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IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 32 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 32 A, canale N, TO-247AD, Tensione massima gate emitter: ±20V, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXGH16N170

EUR 9.39

1

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 32 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 32 A, canale N, TO-247AD, Tensione massima gate emitter: ±20V, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXGH16N170

EUR 10.45

1

IXYS MOSFET, canale N, 154 mΩ, 32 A, ISOPLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 154 mΩ, 32 A, ISOPLUS247, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 500 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.13mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFR48N60Q3

EUR 12.61

1

IXYS MOSFET, canale N, 270 mΩ, 32 A, PLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 270 mΩ, 32 A, PLUS247, Su foro, Tensione massima drain source: 800 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6V, Dissipazione di potenza massima: 1 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.13mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFX32N80Q3

EUR 25.44

1

IXYS MOSFET, canale N, 270 mΩ, 32 A, PLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 270 mΩ, 32 A, PLUS247, Su foro, Tensione massima drain source: 800 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6V, Dissipazione di potenza massima: 1 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.13mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFX32N80Q3

EUR 28.90

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IXYS MOSFET, canale N, 320 mΩ, 32 A, PLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 320 mΩ, 32 A, PLUS247, Su foro, Tensione massima drain source: 1000 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 1,25 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.13mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFX32N100Q3

EUR 26.32

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IXYS MOSFET, canale N, 320 mΩ, 32 A, PLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 320 mΩ, 32 A, PLUS247, Su foro, Tensione massima drain source: 1000 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 1,25 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.13mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFX32N100Q3

EUR 29.87

1

IXYS MOSFET, canale N, 154 mΩ, 32 A, ISOPLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 154 mΩ, 32 A, ISOPLUS247, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 500 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.13mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFR48N60Q3

EUR 12.50

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IXYS MOSFET, canale N, 320 mΩ, 32 A, TO-264, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 320 mΩ, 32 A, TO-264, Su foro, Tensione massima drain source: 1000 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 1,25 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 19.96mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFK32N100Q3

EUR 31.19

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IXYS MOSFET, canale N, 320 mΩ, 32 A, TO-264, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 320 mΩ, 32 A, TO-264, Su foro, Tensione massima drain source: 1000 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 1,25 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 19.96mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFK32N100Q3

EUR 27.46

1

IXYS MOSFET, canale N, 320 mΩ, 32 A, PLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 320 mΩ, 32 A, PLUS247, Su foro, Tensione massima drain source: 1000 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 1,25 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 21.34mm, Lunghezza: 16.13mm, MPN: IXFX32N100Q3

EUR 29.87

1

IXYS MOSFET, canale N, 270 mΩ, 32 A, PLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 270 mΩ, 32 A, PLUS247, Su foro, Tensione massima drain source: 800 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6V, Dissipazione di potenza massima: 1 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 21.34mm, Lunghezza: 16.13mm, MPN: IXFX32N80Q3

EUR 28.90

1

IXYS MOSFET, canale N, 154 mΩ, 32 A, ISOPLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 154 mΩ, 32 A, ISOPLUS247, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 500 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 21.34mm, Lunghezza: 16.13mm, MPN: IXFR48N60Q3

EUR 12.61

1

IXYS MOSFET, canale N, 320 mΩ, 32 A, TO-264, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 320 mΩ, 32 A, TO-264, Su foro, Tensione massima drain source: 1000 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 1,25 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 26.16mm, Lunghezza: 19.96mm, MPN: IXFK32N100Q3

EUR 26.55

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IXYS Modulo raddrizzatore ponte, Monofase,, Ifwd 107A, VRRM 1600V, PWS C, Montaggio a pannello, 4 Pin

IXYS Modulo raddrizzatore ponte, Monofase,, Ifwd 107A, VRRM 1600V, PWS C, Montaggio a pannello, 4 Pin, Tecnologia del diodo: Giunzione al silicio, Configurazione: Single, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 1.65kA, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Tensione di forward di picco: 1.6V, Corrente inversa di picco: 300µA, Dimensioni: 67 x 50 x 31mm, Lunghezza: 67mm, MPN: VBO105-16NO7

EUR 62.61

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IXYS Modulo raddrizzatore ponte, Monofase,, Ifwd 124A, VRRM 1600V, PWS C, Montaggio a pannello, 4 Pin

