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Infineon MOSFET, ISC022N10NM6ATMA1, N-Canal-Canal, 230 A, 100 V, SuperSO8

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 230 A, 100 V, SuperSO8, MPN: ISC022N10NM6ATMA1

EUR 4.14

1

Infineon MOSFET, ISC022N10NM6ATMA1, N-Canal-Canal, 230 A, 100 V, SuperSO8

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 230 A, 100 V, SuperSO8, Tipo de Montaje: Montaje superficial, MPN: ISC022N10NM6ATMA1

EUR 4.22

1

Infineon MOSFET, ISC022N10NM6ATMA1, N-Canal-Canal, 230 A, 100 V, SuperSO8

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 230 A, 100 V, SuperSO8, Tipo de Montaje: Montaje superficial, MPN: ISC022N10NM6ATMA1

EUR 2.66

1

Infineon MOSFET, BSS138IXTSA1, N-Canal-Canal, 230 mA, 60 V, Reducción, 3-Pin, PG-SOT23-3 BSS138I

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 230 mA, 60 V, Reducción, 3-Pin, PG-SOT23-3 BSS138I, MPN: BSS138IXTSA1

EUR 0.04

1

Infineon MOSFET, BSS138IXTSA1, N-Canal-Canal, 230 mA, 60 V, Reducción, 3-Pin, PG-SOT23-3 BSS138I

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 230 mA, 60 V, Reducción, 3-Pin, PG-SOT23-3 BSS138I, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.4V, MPN: BSS138IXTSA1

EUR 0.05

1

Infineon MOSFET, BSS138IXTSA1, N-Canal-Canal, 230 mA, 60 V, Reducción, 3-Pin, PG-SOT23-3 BSS138I

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 230 mA, 60 V, Reducción, 3-Pin, PG-SOT23-3 BSS138I, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.4V, MPN: BSS138IXTSA1

EUR 0.03

1

Infineon MOSFET, IRFS3107PBF, N-Canal-Canal, 230 A, 75 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) HEXFET

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 230 A, 75 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) HEXFET, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 3 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 370 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.67mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: IRFS3107PBF

EUR 4.52

1

Infineon MOSFET, IRFS3107TRLPBF, N-Canal-Canal, 230 A, 75 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) HEXFET

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 230 A, 75 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) HEXFET, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 3 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 370 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Número de Elementos por Chip: 1, Tensión de diodo directa: 1.3V, Altura: 4.83mm, MPN: IRFS3107TRLPBF

EUR 3.75

1

Infineon MOSFET, BSS138NH6433XTMA1, N-Canal-Canal, 230 mA, 60 V, 3-Pin, SOT-23 SIPMOS Simple Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 230 mA, 60 V, 3-Pin, SOT-23 SIPMOS Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 3,5 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.6V, Disipación de Potencia Máxima: 360 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 2.9mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: BSS138NH6433XTMA1

EUR 0.14

1

Infineon MOSFET, BSS138NH6327XTSA2, N-Canal-Canal, 230 mA, 60 V, 3-Pin, SOT-23 SIPMOS Simple Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 230 mA, 60 V, 3-Pin, SOT-23 SIPMOS Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 6 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.6V, Disipación de Potencia Máxima: 360 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 2.9mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: BSS138NH6327XTSA2

EUR 0.11

1

Infineon MOSFET, BSS138NH6327XTSA2, N-Canal-Canal, 230 mA, 60 V, 3-Pin, SOT-23 SIPMOS Simple Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 230 mA, 60 V, 3-Pin, SOT-23 SIPMOS Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 6 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.6V, Disipación de Potencia Máxima: 360 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 2.9mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: BSS138NH6327XTSA2

EUR 0.07

1

Infineon MOSFET, BSS138NH6433XTMA1, N-Canal-Canal, 230 mA, 60 V, 3-Pin, SOT-23 SIPMOS Simple Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 230 mA, 60 V, 3-Pin, SOT-23 SIPMOS Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 3,5 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.6V, Disipación de Potencia Máxima: 360 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 2.9mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: BSS138NH6433XTMA1

EUR 0.06

1

Infineon MOSFET, BSS159NH6327XTSA2, N-Canal-Canal, 230 mA, 60 V, Reducción, 3-Pin, SOT-23 SIPMOS Simple Si

Infineon MOSFETH6327XTSA2, N-Canal-Canal, 230 mA, 60 V, Reducción, 3-Pin, SOT-23 SIPMOS Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 8 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3.5V, Disipación de Potencia Máxima: 360 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 2.9mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: BSS159N

