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Infineon MOSFET, BSC016N03MS G, N-Canal-Canal, 100 A, 30 V, 8-Pin, TDSON OptiMOS 3 Simple Si

Infineon MOSFET, BSC016N03MS G, N-Canal-Canal, 100 A, 30 V, 8-Pin, TDSON OptiMOS 3 Simple Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 100 A, 30 V, 8-Pin, TDSON OptiMOS 3 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 125 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 5.35mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: BSC016N03MS G

EUR 2.03
1

Infineon MOSFET canal N,, TDSON 93 A 30 V, 8 broches

Infineon MOSFET canal N,, TDSON 93 A 30 V, 8 broches

Infineon MOSFET canal N,, TDSON 93 A 30 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 6,5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.2V, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 57 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 5.35mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BSC042N03LS G

EUR 0.26
1

Infineon MOSFET canal N,, TDSON 100 A 30 V, 8 broches

Infineon MOSFET canal N,, TDSON 100 A 30 V, 8 broches

Infineon MOSFET canal N,, TDSON 100 A 30 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 125 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 5.35mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BSC016N03MS G

EUR 2.03
1