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Infineon MOSFET, canale N, 30 m.Ω, 56 A, PG-TO247-4

Infineon MOSFET, canale N, 30 m.Ω, 56 A, PG-TO247-4, MPN: IMZ120R030M1HXKSA1

EUR 29.65

1

Infineon MOSFET, canale N, 30 m.Ω, 56 A, PG-TO247-4

Infineon MOSFET, canale N, 30 m.Ω, 56 A, PG-TO247-4, Tensione massima drain source: 1200 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Serie: IMZ1, MPN: IMZ120R030M1HXKSA1

EUR 32.35

1

Infineon MOSFET, canale N, 30 m.Ω, 56 A, PG-TO247-4

Infineon MOSFET, canale N, 30 m.Ω, 56 A, PG-TO247-4, Tensione massima drain source: 1200 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Serie: IMZ1, MPN: IMZ120R030M1HXKSA1

EUR 28.51

1

Infineon MOSFET, canale N, 19 mΩ, 75 A, TO-247, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 19 mΩ, 75 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 700 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 446 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.13mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IPW65R019C7FKSA1

EUR 24.84

1

Infineon MOSFET, canale N, 41 mΩ, 68,5 A, TO-247, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 41 mΩ, 68,5 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 700 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 500 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.13mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IPW65R041CFDFKSA1

EUR 20.43

1

Infineon MOSFET, canale N, 19 mΩ, 75 A, TO-247, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 19 mΩ, 75 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 700 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 446 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.13mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IPW65R019C7FKSA1

EUR 26.92

1

Infineon MOSFET, canale N, 19 mΩ, 75 A, TO-247, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 19 mΩ, 75 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 700 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 446 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Tensione diretta del diodo: 0.9V, Altezza: 5.21mm, Lunghezza: 16.13mm, MPN: IPW65R019C7FKSA1

EUR 26.38

1

Infineon MOSFET canal N,, A-247 68,5 A 700 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, A-247 68,5 A 700 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 41 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Dissipation de puissance maximum: 500 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 16.13mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IPW65R041CFDFKSA1

EUR 20.43

1

Infineon MOSFET, canale N, 41 mΩ, 68,5 A, TO-247, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 41 mΩ, 68,5 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 700 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 500 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Tensione diretta del diodo: 1V, Altezza: 21.1mm, Lunghezza: 16.13mm, MPN: IPW65R041CFDFKSA1

EUR 20.02

1

Infineon MOSFET canal N,, A-247 75 A 700 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, A-247 75 A 700 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 19 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Dissipation de puissance maximum: 446 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 16.13mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IPW65R019C7FKSA1

EUR 26.92

1

Infineon MOSFET canal N,, A-247 75 A 700 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, A-247 75 A 700 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 19 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Dissipation de puissance maximum: 446 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 16.13mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IPW65R019C7FKSA1

EUR 24.84

1

Infineon MOSFET canal N,, A-247 68,5 A 700 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, A-247 68,5 A 700 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 41 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Dissipation de puissance maximum: 500 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Tension directe de la diode: 1V, Hauteur: 21.1mm, Longueur: 16.13mm, MPN: IPW65R041CFDFKSA1

EUR 20.02

1

Infineon MOSFET, IPW65R019C7FKSA1, N-Canal-Canal, 75 A, 700 V, 3-Pin, TO-247 CoolMOS C7 Simple Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 75 A, 700 V, 3-Pin, TO-247 CoolMOS C7 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 19 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Disipación de Potencia Máxima: 446 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 16.13mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IPW65R019C7FKSA1

EUR 26.92

1

Infineon MOSFET, IPW65R019C7FKSA1, N-Canal-Canal, 75 A, 700 V, 3-Pin, TO-247 CoolMOS C7 Simple Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 75 A, 700 V, 3-Pin, TO-247 CoolMOS C7 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 19 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Disipación de Potencia Máxima: 446 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Tensión de diodo directa: 0.9V, Altura: 5.21mm, Longitud: 16.13mm, MPN: IPW65R019C7FKSA1

EUR 26.38

1

Infineon MOSFET, IPW65R019C7FKSA1, N-Canal-Canal, 75 A, 700 V, 3-Pin, TO-247 CoolMOS C7 Simple Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 75 A, 700 V, 3-Pin, TO-247 CoolMOS C7 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 19 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Disipación de Potencia Máxima: 446 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 16.13mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IPW65R019C7FKSA1

EUR 24.84

1

Infineon MOSFET canal N,, A-247 75 A 700 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, A-247 75 A 700 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 19 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Dissipation de puissance maximum: 446 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Tension directe de la diode: 0.9V, Hauteur: 5.21mm, Longueur: 16.13mm, MPN: IPW65R019C7FKSA1

