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Infineon MOSFET, canale N, 230 A, SuperSO8, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 230 A, SuperSO8, Montaggio superficiale, MPN: ISC022N10NM6ATMA1

EUR 4.14

1

Infineon MOSFET, canale N, 230 A, SuperSO8, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 230 A, SuperSO8, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, MPN: ISC022N10NM6ATMA1

EUR 4.22

1

Infineon MOSFET, canale N, 230 A, SuperSO8, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 230 A, SuperSO8, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, MPN: ISC022N10NM6ATMA1

EUR 2.66

1

Infineon MOSFET, canale N, 230 mA, PG-SOT23-3, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 230 mA, PG-SOT23-3, Montaggio superficiale, MPN: BSS138IXTSA1

EUR 0.04

1

Infineon MOSFET, canale N, 230 mA, PG-SOT23-3, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 230 mA, PG-SOT23-3, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Depletion, Tensione di soglia gate massima: 1.4V, Serie: BSS138I, MPN: BSS138IXTSA1

EUR 0.03

1

Infineon MOSFET, canale N, 230 mA, PG-SOT23-3, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 230 mA, PG-SOT23-3, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Depletion, Tensione di soglia gate massima: 1.4V, Serie: BSS138I, MPN: BSS138IXTSA1

EUR 0.05

1

Infineon MOSFET, canale P, 230 mΩ, 1,5 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale P, 230 mΩ, 1,5 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 500 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Tensione diretta del diodo: 1.1V, MPN: BSS314PE H6327

EUR 0.19

1

Infineon MOSFET, canale P, 230 mΩ, 1,5 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale P, 230 mΩ, 1,5 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 500 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 2.9mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: BSS314PEH6327XTSA1

EUR 0.11

1

Infineon MOSFET, canale N, 6 Ω, 230 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 6 Ω, 230 mA, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.4V, Tensione di soglia gate minima: 0.6V, Dissipazione di potenza massima: 360 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 2.9mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: BSS138NH6327XTSA2

EUR 0.07

1

Infineon MOSFET, canale N, 3,5 Ω, 230 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 3,5 Ω, 230 mA, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.4V, Tensione di soglia gate minima: 0.6V, Dissipazione di potenza massima: 360 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 2.9mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: BSS138NH6433XTMA1

EUR 0.14

1

Infineon MOSFET, canale N, 6 Ω, 230 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 6 Ω, 230 mA, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.4V, Tensione di soglia gate minima: 0.6V, Dissipazione di potenza massima: 360 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 2.9mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: BSS138NH6327XTSA2

EUR 0.11

1

Infineon MOSFET, canale N, 8 Ω, 230 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 8 Ω, 230 mA, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Depletion, Tensione di soglia gate massima: 2.4V, Tensione di soglia gate minima: 3.5V, Dissipazione di potenza massima: 360 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 2.9mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: BSS159N

EUR 0.70

1

Infineon MOSFET, canale N, 3,5 Ω, 230 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 3,5 Ω, 230 mA, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.4V, Tensione di soglia gate minima: 0.6V, Dissipazione di potenza massima: 360 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 2.9mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: BSS138NH6433XTMA1

EUR 0.06

1

Infineon MOSFET, canale N, 8 Ω, 230 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 8 Ω, 230 mA, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Depletion, Tensione di soglia gate massima: 2.4V, Tensione di soglia gate minima: 3.5V, Dissipazione di potenza massima: 360 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Numero di elementi per chip: 1, Altezza: 1mm, MPN: BSS159N

EUR 0.36

1

Infineon MOSFET, canale P, 230 mΩ, 1,5 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale P, 230 mΩ, 1,5 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 500 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 2.9mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: BSS314PE H6327

EUR 0.23

1

Infineon MOSFET, canale N, 3 mΩ, 230 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 3 mΩ, 230 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 75 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 370 W, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.67mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IRFS3107PBF

EUR 4.52

1

Infineon MOSFET, canale N, 3 mΩ, 230 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 3 mΩ, 230 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 75 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 370 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IRFS3107PBF