IXYS Modulo raddrizzatore ponte, Monofase,, Ifwd 124A, VRRM 1600V, PWS C, Montaggio a pannello, 4 Pin, Tecnologia del diodo: Giunzione al silicio, Configurazione: Single, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 1.95kA, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Tensione di forward di picco: 1.3V, Corrente inversa di picco: 300µA, Dimensioni: 67 x 50 x 31mm, Lunghezza: 67mm, MPN: VBO125-16NO7

EUR 62.61

1

IXYS Modulo raddrizzatore ponte, Trifase,, Ifwd 166A, VRRM 1600V, PWS C, Montaggio a pannello, 5 Pin

IXYS Modulo raddrizzatore ponte, Trifase,, Ifwd 166A, VRRM 1600V, PWS C, Montaggio a pannello, 5 Pin, Tecnologia del diodo: Giunzione al silicio, Configurazione: Single, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 1.95kA, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Tensione di forward di picco: 1.3V, Corrente inversa di picco: 300µA, Dimensioni: 67 x 50 x 31mm, Lunghezza: 67mm, MPN: VUO125-16N07

EUR 60.81

1

IXYS Modulo raddrizzatore ponte, Trifase,, Ifwd 140A, VRRM 1200V, PWS C, Montaggio a pannello, 5 Pin

IXYS Modulo raddrizzatore ponte, Trifase,, Ifwd 140A, VRRM 1200V, PWS C, Montaggio a pannello, 5 Pin, Tecnologia del diodo: Giunzione al silicio, Configurazione: Single, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 1.65kA, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Tensione di forward di picco: 1.6V, Corrente inversa di picco: 300µA, Dimensioni: 67 x 50 x 31mm, Lunghezza: 67mm, MPN: VUO105-12NO7

EUR 60.88

1

IXYS Modulo raddrizzatore ponte, Trifase,, Ifwd 166A, VRRM 1600V, PWS C, Montaggio a pannello, 5 Pin

IXYS Modulo raddrizzatore ponte, Trifase,, Ifwd 166A, VRRM 1600V, PWS C, Montaggio a pannello, 5 Pin, Tecnologia del diodo: Giunzione al silicio, Configurazione: Single, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 1.95kA, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Tensione di forward di picco: 1.3V, Corrente inversa di picco: 300µA, Dimensioni: 67 x 50 x 31mm, Lunghezza: 67mm, MPN: VUO125-16N07

EUR 64.74

1

IXYS Modulo raddrizzatore ponte, Monofase,, Ifwd 124A, VRRM 1200V, PWS C, Montaggio a pannello, 4 Pin

IXYS Modulo raddrizzatore ponte, Monofase,, Ifwd 124A, VRRM 1200V, PWS C, Montaggio a pannello, 4 Pin, Tecnologia del diodo: Giunzione al silicio, Configurazione: Single, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 1.95kA, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Tensione di forward di picco: 1.3V, Corrente inversa di picco: 300µA, Dimensioni: 67 x 50 x 31mm, Lunghezza: 67mm, MPN: VBO125-12NO7

EUR 57.18

1

IXYS Modulo raddrizzatore ponte, Monofase,, Ifwd 124A, VRRM 1200V, PWS C, Montaggio a pannello, 4 Pin

IXYS Modulo raddrizzatore ponte, Monofase,, Ifwd 124A, VRRM 1200V, PWS C, Montaggio a pannello, 4 Pin, Tecnologia del diodo: Giunzione al silicio, Configurazione: Single, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 1.95kA, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Tensione di forward di picco: 1.3V, Corrente inversa di picco: 300µA, Dimensioni: 67 x 50 x 31mm, Lunghezza: 67mm, MPN: VBO125-12NO7

EUR 60.88

1

IXYS Modulo raddrizzatore ponte, Monofase,, Ifwd 107A, VRRM 1600V, PWS C, Montaggio a pannello, 4 Pin

IXYS Modulo raddrizzatore ponte, Monofase,, Ifwd 107A, VRRM 1600V, PWS C, Montaggio a pannello, 4 Pin, Tecnologia del diodo: Giunzione al silicio, Configurazione: Single, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 1.65kA, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Tensione di forward di picco: 1.6V, Corrente inversa di picco: 300µA, Lunghezza: 67mm, Dimensioni: 67 x 50 x 31mm, MPN: VBO105-16NO7