EUR 26.38

1

Infineon MOSFET, IPW65R041CFDFKSA1, N-Canal-Canal, 68,5 A, 700 V, 3-Pin, TO-247 CoolMOS CFD Simple Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 68,5 A, 700 V, 3-Pin, TO-247 CoolMOS CFD Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 41 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Disipación de Potencia Máxima: 500 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Tensión de diodo directa: 1V, Altura: 21.1mm, Longitud: 16.13mm, MPN: IPW65R041CFDFKSA1

EUR 20.02

1

Infineon MOSFET, IPW65R041CFDFKSA1, N-Canal-Canal, 68,5 A, 700 V, 3-Pin, TO-247 CoolMOS CFD Simple Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 68,5 A, 700 V, 3-Pin, TO-247 CoolMOS CFD Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 41 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Disipación de Potencia Máxima: 500 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 16.13mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IPW65R041CFDFKSA1

EUR 20.43

1

Infineon MOSFET, IMZ120R030M1HXKSA1, N-Canal-Canal, 56 A, 1.200 V, 4-Pin, PG-TO247-4 IMZ1 Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 56 A, 1.200 V, 4-Pin, PG-TO247-4 IMZ1 Si, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 30 m.Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, MPN: IMZ120R030M1HXKSA1

EUR 32.35

1

Infineon MOSFET canal N,, PG-TO247-4 56 A 1200 V, 4 broches

Infineon MOSFET canal N,, PG-TO247-4 56 A 1200 V, 4 broches, Résistance Drain Source maximum: 30 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Série: IMZ1, MPN: IMZ120R030M1HXKSA1

EUR 32.35

1

Infineon MOSFET, IMZ120R030M1HXKSA1, N-Canal-Canal, 56 A, 1.200 V, 4-Pin, PG-TO247-4 IMZ1 Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 56 A, 1.200 V, 4-Pin, PG-TO247-4 IMZ1 Si, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 30 m.Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, MPN: IMZ120R030M1HXKSA1

EUR 28.51

1

Infineon MOSFET canal N,, PG-TO247-4 56 A 1200 V, 4 broches

Infineon MOSFET canal N,, PG-TO247-4 56 A 1200 V, 4 broches, Résistance Drain Source maximum: 30 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Série: IMZ1, MPN: IMZ120R030M1HXKSA1

EUR 28.51

1

DIGITAL MARKETING

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Infineon MOSFET, canale N, 30 m.Ω, 56 A, PG-TO247-4

Infineon MOSFET, canale N, 30 m.Ω, 56 A, PG-TO247-4

Infineon MOSFET, canale N, 30 m.Ω, 56 A, PG-TO247-4

Infineon MOSFET, canale N, 19 mΩ, 75 A, TO-247, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 41 mΩ, 68,5 A, TO-247, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 19 mΩ, 75 A, TO-247, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 19 mΩ, 75 A, TO-247, Su foro

Infineon MOSFET canal N,, A-247 68,5 A 700 V, 3 broches

Infineon MOSFET, canale N, 41 mΩ, 68,5 A, TO-247, Su foro

Infineon MOSFET canal N,, A-247 75 A 700 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, A-247 75 A 700 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, A-247 68,5 A 700 V, 3 broches

Infineon MOSFET, IPW65R019C7FKSA1, N-Canal-Canal, 75 A, 700 V, 3-Pin, TO-247 CoolMOS C7 Simple Si

Infineon MOSFET, IPW65R019C7FKSA1, N-Canal-Canal, 75 A, 700 V, 3-Pin, TO-247 CoolMOS C7 Simple Si

Infineon MOSFET, IPW65R019C7FKSA1, N-Canal-Canal, 75 A, 700 V, 3-Pin, TO-247 CoolMOS C7 Simple Si

Infineon MOSFET canal N,, A-247 75 A 700 V, 3 broches

Infineon MOSFET, IPW65R041CFDFKSA1, N-Canal-Canal, 68,5 A, 700 V, 3-Pin, TO-247 CoolMOS CFD Simple Si

Infineon MOSFET, IPW65R041CFDFKSA1, N-Canal-Canal, 68,5 A, 700 V, 3-Pin, TO-247 CoolMOS CFD Simple Si

Infineon MOSFET, IMZ120R030M1HXKSA1, N-Canal-Canal, 56 A, 1.200 V, 4-Pin, PG-TO247-4 IMZ1 Si

Infineon MOSFET canal N,, PG-TO247-4 56 A 1200 V, 4 broches

Infineon MOSFET, IMZ120R030M1HXKSA1, N-Canal-Canal, 56 A, 1.200 V, 4-Pin, PG-TO247-4 IMZ1 Si

Infineon MOSFET canal N,, PG-TO247-4 56 A 1200 V, 4 broches

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