Microchip MOSFET, LND01K1-G, N-Canal-Canal, 330 mA, 9 V, Reducción, 5-Pin, SOT-23 Simple Si
Microchip MOSFET, N-Canal-Canal, 330 mA, 9 V, Reducción, 5-Pin, SOT-23 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,4 Ω, Disipación de Potencia Máxima: 360 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -12 V, +0,6 V, Longitud: 3.05mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +125 °C, MPN: LND01K1-G