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IXYS Relais statique,, 120 mA rms/mA c.c., 200 mA c.c., Montage en surface

IXYS Relais statique,, 120 mA rms/mA c.c., 200 mA c.c., Montage en surface, Type de commutation: c.a./c.c., Configuration de contact: 1NO, Type de raccordement: Broche CI, Durée maximale de mise sous tension: 5 ms, Dimensions: 8.382 x 6.35 x 3.302mm, Type de relais: OptoMOS, Capacité: 35pF, Profondeur: 6.35mm, Hauteur: 3.3mm, Longueur: 8.38mm, Courant de fuite à l'état bloqué: 1 μA, MPN: LCA100LS

EUR 1.68

1

IXYS Relais statique,, 120 mA rms/mA c.c., 200 mA c.c., Montage en surface

IXYS Relais statique,, 120 mA rms/mA c.c., 200 mA c.c., Montage en surface, Type de commutation: c.a./c.c., Configuration de contact: 1NO, Type de raccordement: Broche CI, Type de sortie: Transistor MOS, Type de boîtier: Petite : 6 broches, Durée maximale de mise sous tension: 3 ms, Dimensions: 8.382 x 6.35 x 3.302mm, Type de relais: OptoMOS, Capacité: 35pF, Profondeur: 6.35mm, Hauteur: 3.3mm, Longueur: 8.38mm, MPN: LCA110LS

EUR 1.79

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IXYS MOSFET canal N,, A-247 120 A 200 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 120 A 200 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 22 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 714 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 21.46mm, Longueur: 16.26mm, MPN: IXFH120N20P

EUR 12.07

1

IXYS MOSFET canal N,, A-247 120 A 200 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 120 A 200 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 22 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 714 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 16.26mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IXFH120N20P

EUR 11.29

1

IXYS MOSFET canal N,, A-247 120 A 200 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 120 A 200 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 22 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 714 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 16.26mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IXFH120N20P

EUR 13.12

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IXYS Relais statique,, 120 mA rms/mA c.c., Montage en surface

IXYS Relais statique,, 120 mA rms/mA c.c., Montage en surface, Configuration de contact: 1NO, Type de raccordement: Broche CI, Type de sortie: Transistor MOS, Type de boîtier: Petite : 4 broches, Durée maximale de mise sous tension: 2 ms, Dimensions: 6.35 x 4.572 x 3.3mm, Type de relais: OptoMOS, Capacité: 25pF, Profondeur: 4.57mm, Longueur: 6.35mm, MPN: CPC1330GR

EUR 1.46

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IXYS Relais statique,, 120 mA rms/mA c.c., Montage en surface

IXYS Relais statique,, 120 mA rms/mA c.c., Montage en surface, Configuration de contact: 1NO, Type de raccordement: Broche CI, Type de sortie: Transistor MOS, Type de boîtier: SOP, Durée maximale de mise sous tension: 2 ms, Dimensions: 4.089 x 3.81 x 2.1203mm, Type de relais: OptoMOS, Capacité: 77pF, Profondeur: 3.81mm, Hauteur: 2.12mm, Longueur: 4.09mm, MPN: CPC1025N

EUR 1.30

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IXYS IGBT, IXYH82N120C3,, 200 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple

IXYS IGBT,, 200 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 1,25 kW, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 50kHz, Longueur: 16.26mm, Largeur: 5.3mm, Hauteur: 21.46mm, Dimensions: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IXYH82N120C3

EUR 14.32

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IXYS IGBT, IXYH82N120C3,, 200 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple

IXYS IGBT,, 200 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 1 250 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 50kHz, Dimensions: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: IXYH82N120C3

EUR 15.96

1

IXYS IGBT, IXYH82N120C3,, 200 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple

IXYS IGBT,, 200 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 1 250 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 50kHz, Dimensions: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: IXYH82N120C3

EUR 14.06

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IXYS Relais statique,, 200 mA rms/mA c.c., 350 mA c.c., Montage en surface

IXYS Relais statique,, 200 mA rms/mA c.c., 350 mA c.c., Montage en surface, Type de commutation: c.a./c.c., Configuration de contact: 1NO, Type de raccordement: Broche CI, Type de sortie: Transistor MOS, Durée maximale de mise sous tension: 2 ms, Dimensions: 8.382 x 6.35 x 3.302mm, Type de relais: Unidirectionnel, Capacité: 205pF, Profondeur: 6.35mm, Hauteur: 3.3mm, Longueur: 8.38mm, Courant de fuite à l'état bloqué: 1 μA, MPN: CPC1510GS

EUR 2.05

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IXYS Relais statique,, ±120 mA rms/mA c.c., 250 mA c.c., Montage en surface, 600 V

