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IXYS IGBT, IXGH16N170,, 32 A, 1700 V, TO-247AD, 3 broches, Simple

IXYS IGBT,, 32 A, 1700 V, TO-247AD, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Type de montage: Traversant, Dimensions: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: IXGH16N170

EUR 10.45

1

IXYS IGBT, IXGH16N170,, 32 A, 1700 V, TO-247AD, 3 broches, Simple

IXYS IGBT,, 32 A, 1700 V, TO-247AD, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Type de montage: Traversant, Dimensions: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: IXGH16N170

EUR 9.39

1

IXYS MOSFET canal N,, ISOPLUS247 32 A 600 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, ISOPLUS247 32 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 154 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 6.5V, Dissipation de puissance maximum: 500 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 16.13mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFR48N60Q3

EUR 12.50

1

IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 32 A 800 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 32 A 800 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 270 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 6V, Dissipation de puissance maximum: 1 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 16.13mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFX32N80Q3

EUR 25.44

1

IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 32 A 800 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 32 A 800 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 270 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 6V, Dissipation de puissance maximum: 1 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 16.13mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFX32N80Q3

EUR 28.90

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IXYS MOSFET canal N,, ISOPLUS247 32 A 600 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, ISOPLUS247 32 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 154 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 6.5V, Dissipation de puissance maximum: 500 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 16.13mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFR48N60Q3

EUR 12.61

1

IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 32 A 1000 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 32 A 1000 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 320 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 6.5V, Dissipation de puissance maximum: 1,25 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 16.13mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFX32N100Q3

EUR 26.32

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IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 32 A 1 000 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 32 A 1 000 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 320 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 6.5V, Dissipation de puissance maximum: 1,25 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 16.13mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFX32N100Q3

EUR 29.87

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IXYS MOSFET canal N,, TO-264 32 A 1000 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO-264 32 A 1000 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 320 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 6.5V, Dissipation de puissance maximum: 1,25 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 19.96mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFK32N100Q3

EUR 27.46

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IXYS MOSFET canal N,, TO-264 32 A 1 000 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO-264 32 A 1 000 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 320 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 6.5V, Dissipation de puissance maximum: 1,25 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 19.96mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFK32N100Q3

EUR 31.19

1

IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 32 A 800 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 32 A 800 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 270 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 6V, Dissipation de puissance maximum: 1 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Hauteur: 21.34mm, Longueur: 16.13mm, MPN: IXFX32N80Q3

EUR 28.90

1

IXYS MOSFET canal N,, ISOPLUS247 32 A 600 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, ISOPLUS247 32 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 154 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 6.5V, Dissipation de puissance maximum: 500 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Hauteur: 21.34mm, Longueur: 16.13mm, MPN: IXFR48N60Q3

EUR 12.61

1

IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 32 A 1 000 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 32 A 1 000 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 320 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 6.5V, Dissipation de puissance maximum: 1,25 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Hauteur: 21.34mm, Longueur: 16.13mm, MPN: IXFX32N100Q3

EUR 29.87

1

IXYS MOSFET canal N,, TO-264 32 A 1 000 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO-264 32 A 1 000 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 320 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 6.5V, Dissipation de puissance maximum: 1,25 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Hauteur: 26.16mm, Longueur: 19.96mm, MPN: IXFK32N100Q3

EUR 26.55

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IXYS Module de pont redresseur Monophasé, 124A, 1200V, 4 broches, PWS C

IXYS Module de pont redresseur Monophasé, 124A, 1200V, 4 broches, PWS C, Type de montage: Montage panneau, Technologie de diode: Jonction au silicium, Configuration: Simple, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 1.95kA, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Tension directe de crête: 1.3V, Courant inverse crête: 300µA, Dimensions: 67 x 50 x 31mm, Longueur: 67mm, MPN: VBO125-12NO7

EUR 57.18

1

IXYS Module de pont redresseur Monophasé, 107A, 1600V, 4 broches, PWS C

IXYS Module de pont redresseur Monophasé, 107A, 1600V, 4 broches, PWS C, Type de montage: Montage panneau, Technologie de diode: Jonction au silicium, Configuration: Simple, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 1.65kA, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Tension directe de crête: 1.6V, Courant inverse crête: 300µA, Dimensions: 67 x 50 x 31mm, Longueur: 67mm, MPN: VBO105-16NO7

EUR 66.65

1

IXYS Module de pont redresseur Monophasé, 107A, 1200V, 4 broches, PWS C

IXYS Module de pont redresseur Monophasé, 107A, 1200V, 4 broches, PWS C, Type de montage: Montage panneau, Technologie de diode: Jonction au silicium, Configuration: Simple, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 1.65kA, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Tension directe de crête: 1.6V, Courant inverse crête: 300µA, Dimensions: 67 x 50 x 31mm, Longueur: 67mm, MPN: VBO105-12NO7

EUR 52.90

1

IXYS Module de pont redresseur Monophasé, 107A, 1600V, 4 broches, PWS C

IXYS Module de pont redresseur Monophasé, 107A, 1600V, 4 broches, PWS C, Type de montage: Montage panneau, Technologie de diode: Jonction au silicium, Configuration: Simple, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 1.65kA, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Tension directe de crête: 1.6V, Courant inverse crête: 300µA, Dimensions: 67 x 50 x 31mm, Longueur: 67mm, MPN: VBO105-16NO7