EUR 59.05

1

IXYS Modulo raddrizzatore ponte, Trifase,, Ifwd 140A, VRRM 1200V, PWS C, Montaggio a pannello, 5 Pin

IXYS Modulo raddrizzatore ponte, Trifase,, Ifwd 140A, VRRM 1200V, PWS C, Montaggio a pannello, 5 Pin, Tecnologia del diodo: Giunzione al silicio, Configurazione: Single, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 1.65kA, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Tensione di forward di picco: 1.6V, Corrente inversa di picco: 300µA, Dimensioni: 67 x 50 x 31mm, Lunghezza: 67mm, MPN: VUO105-12NO7

EUR 57.18

1

IXYS Modulo raddrizzatore ponte, Monofase,, Ifwd 124A, VRRM 1600V, PWS C, Montaggio a pannello, 4 Pin

IXYS Modulo raddrizzatore ponte, Monofase,, Ifwd 124A, VRRM 1600V, PWS C, Montaggio a pannello, 4 Pin, Tecnologia del diodo: Giunzione al silicio, Configurazione: Single, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 1.95kA, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Tensione di forward di picco: 1.3V, Corrente inversa di picco: 300µA, Lunghezza: 67mm, Dimensioni: 67 x 50 x 31mm, MPN: VBO125-16NO7

EUR 58.62

1

IXYS Modulo raddrizzatore ponte, Monofase,, Ifwd 107A, VRRM 1200V, PWS C, Montaggio a pannello, 4 Pin

IXYS Modulo raddrizzatore ponte, Monofase,, Ifwd 107A, VRRM 1200V, PWS C, Montaggio a pannello, 4 Pin, Tecnologia del diodo: Giunzione al silicio, Configurazione: Single, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 1.65kA, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Tensione di forward di picco: 1.6V, Corrente inversa di picco: 300µA, Dimensioni: 67 x 50 x 31mm, Lunghezza: 67mm, MPN: VBO105-12NO7

EUR 60.88

1

DIGITAL MARKETING

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 32 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 32 A, canale N, TO-247AD

IXYS MOSFET, canale N, 154 mΩ, 32 A, ISOPLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 270 mΩ, 32 A, PLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 270 mΩ, 32 A, PLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 320 mΩ, 32 A, PLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 320 mΩ, 32 A, PLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 154 mΩ, 32 A, ISOPLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 320 mΩ, 32 A, TO-264, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 320 mΩ, 32 A, TO-264, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 320 mΩ, 32 A, PLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 270 mΩ, 32 A, PLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 154 mΩ, 32 A, ISOPLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 320 mΩ, 32 A, TO-264, Su foro

IXYS Modulo raddrizzatore ponte, Monofase,, Ifwd 107A, VRRM 1600V, PWS C, Montaggio a pannello, 4 Pin

IXYS Modulo raddrizzatore ponte, Monofase,, Ifwd 124A, VRRM 1600V, PWS C, Montaggio a pannello, 4 Pin

IXYS Modulo raddrizzatore ponte, Trifase,, Ifwd 166A, VRRM 1600V, PWS C, Montaggio a pannello, 5 Pin

IXYS Modulo raddrizzatore ponte, Trifase,, Ifwd 140A, VRRM 1200V, PWS C, Montaggio a pannello, 5 Pin

IXYS Modulo raddrizzatore ponte, Trifase,, Ifwd 166A, VRRM 1600V, PWS C, Montaggio a pannello, 5 Pin

IXYS Modulo raddrizzatore ponte, Monofase,, Ifwd 124A, VRRM 1200V, PWS C, Montaggio a pannello, 4 Pin

IXYS Modulo raddrizzatore ponte, Monofase,, Ifwd 124A, VRRM 1200V, PWS C, Montaggio a pannello, 4 Pin

IXYS Modulo raddrizzatore ponte, Monofase,, Ifwd 107A, VRRM 1600V, PWS C, Montaggio a pannello, 4 Pin

IXYS Modulo raddrizzatore ponte, Trifase,, Ifwd 140A, VRRM 1200V, PWS C, Montaggio a pannello, 5 Pin

IXYS Modulo raddrizzatore ponte, Monofase,, Ifwd 124A, VRRM 1600V, PWS C, Montaggio a pannello, 4 Pin

IXYS Modulo raddrizzatore ponte, Monofase,, Ifwd 107A, VRRM 1200V, PWS C, Montaggio a pannello, 4 Pin

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