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IXYS IGBT, IXGH16N170,, 32 A, 1700 V, TO-247AD, 3 broches, Simple

IXYS IGBT,, 32 A, 1700 V, TO-247AD, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Type de montage: Traversant, Dimensions: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: IXGH16N170

EUR 10.45

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IXYS IGBT, IXGH16N170,, 32 A, 1700 V, TO-247AD, 3 broches, Simple

IXYS IGBT,, 32 A, 1700 V, TO-247AD, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Type de montage: Traversant, Dimensions: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: IXGH16N170

EUR 9.39

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IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 32 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 32 A, canale N, TO-247AD, Tensione massima gate emitter: ±20V, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXGH16N170

EUR 9.39

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IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 32 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 32 A, canale N, TO-247AD, Tensione massima gate emitter: ±20V, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXGH16N170

EUR 10.45

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IXYS IGBT, IXGH16N170, N-Canal, 32 A, 1700 V, TO-247AD, 3-Pines Simple

IXYS IGBT, N-Canal, 32 A, 1700 V, TO-247AD, 3-Pines Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55 °C, MPN: IXGH16N170

EUR 9.39

1

IXYS IGBT, IXGH16N170, N-Canal, 32 A, 1.700 V, TO-247AD, 3-Pines Simple

IXYS IGBT, N-Canal, 32 A, 1.700 V, TO-247AD, 3-Pines Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Longitud: 16.26mm, Ancho: 5.3mm, Altura: 21.46mm, Dimensiones: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55 °C, MPN: IXGH16N170

EUR 10.45

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IXYS MOSFET, canale N, 270 mΩ, 32 A, PLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 270 mΩ, 32 A, PLUS247, Su foro, Tensione massima drain source: 800 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6V, Dissipazione di potenza massima: 1 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.13mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFX32N80Q3

EUR 28.90

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IXYS MOSFET, canale N, 320 mΩ, 32 A, PLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 320 mΩ, 32 A, PLUS247, Su foro, Tensione massima drain source: 1000 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 1,25 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.13mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFX32N100Q3

EUR 29.87

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IXYS MOSFET, canale N, 154 mΩ, 32 A, ISOPLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 154 mΩ, 32 A, ISOPLUS247, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 500 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.13mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFR48N60Q3

EUR 12.50

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IXYS MOSFET, canale N, 320 mΩ, 32 A, PLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 320 mΩ, 32 A, PLUS247, Su foro, Tensione massima drain source: 1000 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 1,25 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.13mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFX32N100Q3

EUR 26.32

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IXYS MOSFET, canale N, 270 mΩ, 32 A, PLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 270 mΩ, 32 A, PLUS247, Su foro, Tensione massima drain source: 800 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6V, Dissipazione di potenza massima: 1 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.13mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFX32N80Q3

EUR 25.44

1

IXYS MOSFET, canale N, 154 mΩ, 32 A, ISOPLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 154 mΩ, 32 A, ISOPLUS247, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 500 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.13mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFR48N60Q3

EUR 12.61

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IXYS MOSFET, canale N, 320 mΩ, 32 A, TO-264, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 320 mΩ, 32 A, TO-264, Su foro, Tensione massima drain source: 1000 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 1,25 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 19.96mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFK32N100Q3

EUR 27.46

1

IXYS MOSFET, canale N, 320 mΩ, 32 A, TO-264, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 320 mΩ, 32 A, TO-264, Su foro, Tensione massima drain source: 1000 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 1,25 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 19.96mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFK32N100Q3

EUR 31.19

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IXYS MOSFET canal N,, ISOPLUS247 32 A 600 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, ISOPLUS247 32 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 154 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 6.5V, Dissipation de puissance maximum: 500 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 16.13mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFR48N60Q3

EUR 12.50

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IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 32 A 800 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 32 A 800 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 270 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 6V, Dissipation de puissance maximum: 1 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 16.13mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFX32N80Q3

EUR 25.44

1

IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 32 A 800 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 32 A 800 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 270 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 6V, Dissipation de puissance maximum: 1 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 16.13mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFX32N80Q3

