di potenza massima: 990 mW, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Lunghezza: 2.2mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: NX3008CBKS,115

EUR 0.09
1

Nexperia MOSFET, canale N, P, 1,4 Ω, 4,1 Ω, 200 mA, 350 mA, SOT-363 (SC-88), Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, P, 1,4 Ω, 4,1 Ω, 200 mA, 350 mA, SOT-363 (SC-88), Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, P, 1,4 Ω, 4,1 Ω, 200 mA, 350 mA, SOT-363 (SC-88), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.1V, Tensione di soglia gate minima: 0.6V, Dissipazione di potenza massima: 990 mW, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Lunghezza: 2.2mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: NX3008CBKS,115

EUR 0.23
1

Nexperia MOSFET, canale N, P, 1,4 Ω, 4,1 Ω, 200 mA, 350 mA, SOT-363 (SC-88), Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, P, 1,4 Ω, 4,1 Ω, 200 mA, 350 mA, SOT-363 (SC-88), Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, P, 1,4 Ω, 4,1 Ω, 200 mA, 350 mA, SOT-363 (SC-88), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.1V, Tensione di soglia gate minima: 0.6V, Dissipazione di potenza massima: 990 mW, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Standard per uso automobilistico: AEC-Q101, Tensione diretta del diodo: 1.2V, MPN: NX3008CBKS,115

EUR 0.19
1