2.200 Résultats (0,22089 Secondes)

Afficher tous les filtres

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Afficher tout

Effacer les filtres

Produits
De
Boutiques

IXYS MOSFET canal N,, TO-220F 4 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO-220F 4 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO-220F 4 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 550 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 32 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.36mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXTP8N65X2M

EUR 3.14
1

IXYS MOSFET canal N,, A-220 4 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-220 4 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-220 4 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 850 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 80 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXTP4N65X2

EUR 2.62
1

IXYS MOSFET canal N,, A-220 4 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-220 4 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-220 4 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 850 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 80 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXTP4N65X2

EUR 2.22
1

IXYS MOSFET canal N,, A-220 4 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-220 4 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-220 4 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 850 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 80 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Tension directe de la diode: 1.4V, MPN: IXTP4N65X2

EUR 2.62
1

IXYS MOSFET canal N,, TO-220F 4 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO-220F 4 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO-220F 4 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 550 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 32 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Tension directe de la diode: 1.4V, MPN: IXTP8N65X2M

EUR 3.14
1

IXYS MOSFET, IXFH80N65X2-4, N-Canal-Canal, 80 A, 650 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET Simple

IXYS MOSFET, IXFH80N65X2-4, N-Canal-Canal, 80 A, 650 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET Simple

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 80 A, 650 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 38 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3.5V, Disipación de Potencia Máxima: 890 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Longitud: 16.13mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXFH80N65X2-4

EUR 13.20
1

IXYS MOSFET, IXFH80N65X2-4, N-Canal-Canal, 80 A, 650 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET Simple

IXYS MOSFET, IXFH80N65X2-4, N-Canal-Canal, 80 A, 650 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET Simple

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 80 A, 650 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 38 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3.5V, Disipación de Potencia Máxima: 890 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Longitud: 16.13mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXFH80N65X2-4

EUR 14.98
1

IXYS MOSFET, IXTP4N65X2, N-Canal-Canal, 4 A, 650 V, 3-Pin, TO-220 X2-Class Simple Si

IXYS MOSFET, IXTP4N65X2, N-Canal-Canal, 4 A, 650 V, 3-Pin, TO-220 X2-Class Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 4 A, 650 V, 3-Pin, TO-220 X2-Class Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 850 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 80 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 10.3mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXTP4N65X2

EUR 2.62
1

IXYS MOSFET, IXTP8N65X2M, N-Canal-Canal, 4 A, 650 V, 3-Pin, TO-220F X2-Class Simple Si

IXYS MOSFET, IXTP8N65X2M, N-Canal-Canal, 4 A, 650 V, 3-Pin, TO-220F X2-Class Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 4 A, 650 V, 3-Pin, TO-220F X2-Class Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 550 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 32 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Número de Elementos por Chip: 1, Tensión de diodo directa: 1.4V, MPN: IXTP8N65X2M

EUR 3.14
1

IXYS MOSFET, IXTP8N65X2M, N-Canal-Canal, 4 A, 650 V, 3-Pin, TO-220F X2-Class Simple Si

IXYS MOSFET, IXTP8N65X2M, N-Canal-Canal, 4 A, 650 V, 3-Pin, TO-220F X2-Class Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 4 A, 650 V, 3-Pin, TO-220F X2-Class Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 550 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 32 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 10.36mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXTP8N65X2M

EUR 3.14
1

IXYS MOSFET, IXTP4N65X2, N-Canal-Canal, 4 A, 650 V, 3-Pin, TO-220 X2-Class Simple Si

IXYS MOSFET, IXTP4N65X2, N-Canal-Canal, 4 A, 650 V, 3-Pin, TO-220 X2-Class Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 4 A, 650 V, 3-Pin, TO-220 X2-Class Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 850 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 80 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 10.3mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXTP4N65X2

EUR 2.22
1

IXYS MOSFET, IXTP4N65X2, N-Canal-Canal, 4 A, 650 V, 3-Pin, TO-220 X2-Class Simple Si

IXYS MOSFET, IXTP4N65X2, N-Canal-Canal, 4 A, 650 V, 3-Pin, TO-220 X2-Class Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 4 A, 650 V, 3-Pin, TO-220 X2-Class Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 850 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 80 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Número de Elementos por Chip: 1, Tensión de diodo directa: 1.4V, MPN: IXTP4N65X2

EUR 2.62
1

IXYS MOSFET canal N,, A-247 80 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 80 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 80 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 38 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.5V, Dissipation de puissance maximum: 890 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 16.13mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFH80N65X2-4

EUR 14.98
1

IXYS MOSFET canal N,, A-247 80 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 80 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 80 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 38 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.5V, Dissipation de puissance maximum: 890 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 16.13mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFH80N65X2-4

EUR 13.20
1