EUR 0.70

1

Infineon MOSFET, BSS159NH6327XTSA2, N-Canal-Canal, 230 mA, 60 V, Reducción, 3-Pin, SOT-23 SIPMOS Simple Si

Infineon MOSFETH6327XTSA2, N-Canal-Canal, 230 mA, 60 V, Reducción, 3-Pin, SOT-23 SIPMOS Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 8 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3.5V, Disipación de Potencia Máxima: 360 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Número de Elementos por Chip: 1, Altura: 1mm, MPN: BSS159N

EUR 0.36

1

Infineon MOSFET, IRFS3107PBF, N-Canal-Canal, 230 A, 75 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) HEXFET Simple Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 230 A, 75 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) HEXFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 3 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 370000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: IRFS3107PBF

EUR 5.20

1

Infineon IGBT, IKB40N65ES5ATMA1, 79 A, 650 V, PG-TO263-3, 3-Pines

Infineon IGBT, 79 A, 650 V, PG-TO263-3, 3-Pines, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20 V, ±30 V, Disipación de Potencia Máxima: 230 W, MPN: IKB40N65ES5ATMA1

EUR 5.72

1

Infineon IGBT, IKB40N65ES5ATMA1, 79 A, 650 V, PG-TO263-3, 3-Pines

Infineon IGBT, 79 A, 650 V, PG-TO263-3, 3-Pines, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20 V, ±30 V, Disipación de Potencia Máxima: 230 W, MPN: IKB40N65ES5ATMA1

EUR 3.70

1

Infineon Transistor, BFP460H6327XTSA1, NPN 70 mA 15 V SOT-343, 4 pines, Simple

Infineon Transistor, NPN 70 mA 15 V SOT-343, 4 pines, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 230 mW, Tensión Máxima Emisor-Base: 1,5 V, Dimensiones: 2 x 1.25 x 0.8mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: BFP460H6327XTSA1

EUR 0.10

1

Infineon Transistor, BFP460H6327XTSA1, NPN 70 mA 15 V SOT-343, 4 pines, Simple

Infineon Transistor, NPN 70 mA 15 V SOT-343, 4 pines, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 230 mW, Tensión Máxima Emisor-Base: 1,5 V, Dimensiones: 2 x 1.25 x 0.8mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: BFP460H6327XTSA1

EUR 0.10

1

Infineon Transistor, BFP460H6327XTSA1, NPN 70 mA 15 V SOT-343, 4 pines, Simple

Infineon Transistor, NPN 70 mA 15 V SOT-343, 4 pines, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 230 mW, Ganancia Mínima de Corriente DC: 90, Tensión Máxima Emisor-Base: 1,5 V, Dimensiones: 2 x 1.25 x 0.8mm, Longitud: 2mm, MPN: BFP460H6327XTSA1

EUR 0.10

1

Infineon IGBT, IHW40N65R5XKSA1, N-Canal, 40 A, 650 V, TO-247, 3-Pines Simple

Infineon IGBT, N-Canal, 40 A, 650 V, TO-247, 3-Pines Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 230 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Longitud: 16.13mm, Ancho: 5.21mm, Altura: 21.1mm, Dimensiones: 16.13 x 5.21 x 21.1mm, Energía nominal: 1.91mJ, Capacitancia de puerta: 4740pF, MPN: IHW40N65R5XKSA1

EUR 3.50

1

Infineon IGBT, IHW40N65R5XKSA1, N-Canal, 40 A, 650 V, TO-247, 3-Pines Simple

Infineon IGBT, N-Canal, 40 A, 650 V, TO-247, 3-Pines Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 230 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 16.13 x 5.21 x 21.1mm, Energía nominal: 1.91mJ, Capacitancia de puerta: 4740pF, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, MPN: IHW40N65R5XKSA1

EUR 3.50

1

Infineon IGBT, IHW40N65R5XKSA1, N-Canal, 40 A, 650 V, TO-247, 3-Pines Simple

Infineon IGBT, N-Canal, 40 A, 650 V, TO-247, 3-Pines Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 230 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 16.13 x 5.21 x 21.1mm, Energía nominal: 1.91mJ, Capacitancia de puerta: 4740pF, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, MPN: IHW40N65R5XKSA1