EUR 28.90

1

IXYS MOSFET canal N,, ISOPLUS247 32 A 600 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, ISOPLUS247 32 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 154 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 6.5V, Dissipation de puissance maximum: 500 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 16.13mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFR48N60Q3

EUR 12.61

1

IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 32 A 1000 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 32 A 1000 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 320 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 6.5V, Dissipation de puissance maximum: 1,25 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 16.13mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFX32N100Q3

EUR 26.32

1

IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 32 A 1 000 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 32 A 1 000 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 320 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 6.5V, Dissipation de puissance maximum: 1,25 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 16.13mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFX32N100Q3

EUR 29.87

1

IXYS MOSFET canal N,, TO-264 32 A 1000 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO-264 32 A 1000 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 320 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 6.5V, Dissipation de puissance maximum: 1,25 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 19.96mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFK32N100Q3

EUR 27.46

1

IXYS MOSFET canal N,, TO-264 32 A 1 000 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO-264 32 A 1 000 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 320 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 6.5V, Dissipation de puissance maximum: 1,25 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 19.96mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFK32N100Q3

EUR 31.19

1

IXYS MOSFET, IXFX32N80Q3, N-Canal-Canal, 32 A, 800 V, 3-Pin, PLUS247 HiperFET, Q3-Class Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 32 A, 800 V, 3-Pin, PLUS247 HiperFET, Q3-Class Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 270 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 6V, Disipación de Potencia Máxima: 1 kW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 16.13mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXFX32N80Q3

EUR 25.44

1

IXYS MOSFET, IXFR48N60Q3, N-Canal-Canal, 32 A, 600 V, 3-Pin, ISOPLUS247 HiperFET, Q3-Class Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 32 A, 600 V, 3-Pin, ISOPLUS247 HiperFET, Q3-Class Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 154 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 6.5V, Disipación de Potencia Máxima: 500 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 16.13mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXFR48N60Q3

EUR 12.50

1

IXYS MOSFET, IXFX32N80Q3, N-Canal-Canal, 32 A, 800 V, 3-Pin, PLUS247 HiperFET, Q3-Class Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 32 A, 800 V, 3-Pin, PLUS247 HiperFET, Q3-Class Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 270 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 6V, Disipación de Potencia Máxima: 1 kW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 16.13mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXFX32N80Q3

EUR 28.90

1

DIGITAL MARKETING

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

IXYS IGBT, IXGH16N170,, 32 A, 1700 V, TO-247AD, 3 broches, Simple

IXYS IGBT, IXGH16N170,, 32 A, 1700 V, TO-247AD, 3 broches, Simple

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 32 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 32 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, IXGH16N170, N-Canal, 32 A, 1700 V, TO-247AD, 3-Pines Simple

IXYS IGBT, IXGH16N170, N-Canal, 32 A, 1.700 V, TO-247AD, 3-Pines Simple

IXYS MOSFET, canale N, 270 mΩ, 32 A, PLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 320 mΩ, 32 A, PLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 154 mΩ, 32 A, ISOPLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 320 mΩ, 32 A, PLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 270 mΩ, 32 A, PLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 154 mΩ, 32 A, ISOPLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 320 mΩ, 32 A, TO-264, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 320 mΩ, 32 A, TO-264, Su foro

IXYS MOSFET canal N,, ISOPLUS247 32 A 600 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 32 A 800 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 32 A 800 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, ISOPLUS247 32 A 600 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 32 A 1000 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 32 A 1 000 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO-264 32 A 1000 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO-264 32 A 1 000 V, 3 broches

IXYS MOSFET, IXFX32N80Q3, N-Canal-Canal, 32 A, 800 V, 3-Pin, PLUS247 HiperFET, Q3-Class Simple Si

IXYS MOSFET, IXFR48N60Q3, N-Canal-Canal, 32 A, 600 V, 3-Pin, ISOPLUS247 HiperFET, Q3-Class Simple Si

IXYS MOSFET, IXFX32N80Q3, N-Canal-Canal, 32 A, 800 V, 3-Pin, PLUS247 HiperFET, Q3-Class Simple Si

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