EUR 62.61

1

IXYS Module de pont redresseur Monophasé, 124A, 1600V, 4 broches, PWS C

IXYS Module de pont redresseur Monophasé, 124A, 1600V, 4 broches, PWS C, Type de montage: Montage panneau, Technologie de diode: Jonction au silicium, Configuration: Simple, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 1.95kA, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Tension directe de crête: 1.3V, Courant inverse crête: 300µA, Dimensions: 67 x 50 x 31mm, Longueur: 67mm, MPN: VBO125-16NO7

EUR 62.61

1

IXYS Module de pont redresseur Monophasé, 124A, 1200V, 4 broches, PWS C

IXYS Module de pont redresseur Monophasé, 124A, 1200V, 4 broches, PWS C, Type de montage: Montage panneau, Technologie de diode: Jonction au silicium, Configuration: Simple, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 1.95kA, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Tension directe de crête: 1.3V, Courant inverse crête: 300µA, Dimensions: 67 x 50 x 31mm, Longueur: 67mm, MPN: VBO125-12NO7

EUR 60.88

1

IXYS Module de pont redresseur Triphasé, 166A, 1600V, 5 broches, PWS C

IXYS Module de pont redresseur Triphasé, 166A, 1600V, 5 broches, PWS C, Type de montage: Montage panneau, Technologie de diode: Jonction au silicium, Configuration: Simple, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 1.95kA, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Tension directe de crête: 1.3V, Courant inverse crête: 300µA, Dimensions: 67 x 50 x 31mm, Longueur: 67mm, MPN: VUO125-16N07

EUR 64.74

1

IXYS Module de pont redresseur Monophasé, 124A, 1600V, 4 broches, PWS C

IXYS Module de pont redresseur Monophasé, 124A, 1600V, 4 broches, PWS C, Type de montage: Montage panneau, Technologie de diode: Jonction au silicium, Configuration: Simple, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 1.95kA, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Tension directe de crête: 1.3V, Courant inverse crête: 300µA, Longueur: 67mm, Dimensions: 67 x 50 x 31mm, MPN: VBO125-16NO7

EUR 58.62

1

IXYS Module de pont redresseur Triphasé, 140A, 1200V, 5 broches, PWS C

IXYS Module de pont redresseur Triphasé, 140A, 1200V, 5 broches, PWS C, Type de montage: Montage panneau, Technologie de diode: Jonction au silicium, Configuration: Simple, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 1.65kA, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Tension directe de crête: 1.6V, Courant inverse crête: 300µA, Dimensions: 67 x 50 x 31mm, Longueur: 67mm, MPN: VUO105-12NO7

EUR 57.18

1

IXYS Module de pont redresseur Monophasé, 107A, 1600V, 4 broches, PWS C

IXYS Module de pont redresseur Monophasé, 107A, 1600V, 4 broches, PWS C, Type de montage: Montage panneau, Technologie de diode: Jonction au silicium, Configuration: Simple, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 1.65kA, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Tension directe de crête: 1.6V, Courant inverse crête: 300µA, Longueur: 67mm, Dimensions: 67 x 50 x 31mm, MPN: VBO105-16NO7

EUR 59.05

1

IXYS Module de pont redresseur Monophasé, 107A, 1200V, 4 broches, PWS C

IXYS Module de pont redresseur Monophasé, 107A, 1200V, 4 broches, PWS C, Type de montage: Montage panneau, Technologie de diode: Jonction au silicium, Configuration: Simple, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 1.65kA, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Tension directe de crête: 1.6V, Courant inverse crête: 300µA, Dimensions: 67 x 50 x 31mm, Longueur: 67mm, MPN: VBO105-12NO7

EUR 60.88

1

DIGITAL MARKETING

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

IXYS IGBT, IXGH16N170,, 32 A, 1700 V, TO-247AD, 3 broches, Simple

IXYS IGBT, IXGH16N170,, 32 A, 1700 V, TO-247AD, 3 broches, Simple

IXYS MOSFET canal N,, ISOPLUS247 32 A 600 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 32 A 800 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 32 A 800 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, ISOPLUS247 32 A 600 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 32 A 1000 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 32 A 1 000 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO-264 32 A 1000 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO-264 32 A 1 000 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 32 A 800 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, ISOPLUS247 32 A 600 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 32 A 1 000 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO-264 32 A 1 000 V, 3 broches

IXYS Module de pont redresseur Monophasé, 124A, 1200V, 4 broches, PWS C

IXYS Module de pont redresseur Monophasé, 107A, 1600V, 4 broches, PWS C

IXYS Module de pont redresseur Monophasé, 107A, 1200V, 4 broches, PWS C

IXYS Module de pont redresseur Monophasé, 107A, 1600V, 4 broches, PWS C

IXYS Module de pont redresseur Monophasé, 124A, 1600V, 4 broches, PWS C

IXYS Module de pont redresseur Monophasé, 124A, 1200V, 4 broches, PWS C

IXYS Module de pont redresseur Triphasé, 166A, 1600V, 5 broches, PWS C

IXYS Module de pont redresseur Monophasé, 124A, 1600V, 4 broches, PWS C

IXYS Module de pont redresseur Triphasé, 140A, 1200V, 5 broches, PWS C

IXYS Module de pont redresseur Monophasé, 107A, 1600V, 4 broches, PWS C

IXYS Module de pont redresseur Monophasé, 107A, 1200V, 4 broches, PWS C

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