EUR 2.96

1

Infineon MOSFET, IRFS3307ZTRLPBF, N-Canal-Canal, 128 A, 75 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) HEXFET

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 128 A, 75 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) HEXFET, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 5,8 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 230 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Tensión de diodo directa: 1.3V, Altura: 4.83mm, MPN: IRFS3307ZTRLPBF

EUR 3.32

1

Infineon MOSFET, IRLB3813PBF, N-Canal-Canal, 260 A, 30 V, 3-Pin, TO-220AB HEXFET Simple Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 260 A, 30 V, 3-Pin, TO-220AB HEXFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.35V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.35V, Disipación de Potencia Máxima: 230 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 9.02mm, MPN: IRLB3813PBF

EUR 1.14

1

DIGITAL MARKETING

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Infineon MOSFET, ISC022N10NM6ATMA1, N-Canal-Canal, 230 A, 100 V, SuperSO8

Infineon MOSFET, ISC022N10NM6ATMA1, N-Canal-Canal, 230 A, 100 V, SuperSO8

Infineon MOSFET, ISC022N10NM6ATMA1, N-Canal-Canal, 230 A, 100 V, SuperSO8

Infineon MOSFET, BSS138IXTSA1, N-Canal-Canal, 230 mA, 60 V, Reducción, 3-Pin, PG-SOT23-3 BSS138I

Infineon MOSFET, BSS138IXTSA1, N-Canal-Canal, 230 mA, 60 V, Reducción, 3-Pin, PG-SOT23-3 BSS138I

Infineon MOSFET, BSS138IXTSA1, N-Canal-Canal, 230 mA, 60 V, Reducción, 3-Pin, PG-SOT23-3 BSS138I

Infineon MOSFET, IRFS3107PBF, N-Canal-Canal, 230 A, 75 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) HEXFET

Infineon MOSFET, IRFS3107TRLPBF, N-Canal-Canal, 230 A, 75 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) HEXFET

Infineon MOSFET, BSS138NH6433XTMA1, N-Canal-Canal, 230 mA, 60 V, 3-Pin, SOT-23 SIPMOS Simple Si

Infineon MOSFET, BSS138NH6327XTSA2, N-Canal-Canal, 230 mA, 60 V, 3-Pin, SOT-23 SIPMOS Simple Si

Infineon MOSFET, BSS138NH6327XTSA2, N-Canal-Canal, 230 mA, 60 V, 3-Pin, SOT-23 SIPMOS Simple Si

Infineon MOSFET, BSS138NH6433XTMA1, N-Canal-Canal, 230 mA, 60 V, 3-Pin, SOT-23 SIPMOS Simple Si

Infineon MOSFET, BSS159NH6327XTSA2, N-Canal-Canal, 230 mA, 60 V, Reducción, 3-Pin, SOT-23 SIPMOS Simple Si

Infineon MOSFET, BSS159NH6327XTSA2, N-Canal-Canal, 230 mA, 60 V, Reducción, 3-Pin, SOT-23 SIPMOS Simple Si

Infineon MOSFET, IRFS3107PBF, N-Canal-Canal, 230 A, 75 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) HEXFET Simple Si

Infineon IGBT, IKB40N65ES5ATMA1, 79 A, 650 V, PG-TO263-3, 3-Pines

Infineon IGBT, IKB40N65ES5ATMA1, 79 A, 650 V, PG-TO263-3, 3-Pines

Infineon Transistor, BFP460H6327XTSA1, NPN 70 mA 15 V SOT-343, 4 pines, Simple

Infineon Transistor, BFP460H6327XTSA1, NPN 70 mA 15 V SOT-343, 4 pines, Simple

Infineon Transistor, BFP460H6327XTSA1, NPN 70 mA 15 V SOT-343, 4 pines, Simple

Infineon IGBT, IHW40N65R5XKSA1, N-Canal, 40 A, 650 V, TO-247, 3-Pines Simple

Infineon IGBT, IHW40N65R5XKSA1, N-Canal, 40 A, 650 V, TO-247, 3-Pines Simple

Infineon IGBT, IHW40N65R5XKSA1, N-Canal, 40 A, 650 V, TO-247, 3-Pines Simple

Infineon MOSFET, IRFS3307ZTRLPBF, N-Canal-Canal, 128 A, 75 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) HEXFET

Infineon MOSFET, IRLB3813PBF, N-Canal-Canal, 260 A, 30 V, 3-Pin, TO-220AB HEXFET Simple Si

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