EUR 5.20

1

Infineon MOSFET, canale N, 3 mΩ, 230 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 3 mΩ, 230 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 75 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 370 W, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Numero di elementi per chip: 1, Tensione diretta del diodo: 1.3V, Altezza: 4.83mm, MPN: IRFS3107TRLPBF

EUR 3.75

1

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 79 A, PG-TO263-3

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 79 A, PG-TO263-3, Tensione massima gate emitter: ±20 V, ±30 V, Dissipazione di potenza massima: 230 W, MPN: IKB40N65ES5ATMA1

EUR 5.72

1

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 79 A, PG-TO263-3

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 79 A, PG-TO263-3, Tensione massima gate emitter: ±20 V, ±30 V, Dissipazione di potenza massima: 230 W, MPN: IKB40N65ES5ATMA1

EUR 3.70

1

Infineon Transistor NPN, 4 Pin, SOT-343, 70 mA, 15 V, Montaggio superficiale

Infineon Transistor NPN, 4 Pin, SOT-343, 70 mA, 15 V, Montaggio superficiale, Dissipazione di potenza massima: 230 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base emitter: 1,5 V, Dimensioni: 2 x 1.25 x 0.8mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: BFP460H6327XTSA1

EUR 0.10

1

Infineon Transistor NPN, 4 Pin, SOT-343, 70 mA, 15 V, Montaggio superficiale

Infineon Transistor NPN, 4 Pin, SOT-343, 70 mA, 15 V, Montaggio superficiale, Dissipazione di potenza massima: 230 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base emitter: 1,5 V, Dimensioni: 2 x 1.25 x 0.8mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: BFP460H6327XTSA1

EUR 0.10

1

Infineon Transistor NPN, 4 Pin, SOT-343, 70 mA, 15 V, Montaggio superficiale

Infineon Transistor NPN, 4 Pin, SOT-343, 70 mA, 15 V, Montaggio superficiale, Dissipazione di potenza massima: 230 mW, Guadagno minimo corrente c.c.: 90, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base emitter: 1,5 V, Dimensioni: 2 x 1.25 x 0.8mm, Lunghezza: 2mm, MPN: BFP460H6327XTSA1

EUR 0.10

1

Infineon MOSFET, canale N, 3,3 mΩ, 172 A, TO-247, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 3,3 mΩ, 172 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.7V, Tensione di soglia gate minima: 2.1V, Dissipazione di potenza massima: 230 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 20.7mm, MPN: IRFP7537PBF

EUR 2.33

1

Infineon MOSFET, canale N, 32 mΩ, 51 A, TO-220AB, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 32 mΩ, 51 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 150 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 230 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 16.51mm, MPN: IRFB52N15DPBF

EUR 2.86

1

DIGITAL MARKETING

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Infineon MOSFET, canale N, 230 A, SuperSO8, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 230 A, SuperSO8, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 230 A, SuperSO8, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 230 mA, PG-SOT23-3, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 230 mA, PG-SOT23-3, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 230 mA, PG-SOT23-3, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale P, 230 mΩ, 1,5 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale P, 230 mΩ, 1,5 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 6 Ω, 230 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 3,5 Ω, 230 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 6 Ω, 230 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 8 Ω, 230 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 3,5 Ω, 230 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 8 Ω, 230 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale P, 230 mΩ, 1,5 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 3 mΩ, 230 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 3 mΩ, 230 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 3 mΩ, 230 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 79 A, PG-TO263-3

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 79 A, PG-TO263-3

Infineon Transistor NPN, 4 Pin, SOT-343, 70 mA, 15 V, Montaggio superficiale

Infineon Transistor NPN, 4 Pin, SOT-343, 70 mA, 15 V, Montaggio superficiale

Infineon Transistor NPN, 4 Pin, SOT-343, 70 mA, 15 V, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 3,3 mΩ, 172 A, TO-247, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 32 mΩ, 51 A, TO-220AB, Su foro

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