IXYS Relais statique,, ±120 mA rms/mA c.c., 250 mA c.c., Montage en surface, 600 V, Type de commutation: c.a./c.c., Configuration de contact: 1NO, Type de raccordement: Broche CI, Type de sortie: Transistor MOS, Type de boîtier: Petite : 6 broches, Durée maximale de mise sous tension: 2 ms, Dimensions: 9.652 x 6.35 x 3.302mm, Gamme de tension de charge: Maximum de 600V, Type de relais: OptoMOS, Capacité: 18pF, Profondeur: 6.35mm, MPN: CPC1563GS

EUR 2.28

1

IXYS Relais statique,, 120 mA rms/mA c.c., 250 mA c.c., Montage en surface, 350 V

IXYS Relais statique,, 120 mA rms/mA c.c., 250 mA c.c., Montage en surface, 350 V, Type de commutation: c.a./c.c., Configuration de contact: 1NO, Type de raccordement: Broche CI, Type de sortie: Transistor MOS, Type de boîtier: Petite : 6 broches, Durée maximale de mise sous tension: 2 ms, Dimensions: 8.382 x 6.35 x 3.302mm, Gamme de tension de charge: Maximum de 350V, Type de relais: OptoMOS, Capacité: 14pF, Profondeur: 6.35mm, MPN: CPC1540GS

EUR 2.05

1

IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 120 A 300 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 120 A 300 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 27 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 1,13 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 21.34mm, Longueur: 16.13mm, MPN: IXFX120N30P3

EUR 14.17

1

IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 120 A 300 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 120 A 300 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 27 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 1,13 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 16.13mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFX120N30P3

EUR 17.20

1

IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 120 A 300 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 120 A 300 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 27 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 1,13 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 16.13mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFX120N30P3

EUR 14.16

1

IXYS MOSFET canal N,, TO-247AD 120 A 150 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO-247AD 120 A 150 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 16 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 600 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 21.46mm, Longueur: 16.26mm, MPN: IXFH120N15P

EUR 8.48

1

IXYS MOSFET canal N,, TO-264 120 A 300 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO-264 120 A 300 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 27 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 1,13 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 26.16mm, Longueur: 19.96mm, MPN: IXFK120N30P3

EUR 16.22

1

IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 120 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 120 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 23 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 1,25 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Tension directe de la diode: 1.4V, MPN: IXTX120N65X2

EUR 20.09

1

IXYS MOSFET canal N,, TO264P 120 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO264P 120 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 24 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.5V, Dissipation de puissance maximum: 1,25 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 20.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFK120N65X2

EUR 19.42

1

IXYS MOSFET canal N,, TO-264 120 A 300 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO-264 120 A 300 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 27 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 1,13 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 19.96mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFK120N30P3

EUR 15.33

1

IXYS MOSFET canal N,, TO-247AD 120 A 150 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO-247AD 120 A 150 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 16 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 600 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 16.26mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IXFH120N15P

EUR 7.94

1

IXYS MOSFET canal N,, TO-247AD 120 A 150 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO-247AD 120 A 150 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 16 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 600 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 16.26mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IXFH120N15P

EUR 9.22

1

IXYS MOSFET canal N,, TO-264 120 A 300 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO-264 120 A 300 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 27 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 1,13 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 19.96mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFK120N30P3

EUR 17.07

1

IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 120 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 120 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 23 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 1,25 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 16.13mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXTX120N65X2

EUR 20.43

1

DIGITAL MARKETING

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

IXYS Relais statique,, 120 mA rms/mA c.c., 200 mA c.c., Montage en surface

IXYS Relais statique,, 120 mA rms/mA c.c., 200 mA c.c., Montage en surface

IXYS MOSFET canal N,, A-247 120 A 200 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 120 A 200 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 120 A 200 V, 3 broches

IXYS Relais statique,, 120 mA rms/mA c.c., Montage en surface

IXYS Relais statique,, 120 mA rms/mA c.c., Montage en surface

IXYS IGBT, IXYH82N120C3,, 200 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple

IXYS IGBT, IXYH82N120C3,, 200 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple

IXYS IGBT, IXYH82N120C3,, 200 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple

IXYS Relais statique,, 200 mA rms/mA c.c., 350 mA c.c., Montage en surface

IXYS Relais statique,, ±120 mA rms/mA c.c., 250 mA c.c., Montage en surface, 600 V

IXYS Relais statique,, 120 mA rms/mA c.c., 250 mA c.c., Montage en surface, 350 V

IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 120 A 300 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 120 A 300 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 120 A 300 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO-247AD 120 A 150 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO-264 120 A 300 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 120 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO264P 120 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO-264 120 A 300 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO-247AD 120 A 150 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO-247AD 120 A 150 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO-264 120 A 300 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 120 A 650 V, 3 broches

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