Infineon MOSFET canal N,, TDSON 33 A 150 V, 8 broches
Infineon MOSFET canal N,, TDSON 33 A 150 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 38 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Dissipation de puissance maximum: 74 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Tension directe de la diode: 1.2V, Hauteur: 1.1mm, Longueur: 6.1mm, MPN: BSC360N15NS3GATMA1